基于GPU的图像处理平台 1.  (309)英伟达推Jetson TX1 GPU模块力推人工智能 1.1 产品概述 Jetson TX1 GPU模块,主要针对近年来蓬勃发展的人工智能市场,包括无人机.机器人等设备. 1.2 处理板技术指标 1． Jetson TX1 GPU模块包括一颗浮点运算达到teraflop级的 2.  基于Maxwell架构的256核心GPU,64位ARM A57芯片组 3.  4GB LPDDR4 RAM内存(每秒带宽速度达25.6GB) 4.  5GB本地存储模块.8

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

_____________________________________ 深入交流QQ群: A: 204255896(1000人超级群,可加入) B: 165201798(500人超级群,满员) C: 215053598(200人高级群,满员) D: 215054675(200人高级群,满员) E: 215055211(200人高级群,满员) F: 78538605 (500人高级群,满员) G:158560047(500人高级群,满员) H:103661446(可加入...) YY 群:71

Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl

由于altera公司的epcsxxx芯片比较贵,所以一般用其它公司的spi flash芯片代替也可以.据AlteraFAE描述:“EPCS器件也是选用某家公司的SPIFlash,只是中间经过Altera公司的严格测试,所以稳定性及耐用性都超过通用的SPIFlash” 如ST 的M25P10-A, M25P40, M25P16 和 M25P64正好可以替代Altera 的EPCS1, EPCS4, EPCS16 和 EPCS64

引言 经过前面的分析和介绍,我们对ORPSoC的启动过程(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/8855743)和 ORpSoC的debug子系统(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/9045837)有了初步的了解, 但是对于启动和debug前的工作还没有仔细分析过.比如FPGA是怎么config的,orpmon是怎么load的,是如何事先烧到外部的flash里的,等等. 本小节就试

1.SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种: 2.NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash: 3.SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种): 4.SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢. SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口.

大体上可分为以下几个部分: 1.注册设备驱动 spi_register_driver 2.分配 mtd_info 结构体 3.配置 mtd_info 结构体 4.注册 mtd_info 结构体 构建 spi_driver 并注册 static struct spi_driver spi_flash_drv = { .driver = { .name = "spi_flash", .owner = THIS_MODULE, }, .probe = spi_flash_probe, .re

读取厂家\设备 ID 发送 90H 指令,再发送 00h 的地址,然后接收即可. 代码如下: void SPIFlashReadID(int *pMID, int *pDID) { SPIFlash_Set_CS(0); /* 选中SPI FLASH */ SPISendByte(0x90); SPIFlashSendAddr(0); *pMID = SPIRecvByte(); *pDID = SPIRecvByte(); SPIFlash_Set_CS(1); } 两个状态寄存器 通过状态寄

前言 大多数玩单片机的人都知道Jlink可以烧写Hex文件,作为ARM仿真调试器,但是知道能烧写SPI Flash的人应该不多,本篇文章将介绍如何使用JLink来烧写或者读取SPI Flash存储器,JLink软件包含的工具中,有一个是JFlashSPI工具,这就是一个烧写和读取SPI存储器的工具了. 准备 要烧写程序或读取程序的的Flash芯片:SPI协议的Flash都可以,如W25Q128. JFlashSPI软件工具:在Jlink系列软件的安装目录下 JLink V9仿真器 要烧写的文件:

SPI Flash Memory 芯片手册阅读 信息来源

如果从头开始做SPI Flash固化是有一些麻烦的,要在完成综合之后,打开 synthesized Design (图) (图) 然后在synthesized Design打开状态下,选择Tools->Edit Device Properties编辑器件属性 (图) 我们这个FPGA有16MFlash,是Master SPIx1,大家有兴趣可以看一下Xilinx官网配置,你在此处修改都会保存在已经激活的xdc文件 (图) (图) (图) Finish就可以了,把synthesis去掉 (图) 我

转自:https://e2echina.ti.com/question_answer/dsp_arm/sitara_arm/f/25/t/124834 最近和人一起调试SPI FLASH的配置问题,做个小结记录,也方便后续人员开发的时候来使用.考虑到物料的多元性,目前的需求是使用不同品牌的SPI flash,是否都可以通过相同的image来启动.答案是可以的,但是需要在原始的SDK中加以改动. 在AM335x的Linux UBOOT的配置流程中,主要涉及到了两点:一是关于SPI的pinmux定义

背景: MCU:STM32F207 SPI flash: Winbond W25Q16BV OS: RTT V1.1.1 bsp: STM32F20x 1 将spi_core.c,spi_dev.c及spi.h三个文件加入工程 spi_core.c,spi_dev.c这两个文件位于RTT\components\drivers\spi目录下,而spi.h头文件位于RTT\\components\drivers\include\drivers目录下. 可在MKD工程的Drivers组下将上面两个源文

1. 目前最大的疑问是OMAPL138和DSP6748的DSP部分是完全一样的吗(虽然知道芯片完全是引脚兼容的)?因此现在使用OMAPL138的DSP内核去读写一下外部的SPI FLASH芯片,先看下原理图,可惜创龙核心板的原理图不开源,所以我肯定不买他们家的板子 2. 尤其是startware这个软件库,究竟是用在ARM还是DSP的怎么区分?看资料ARM似乎可以唤醒DSP核? 3. 心血来潮,测试一下,同一个工程是不是可以同时用在ARM和DSP内核上,只是用不用的GEL文件.经过测试发现,如果

http://forums.xilinx.com/t5/General-Technical-Discussion/Configuring-spartan-6-using-mcu-and-spi-flash/td-p/88658 I'm currently using spartan 6 in my design and I was wondering if I could configure it using MCU to download fpga design file into the s

spi flash W25Q128会偶尔出现写入错误的情况,会发现读出的值和写入的值不一致,需加入2次读出比较判断. W25QXX_Read(&temp_date_count,0x000000,1); //W25QXX_Write((u8*)&temp_date,0x400000,135); //W25QXX_Read((u8*)&temp_data_test,0x400000,135); W25QXX_Write((u8*)&temp_date,(temp_date_co

W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万

openwrt spi flash 分区适配过程 这里基于 openwrt mt7620a 平台来跟踪,主要是想理清 dts 里的分区描述是如何一步步转化成内核分区行为. 先来看看 dts 中关于分区的描述: palmbus@10000000 { spi@b00 { status = "okay"; m25p80@0 { #address-cells = <1>; #size-cells = <1>; compatible = "w25q128&quo

W25Q16V 是华邦出的一颗 spi flash. 25系列是比较通用的一个系列. 后面的数字 16 跟容量有关, 16 表示 16Mbits, 相当于 2MB. 与此类似的还有 W25Q128V 等, 128 就表示容量 16MB. 对于 W25Q16V: page 为最大的编程单位. 1 page = 256 bytes sector 为最小的擦除单位, 1sector = 16 pages = 4096 bytes (4KB) 块擦除有两种大小: 32K block = 8 secotr