http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b37304d0100fg10.html

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存

SAS/SATA/SSD/IDE硬盘介绍区别 SAS(Serial Attached SCSI)即串行连接SCSI,是新一代的SCSI技术,和现在流行的Serial ATA(SATA)硬盘相同,都是采用串行技术以获得更高的传输速度,并通过缩短连结线改善内部空间等.SAS是并行SCSI接口之后开发出的全新接口.此接口的设计是为了改善存储系统的效能.可用性和扩充性,并且提供与SATA硬盘的兼容性.SAS的接口技术可以向下兼容SATA.具体来说,二者的兼容性主要体现在物理层和协议层的兼容.在物理层,S

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

更换EMC VNX系列存储故障硬盘的检查步骤 VNX1代(VNX5300,VNX5500,VNX5700,VNX7500和VNX2代(VNX5400,5600,5800和VNX7600,8000)有区别 VNX2相比较VNX1有一些硬件与软件上的区别,比如两者的热备盘机制就有很大的不同. 在VNX1中,热备盘是暂时性的,即当新的磁盘被更换上去后,热备盘会将数据拷回新磁盘(Equalization),原始的Raid Group结构不会发生变化. VNX2引入了永久热备盘的概念,即省略了Equali

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

第一点:CPU 是处理器,内存和硬盘是存储器,受CPU 的控制.  第二点:由于内存的速度很快,在电脑运行的过程中,CPU通常只与内存交换数据,但内存断电数据就会全部丢失,因此电脑使用硬盘作为主要的存储器,文件数据都保存在硬盘中,当系统调用它的时候,才会把它读到内存中供CPU处理.系统关机的过程,实际上就是把内存中有用的数据存储在硬盘当中.(即内存中的信息会随掉电而丢失,硬盘中的信息可以长久保存).  举个例子: 硬盘用来存储我们的程序和数据,当我们运行程序的时候,CPU首先接受到我们的命令,之

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息

http://bbs.21ic.com/icview-202550-1-1.html 一.内存 我们一般说的内存指的是DRAM,其主要特点是断电会丢失数据,可读写 二.ROM 断电不会丢失数据,数据只读,擦除困难 三.flash(闪存) 断电不会丢数据,数据可读写 NOR FLASH可以直接运行代码

Q1:用IAR Embedded Workbench for MSP430 通过JTAG往MSP430上写程序.为了知道片内程序的版本,必须读出Flash 中内容.什么工具软件可以通过JTAG口实现这个功能?A1:熔丝未烧断的话,做个空程序的项目,然后在C-SPY选项里选择保留未改变的区域,DEBUG后看MEMORY里的内容!熔丝烧断的话只能用编程器或BSL,如果加密了,只能通过BSL来读了,不过你要知道中断向量表的32个字节的内容,即密码. Q2:MSP430F449中我想把一个整形的数A存入

EEPROM,虽然也叫“非易失性数据存储器”,但它不能直接参与ALU运算,只是用于掉电不丢失的数据存储. EEPROM和片内RAM 类似,也属于数据存储器,它的特点是数据掉电可保持,而程序存储器一般指ROM,用于存储用户程序代码. EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器.EEPROM应属于数据存储器,但是它制造工艺和FLASH更近似. FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数

DVR Digital Video Recorder 数字硬盘录像机   NVR  Network Video Recorder  网络硬盘录像机 DVR(数字硬盘录像机)和NVR(网络硬盘录像机)在功能上大体相同,主要功能是储存和录像, 另外有些蛋疼的厂商也会添加一些分屏.多画面.控制前端设备等等功能.然而DVR和NVR的区别嘛, 简单的来说DVR是半数字半模拟的录像机,之所以说是半模拟就是因为它的输入信号和主要输出信号都是模拟的, 办数字是指存储方式和网络输出方式都是数字的: 而NVR比DV

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

虽然MySQL里的存储引擎不只是MyISAM与InnoDB这两个,但常用的就是它俩了.可能有站长并未注意过MySQL的存储引擎,其实存储引擎也是数据库设计里的一大重要点,那么博客系统应该使用哪种存储引擎呢?下面我们分别来看两种存储引擎的区别. MySQL存储引擎MyISAM与InnoDB的区别 一.InnoDB支持事务,MyISAM不支持,这一点是非常之重要.事务是一种高级的处理方式,如在一些列增删改中只要哪个出错还可以回滚还原,而MyISAM就不可以了. 二.MyISAM适合查询以及插入为主的

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

1.1 SST25VF080B简介 1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. 容量:8MBit: 最高SPI时钟频率:50MHz: 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对串行数据的解码

[故障描述]某法院的一台HP-P4500的存储系统,底层是12块1TB的硬盘组的RAID.其中每6个1TB的盘一组,第一组的前面一部分组了一个RAID0+1,是存放HP-P4500嵌入式系统,接着组了一个RAID5存放数据,第二组组了一个RAID5.在存储系统上层一共分了两个卷,卷大小一个为3TB,一个为5TB.后来因磁盘故障导致存储不可用,客户先请HP的工程做更换磁盘,强制上线,但存储还是不可用.最后才联系我们做数据恢复. [硬件检测]我们的硬件工程师先对客户的12块硬盘做了硬件检测,发现客户

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文