一般的Flash,只允许写时将1变成0,而不允许0变成1:仅当擦除时将0变成1.所以写全0xff是没什么意义的 以前对flash只能进行一次写很困惑,这句话解释了原因. norflash就是 对bit位进行nor的flash, nand flash就是对bit位进行!and 的flash

一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使

1.nor硬件介绍: 从原理图中我们能看到NOR FLASH有地址线,有数据线,它和我们的SDRAM接口相似,能直接读取数据,但是不能像SDRAM直接写入数据,需要有命令才行 1.1其中我们2440的地址线共有27根(LADDR0~26),为什么是27根? 因为2440共有7个bank内存块,每个bank=128MB=(2^27)B,所以共有27根数据线 1.2为什么Nor Flash的地址线A0是接在2440的LADDR1上? 因为Nor Flash的数据共有16位,也就是每个地址保存了2B数

NAND Flash 关于NAND FlashS5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等3) 8bit的总线4) 支持SLC和MCL的NAND Flash5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器.注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

简介 为了评估Nor性能优化空间,我需要根据Spec计算出极限情况下,Nor Flash的性能理论值. 在全志的R**相关项目中分别支持ESMT.MXIC.Winbond.GD这4个厂家的Nor Flash,具体型号不方便透露,其规格书参数如下: 厂家 写(ms) 4K擦除(ms) 32K擦除(ms) 64K擦除(ms) 全盘擦除(s) MXIC 0.33~1.2 25~120 140~650 250~650 26~60 Winbond 0.7~3 45~400 120~1600 150~200

背景 某个方案使用的是spinor作为存储介质,每次烧录新固件都耗时数分钟,为了提高效率,需要对其进行优化. 分析流程 基本流程 当前烧录流程,有一个可选步骤,全盘擦除,这个步骤耗时达数分钟.不过这是可选的. 接下来必经的步骤,就是从PC端接收数据写入flash了. 已有优化 目前倒是已经有一个优化,在收到数据需要写入时,会先读出flash中的数据跟这笔要写入的数据进行比较,如果数据相同就直接跳过,数据不同,才进行擦除和写入. 这个优化的依据是,相对于一次擦除和写入的耗时来说,读出和比较的耗时很

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

1. SPI总线简介 SPI全称串行外设接口,是一种高速,全双工,同步的外设总线:它工作在主从方式,常规需要至少4根线才能够正常工作.SPI作为基本的外设接口,在FLASH,EPPROM和一些数字通讯中,具有广泛的应用.SPI总线由四个接口构成: CS  :片选端,由主设备控制 MISO:主设备输入,从设备输出 MOSI:主设备输出,从设备输入 SCK :时钟信号 其中SCK仅能由主设备提供,且接收和发送和同时产生的,因此在主设备接收数据时也要先发送数据从而为从设备提供时钟:根据SPI时钟信号配

今天顺便研究了一下msp430的flash操作,很多人也许看了我的博客,会发现网站上有很多的人总结得比我要好,这点我承认,因为自己能力有限,但是,从这篇博客起,我会参照以前大神们写的博客,添加大神们写过的博客链接,分享给大家,注明:本人从不抄袭他人博客,博客只是个人技术的一个总结~~~,下面进入今天的正题 msp430F149有60k的flash,这个对于51来说,是相当的惊人的了,在涉及到flash的操作的时候,往往涉及到三个寄存器,FCTL1,FCTL2,FCTL3.突然间发现msp430的

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

1.2.1. 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电

(1)流水灯   1>我们来看原理图                                2>datasheet                             3>leds.c             #define GPFCON  (*(volatile unsigned long *)0x56000050)  //address      #define GPFDAT  (*(volatile unsigned long *)0x56000054)      #d

ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片:在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM芯片中.ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改.如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份.ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合. PROM(Programmable ROM,可编程ROM)芯片:由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了P

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

学习目标: 1.了解nor flash存储芯片的概念和特性 2.掌握使用s3c2440芯片对外挂的nor flash进行读写擦除操作 1.NOR Flash的简单介绍 NOR Flash最早是由Intel公司于1988年开发出的,是现在市场上两种主要的非易失性存储器之一,它的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Progr

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册>.<STM32F76xxx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议介绍>文档的内容学习. 关于FLASH存储器,请参考“常用存储器介绍”章节,实验中FLASH芯片的具体参数,请参考其规格书<W25Q128>来了解. 24.1  QSPI协议简介 QSPI是Queued SP

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可