K2P刷机指南说明 K2P MTK版发布之初用的是22.5.7.85, 这个版本官改和高恪K2P固件都可以从斐讯固件基础上直接升级, 是所谓直刷.但好景不长, 之后的版本比如22.5.17.33就改了加密方式, 无法方便的直刷, 此时可进入斐讯出厂自带的bootloader(其作用类似于breed)刷入官改, 从而间接刷入breed.但等到斐讯的出厂固件22.7.8.2开始, 这个方法也不奏效了.此时可以通过telnet破解工具,开启telnet后再间接刷入breed.刷入高恪的方法万变不离其宗

当我们是一家人View  多于UIImageView,和UIImageView表明一个更大的HD,可能存在的存储器的警告的问题.假设第一次走进这个view,无记忆出现预警.当重新进入view,在那曾经的记忆不及时释放的假设.这是蓄积的经时,它可以导致内存破坏. 1,UIImage 载入图片的方式. 假设是本地图片,尽量不要使用 [UIImage  imageNamed:nil]; 这样的方式,假设使用这样的方式载入.仅仅要程序不退出,它便一直会在内存中. 我们能够使用 :   NSString

一直以来,大家对手机的配置方面都比较关注CPU和GPU的架构.频率.核心数等,却经常忽略了手机闪存的速度.实际上手机的闪存素质对手机日常操作的响应.载入速度同样起到举足轻重的影响,今天给大家介绍的则是一款可以测试手机闪存速度的应用——A1 SD Bench. A1 SD Bench是一款可以测试手机内置闪存.外置TF卡.外置储存设备.RAM速度的应用,在Google Play上即可搜索到,考虑到最近“网络环境”比较封闭,我们这里也提供下载链接:猛击这里(如假包换Google Play下载的最新2

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的

在嵌入式系统中,NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品.虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案,但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一. 未来闪存产品具有快速发展的趋势,可以发现,闪存产品从低密度.低性能.低功能的发展特点转变为高密度.高性能.高功能的发展特点.Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子.医疗设备.通讯设备.机顶盒等. SPI Flash特性 SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪

与前两代Momentus XT产品不同,希捷称第三代混合硬盘所使用的技术更接近真正的SSHD(Solid State Hybrid Disk?),而不是HHD.也就是说更偏向于固态硬盘.首先它不会属于Momentus XT系列,至少不会是Momentus品牌.希捷似乎有意将其宣传为笔记本电脑SSHD.台式机SSHD或是笔记本轻薄SSHD,这就让人听得一头雾水.至于为什么希捷要放弃原有的Momentus XT之名,公司并没有给出任何关于这方面的解答. 那么,为什么希捷选择了8GB作为标准的闪存容量

和UFS闪存相比,eMMC的性能更弱,同一型号的手机混用这两种规格的闪存,让一些消费者感到了不满.对此,厂商称通过优化,eMMC的产品也可以获得优秀的体验.这个优化到底是怎么回事?根据以往的一些宣传,可以推断出是由于储存器使用了更先进的文件系统——F2FS. 对于储存器的文件系统,很多朋友或许并不太关注.但在使用上,不可避免地会感受到不同文件系统之间的区别——最直观的,莫过于兼容问题,例如NTFS文件系统的硬盘插到Mac电脑中无法写入,WinXP无法辨别exFAT文件系统等等.为什么储存器会选择

本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

用android的终端模拟器,进入以后进入界面,输入命令ls /proc/fs/*,可以查看是否ufs还是emmc硬盘:用devcheck可以查看到手机的内存是否是DDR3还是DDR4:用androbench可以检测手机的硬盘4K随机写的速度是多少. 如果说emmc4.5是5400转机械硬盘,emmc5.0是7200转机械硬盘,那ufs2.0就是ssd 于是在华为论坛上,大家通过安卓平台的开发工具,证实华为 P10 的存储芯片有 eMMC5.1.UFS 2.0 和 UFS 2.1三种版本,甚至内

Hardy 架构师技术联盟 All Flash/SSD存储的趋势势不可挡,未来在NAS服务上也是如此,眼下已经有非常多家初创厂商支持全SSD的NAS存储服务,包含EMC Isilion也推出了全闪存节点. 闪存场景下的高IOPS能力,相应到NAS应该是OPS操作能力.如随机小文件读写.分析和热点加速等.在NAS对数据库的支持上.比如GPFS NAS 对PureScale.Oracle支持上.假设存储介质採用SSD.那么对数据库性能和处理能力上,将会有显著的提升. 今天我们来看看Purestora

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)     NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR

