编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

问题:视图的URL配置,找不到我设置的第一个Page 我的代码如下: 结果访问/test/时说找不到这个page   原因:patterns方法的参数有两个,一个是prefix,一个是参数元祖,详见下图,因为我的patterns里少加了一个空的'',它将我写的第一个url单过prefix参数了. 解决办法:在patterns中先加入一个参数'',如下图:

最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识.总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除.擦除后数据为全0xFF,此时写入操作,实际上是将数据从1改成0. 一般先擦后写,但实际上擦除后每个位置是可以写入多次的,只要每次写入都是让某些bit从1变0即可. 例如在擦除后数据为0xFF,此时写入0x0F,可读出0x0F,再写入0x01,可读出0x01,再写入0x00,可读出0x00. 而对于0x00,就无法再改写成任何值了

做了一些away3D(4.1.6)+Flash cc,项目比较大,面数多达2000万个,发现电脑还有跑20多帧,可见away3d表现确实相当不错.想把这些东西放到手机上来看,却发现总是白屏,网上搜索了一下,也没人解决这个问题,Yahoo搜英文站(google不能用了)也没找到解决方案.这时试着用了一下Flash的调试功能(移动设备选项),发现有一个报错,经过一番分析和尝试,找到如下解决方法: 本帖隐藏的内容 在*.fla所在文件夹中找到同名的*-app.xml,打开它,在<renderMode>

/*适用情况:比如提交一个表单,提交完成之后在页面展示一条提示消息. 控制器里面这样写: 单条消息: */ \Yii::$app->getSession()->setFlash('error', 'This is the message'); \Yii::$app->getSession()->setFlash('success', 'This is the message'); \Yii::$app->getSession()->setFlash('info', 'T

标准51系列内核的逻辑空间为哈佛结构,也就是说,程序空间和地址空间是分开的.具体分为: CODE区:存放程序代码和一些常量信息,有16根地址总线,寻址范围为0x0000~0xFFFF,共计64K DATA区:存放运行中的数据,8根地址总线,寻址范围为0x00~0xFF,共计256个字节,其中,低128字节可直接寻址,高128字节可间接寻址. XDATA:外部数据存储器,间接寻址,16根地址总线,寻址范围为0x0000~0xFFFF.共计64K. Technorati 标签: CC2530 Fla

本文转载自:https://blog.csdn.net/eleven_xiy/article/details/71249365 [摘要] [背景] [正文] [总结]   注意:请使用谷歌浏览器阅读(IE浏览器排版混乱)   [摘要] 本文将以jffs2文件系统的访问过程为例,从全局视角,介绍一下linux文件系统的实现机理.本文不追求细节实现,旨在通过访问过程,把文件系统的基本原理尽量全面地展现在大家面前. [背景] 1 为日后回顾方便. 2 很多朋友想了解文件系统的实现原理,但不知道如何入门

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,

转载:http://hi.baidu.com/cui1206/item/1d4119e376132513585dd886 基于MTD的NAND驱动(linux-2.6.22.10内核),目前已可以在该驱动的支持下跑cramfs和jffs2文件系统,另外,该驱动也可以同时支持small page(每页512 Byte)和big page(每页2048 Byte)两种NAND芯片.在此整理一下与NAND驱动相关的概念,结构体,驱动框架和流程,同时分析一下基于MTD的NAND驱动的部分函数,尤其是其中

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

使用了MX25L512的SPI接口的Flash 电路连接图: 总的大小512kb,即64kB,sector的大小为256 Bytes,block的大小为4k Bytes 调试时出现的问题: 1.Flash只能读数据,不能写数据 根源在于Flash的软件写保护没有去掉,这样,写.擦除,甚至写状态寄存器都不能执行. 1)Hardware Protection Hardware Protection Mode(HPM):by using WP# going low to protect the BP0

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小