F2812 DSP程序运行在片内RAM和片内FLASH的区别 声明:引用请注明出处http://blog.csdn.net/lg1259156776/ 说明:F2812是带有内部Flash的DSP,与内部没有flash的C6455相比在硬件设计上可能更加简单,其程序运行机制也略有不同,c6455只能将flash中的程序加载到RAM中才能运行,而F2812在Flash内部就可以运行,而将对时间敏感的程序段通过伪指令放入拷贝至RAM运行.这一点类似于MSP430系列单片机. 一般情况下DSP编程有两

EEPROM,虽然也叫“非易失性数据存储器”,但它不能直接参与ALU运算,只是用于掉电不丢失的数据存储. EEPROM和片内RAM 类似,也属于数据存储器,它的特点是数据掉电可保持,而程序存储器一般指ROM,用于存储用户程序代码. EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器.EEPROM应属于数据存储器,但是它制造工艺和FLASH更近似. FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数

用 饿狼 的 RAM和ROM和Flash ROM的区别 RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM

当谈到路由器有多少内存以及哪些内存做什么时,有时人们会感到困惑. 您应该熟悉4个内存术语,在升级路由器的IOS之前应检查其中2个. 这些是以下内容: ROM:ROM代表只读存储器. 它存储System Boostrap.NVRAM:这是在键入copy run start时保存配置的位置.RAM:RAM存储运行配置,CDP信息,ARP缓存,路由表等.基本上是路由器所需的一切操作. 在升级IOS之前,您应该检查路由器是否有足够的内存来运行该特定的IOS!FLASH:这是存储IOS的地方. 在升级之前

ROM Read-only memory (ROM) is a class of storage medium used in computers and other electronic devices. Data stored in ROM can only be modified slowly, with difficulty, or not at all, so it is mainly used to distribute firmware(software that is very

完整教程下载地址:http://forum.armfly.com/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第10章       STM32H7的FLASH,RAM和栈使用情况(map和htm文件) 本章为大家介绍编译器生成的map和htm文件进行解析,通过这两个文件可以让大家对工程代码的认识程度提升一个档次. 10.1 初学者重要提示 10.2 MAP文件分析 10.3 HTM文件分析 10.4 总结 10.1 初学者重要提示 1.  为了更好的学习本章知识点,可以

ROM指的是"只读存储器",即Read-Only Memory.这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺, 一次性制造,其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉),不能进行修改.这玩意一般在大批量生产时才会被用的,优点是成本低.非常低,但是其风险比较大,在产品设计时,如果调试不彻底,很容易造成几千片的费片,行内话叫"掩砸了"! PROM指的是"可编程只读存储器"既Programmable Red-Only Memory.这样的产品只允许写入一次,所

老是被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞混,所以在这里总结一下,也为了更好的分清他们之间的关系,以至于别人问的时候不至于说不清. 我们不谈这些名次的由来,只说明他们是做什么的,能用来干什么,在哪里我们用到过三部分说明 1.Nandflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的芯片. 是用来存储数据的,类似于SD卡 是用于我们手机内存等,但手机内存一般是flash和DDR合起来的芯片 2.Norflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的

本文转载自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_6dd8f2b70101le26.html 最近被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞的有点头大,所以在这里总结一下,也为了更好的分清他们之间的关系,以至于别人问的时候不至于说不清. 我们不谈这些名次的由来,只说明他们是做什么的,能用来干什么,在哪里我们用到过三部分说明 1.Nandflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的芯片. 是用来存储数据的,类似于SD卡 是用于我

ROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory.这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺, 一次性制 造,其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉),不能进行修改.这玩意一般在大批量生产时才会被用的,优点是成本 低.非常低,但是其风险比较大,在产品设计时,如果调试不彻底,很容易造成几千片的费片,行内话叫“掩砸了”! PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory.这样的产品只允许写入一次,所以也被称 为“一次可编程只读存储器”(One

ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片:在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM芯片中.ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改.如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份.ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合. PROM(Programmable ROM,可编程ROM)芯片:由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了P

关键词:readelf.bloat-o-meter.graph-size.totalram_pages.reserved.meminfo.PSS.procrank.maps等等. 根据项目的需求,进行ROM/RAM的低成本裁剪. 在进行优化之前,(1)首要任务是对待优化的方案进行量化,从ROM来看有uboot.kernel.rootfs:从RAM来看,有静态RAM和运行时产生的动态RAM. (2)然后就是根据量化结果,寻找浪费点进行优化:不需要的直接删除,过量配置的适当降低. (3)再然后就是要

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存

MyISAM和InnoDB的区别 定义 InnoDB:MySQL默认的事务型引擎,也是最重要和使用最广泛的存储引擎.它被设计成为大量的短期事务,短期事务大部分情况下是正常提交的,很少被回滚.InnoDB的性能与自动崩溃恢复的特性,使得它在非事务存储需求中也很流行.除非有非常特别的原因需要使用其他的存储引擎,否则应该优先考虑InnoDB引擎. MyISAM:在MySQL 5.1 及之前的版本,MyISAM是默认引擎.MyISAM提供的大量的特性,包括全文索引.压缩.空间函数(GIS)等,但MyIS

转;http://openedv.com/thread-81182-1-1.html                           http://www.sohu.com/a/112676146_465915 一. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory), 随机存取存储器.是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫内存.它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介, 当电源关闭时RAM不

一. ROM(Read Only Memory)    ROM(Read Only Memory),只读存储器.用来存储和保存数据.ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取.即使是断电,ROM也能够保留数据. ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM: EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写, 写入时间很长,写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器.特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写

片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意. 还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的 EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求. RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M

经过一段时间的研究终于把TMS320C6657单核和双核的SPI Nor Flash的程序烧写调通了.工具都是前辈的工作,有需要的可以留下邮箱,我有空可以发. 原理参考钱丰的<TI c66x 系列DSP 多核BOOT 的研究>论文. 通过Nor flash 烧写加载程序的全部流程:(在no-boot模式下) 一.首先讲讲工具链: hex6x 配合.rmd文件(有几个.out文件就需要几个.rmd文件,描述输出控制.引导选项.存储器选项等内容)生成片上引导加载器加载程序所需的引导表,输出文件为*

内存的分配方式 五个区 :堆区.栈区.全局区.文字常量区.程序代码区 这五个区是ram中的.或者说,堆栈段.数据段.代码段 而rom中,没有堆区和栈区,只有数据段和代码段. ram是在程序运行是的内存 rom是程序烧录的地方 Flash(闪存).EEprom,都是rom Flash容量大,是程序存储器,按照块擦除,用于存储BootLoader和程序代码 E方是数据存储器,容量小,可以一次擦除一个字节(在有些项目中要求字节对齐,有最小擦除单位,例如四个字节) 一般E方大小是1k 几k ram分 静

在汽车ECU软件运行中,软件代码运行安全性是第一,在代码中尽可能的不要固化有flash_erase.flash_write操作存在,主要是防止当出现异常情况时,程序跑飞,误调用erase.write对flash操作,使得原软件受到破坏,以致ECU不能正常工作. Bootloader也称为启动引导加载程序,这段程序是硬件设备在上电复位之后执行的第一段软件代码. 方式一.为了实现在线更新功能,Bootloader程序需要对flash进行操作.一般情况下,我们将FLASH操作程序作为Bootloade