来自 http://www.ssdfans.com/?p=1778 闪存存在几个问题,影响着数据可靠性: 1.擦除次数,闪存擦除次数增多,会使隔离栅极的电化学键变弱. 2.data retention问题,随着时间的流逝,存储在闪存中的数据会消失,原因是浮栅极里面的电子跑出来了.电子跑出来的速度是跟擦除次数成正比的,也就是,闪存擦写次数越多,电子跑得越快,也就是数据消失得越快. 3.program disturb和read disturb,顾名思义,就是读写闪存的时候,会影响数据. 还是这张图,

来自 http://www.ssdfans.com/?p=1814 SSD之所以需要BCH或LDPC等ECC纠错算法,是因为闪存中的数据会在神不知鬼不觉的情况下发生比特翻转. 导致比特翻转的原因很多,比如之前提到的data retention 问题, PE问题,read disturb问题,还有其他一些问题.Program Disturb也是其中原因之一,今天就介绍一下什么是Program Disturb,它是如何导致数据出错的. 要对闪存Block进行擦除操作,擦除是把浮栅极里面的电子赶出来.

因为各级存储硬件的参数和性能不同所以在计算机硬件当中分为以下几种: 由此可见顶级空间小但处理速度最快,下层容量大但处理速度时间较长. 存储器系统采用分层结构,顶层的存储器速度较高,容量较小,与底层的存储器相比每位的成本较高,其差别往往是十亿数量级的. 寄存器:即L1缓存,与cpu同材质构成,所以数据读写无延迟.典型容量是:在32位cpu中为32*32,在64位cpu中为64*64,在两种情况下容量均<1KB. 高速缓存:即L2缓存,二级缓存就是一级缓存的缓冲器:一级缓存制造成本很高因此它的容量有

转自:http://qiaodahai.com/solid-state-drives-ssd-and-flash-memory.html 固态硬盘SSD(Solid State Drive)泛指使用NAND Flash组成的固态硬盘,其特别之处在于没有机械结构,利用传统的NAND Flash特性,以区块写入和抹除的方式作读写的功能,因此在读写的效率上,非常依赖读写技术上的设计,与目前的传统硬盘相较,具有低耗电.耐震.稳定性高.耐低温等优点. 世界上第一款固态硬盘出现于1989年,不过由于其价格过

Repost: https://www.leiphone.com/news/201508/bbCUJqS2M3glCY3m.html 编者按: 今年的IDF上,Intel 再次强调了3DxPoint闪存技术,准备在中国投入35亿美金.而在IDF前夕,北京-Intel公司就曾宣布,将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术引入中国,并在大连工厂制造.本文是去年Intel 对外宣布引入3DxPoint闪存技术时雷锋网(公众号:雷锋网)对此作出的技术解读,从技术角度,或许你会更加理解,Intel在中国重

Repost: https://news.mydrivers.com/1/477/477251.htm 上个月底武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地正式动工,在大基金的支持下该项目将投资240亿美元建设国内最大.最先进的存储器芯片基地.如此巨额的投资使得该项目争议不小,不过更应该注意的是国内公司这次进军存储芯片的起点不低,新建的12寸晶圆厂投产后直接生产3D NAND闪存,这可是当前闪存市场的大热门,来势凶猛.那么3D NAND闪存市场现在到底是个什么样呢? 3D NAND闪存是个啥?让国内如

从USB闪存驱动器启动 Hiren的BootCD 原文  http://www.hirensbootcd.org/usb-booting/ 本文基本上是翻译而来 要从USB闪存驱动器启动Hiren的BootCD,首先,您的BIOS设置应该配置为了更改您的计算机的引导顺序到USB驱动器. 如果您在BIOS中更改引导顺序有问题,请参阅在BIOS文档中更改引导顺序. 请注意,某些计算机可能不支持从USB驱动器启动,以下步骤仅适用于Hiren的BootCD 9.7或更高版本. 步骤1:格式化 USB闪存

腾讯科技讯 据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%.随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因. 三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山.它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元.相对而言,英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元,较2016年增长了25%.事实上,三星的预算约为2017年三家大公司英特尔.台积电和SK海力士的资本支出预算的总和. 三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉

IBM发布全新闪存解决方案,助企业存储架构做减法 http://stor-age.zhiding.cn/stor-age/2020/0227/3124851.shtml 感觉 配图弄错了 FlashSystem9200R 应该是机柜吧   IBM近日推出了一系列全新的闪存解决方案,旨在全方位满足企业在存储方面的需求,其中涵盖可扩展到混合多云存储部署的入门级和中高端系统. IBM近日推出了一系列全新的闪存解决方案,旨在全方位满足企业在存储方面的需求,其中涵盖可扩展到混合多云存储部署的入门级和中高端