1.前言 k64 datasheet描述了Freescale MCU的特性.架构和编程模型,主要是面向使用MCU的系统架构和软件应用开发人员. 2.模块划分 datasheet主要按功能对模块进行划分,包括如下模块: 模块名称 模块说明 ARM® Cortex®-M4 core ARM Cotex M4 32-bit MCU core,加上DSP指令和基于ARMV7架构的单精度浮点单元 System 系统集成模块? 电源管理和多模式控制 唤醒单元 杂项控制模块 Crossbar switch ?

第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

1.基本简介 TMS570LS3137内部Flash分为三个 Bank,主Flash 数据存储区3MB,是Bank1和Bank2.还有一个Bank7是作为内部Flash模拟EEPROM使用.内部存储器如下图所示: FEE功能只是用于Bank7,需要使用这块存储器就需要相应的函数实现数据的读取.写入和擦除.Ti为我们准备了F021FLASH-library实现了程序代码和系统存储器之间的桥梁.因此我们只需要调用F021FLASH-library的接口代码即可实现对存储器的读写操作.这可比翻手册写代

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

012_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理lib库建立 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       紧接011,下面进行lib可的移植 2.       需

011_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       功能: 1.       使用STM32内部falsh进行开机次数记

说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据. FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里. 信息块又分成两部分:系统存储器.选项字节. 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行.这个

W25Q16V 是华邦出的一颗 spi flash. 25系列是比较通用的一个系列. 后面的数字 16 跟容量有关, 16 表示 16Mbits, 相当于 2MB. 与此类似的还有 W25Q128V 等, 128 就表示容量 16MB. 对于 W25Q16V: page 为最大的编程单位. 1 page = 256 bytes sector 为最小的擦除单位, 1sector = 16 pages = 4096 bytes (4KB) 块擦除有两种大小: 32K block = 8 secotr

debug中遇到的问题: 1,写入数据,读出来不对 2,看之前被人写的代码发现,读flash直接用的标准C库函数:memcpy,但是,写用的专门的flash写接口.所以,我这里两个疑问: A,写flash的时候,为什么没有用memcpy,可不可以用? B,用const 修饰的全局变量是存储在ROM空间的(也就是内置flash上),没有用const修饰的全局变量 和 局部变量是存储在RAM空间上的. 比如 有个全局const 变量 A,全局变量 B,那么,memcpy(B,A)为什么就能正确执行,

今天在看片内flash的操作,发现按照下面的操作并没有写成功: unsigned long temp = 0x12345678; HAL_FLASH_Unlock(); FLASH_PageErase(APPLICATION_B_ADDRESS) status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,APPLICATION_B_ADDRESS,temp); HAL_FLASH_Lock(); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_P

磁盘操作是块设备的必备操作,需要认真掌握. 一.硬盘 1.硬盘文件 默认串口硬盘的设备文件为sda(第一块硬盘).sdb(第二块硬盘).... 默认并口硬盘的设备文件为hda(第一块硬盘).hdb(第二块硬盘).... 2.物理分区和逻辑分区 每块硬盘最多有四个主分区(包括真正的分区和扩展分区),编号1~4: 从5开始为逻辑分区: 每个分区能分配独立的文件系统 如下图,主分区容量=sda1+sda2(扩展分区): 扩展分区容量=逻辑分区总容量=sda5,当然本例只有一个逻辑分区,还可以有sda6