最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管,因为不是中文那么直接,都说管压降之类的,但其实它的导通很重要以及区别,关系到你点亮电子元件> 参考: 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.https://blog.csdn.net/phenixyf/article/details/45741959 NM

最近在分析波形的时候,发现某个PAD模型的行为与想象的不一致,就进入stdcell里面看了下,主要是pmos和nmos相关的东西,暂列如下: 开关级基元14种 是实际的MOS关的抽象表示,分电阻型(前缀r表示)和非电阻型: (1)MOS开关 ·nmos开关:控制信号高,开关导通,否则关闭: ·pmos开关:控制信号低,开关导通,否则关闭: ·cmos开关:模拟了nmos和pmos开关的组合,一般ncontrol和pcontrol是互补信号:coms 实例名(out,data,ncontrol,p

一.MOSFET 简介: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor).MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMO

嵌入式开发—C语言面试题 源地址:http://blog.csdn.net/xdx2ct1314/article/details/7358929   1. 用预处理指令#define 声明一个常数,用以表明1年中有多少秒(忽略闰年问题) #define SECONDS_PER_YEAR (60 * 60 * 24 * 365)UL 我在这想看到几件事情: 1). #define 语法的基本知识(例如:不能以分号结束,括号的使用,等等) 2). 懂得预处理器将为你计算常数表达式的值,因此,直接写出

现在常用的SPICE仿真软件为方便用户使用都提供了较好的用户界面,在用仿真库中的元器件连成原理图后就可以进行仿真(当然要设置必要的仿真参数),但实际上只是用原理图自动产生了SPICE的格式语句,还是要通过读取语句来进行仿真,这是历史的遗留问题.在当时的技术条件下,不能用图形方式输入电路结构,只能通过文本文件来描述,也就是所谓网表.SPICE软件的设计者规范了要进行仿真的电路对应的SPICE网表文件格式,还定义了许多仿真描述语句和分析控制语句等,使仿真软件能通过读取这些特殊信息来进行相关计算和运行

Verilog中已有一些建立好的逻辑门和开关的模型.在所涉及的模块中,可通过实例引用这些门与开关模型,从而对模块进行结构化的描述. 逻辑门: and (output,input,...) nand (output,input,...) or (output,input,...) nor (output,input,...) xor (output,input,...) xnor (output,input,...) 缓冲器和与非门 buf (output,...,input) not (outp

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE

IC從生產目的上可以分成為通用IC(如CPU,DRAM,接口芯片等)和ASIC(ApplicationSpecificIntegreted Circuit)兩種,ASIC是因應專門用途而生產的IC.              從結構可以分成數字IC,模擬IC,數模混合IC三種,而SOC(systemonchip)則成為發展的方向.從實現方式上講可以分為三種.基于晶體管級,所有器件和互連版圖都采用人工的稱為全定制(full-custom)設計,這種方法比較適合于大批量生產的,要求集成度高.速度快.

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

BiCMOS技术 编辑 本词条由“科普中国”百科科学词条编写与应用工作项目 审核 . 把双极型晶体管(BJT)和CMOS器件同时集成在同一块芯片上的新型的工艺技术,它集中了上述单.双极型器件的优点,两者“交叉”结合,取长补短,调和折衷,为发展我国高速.高性能的各种通信.信息处理和网络电路.通信用模拟/数字混合微电子电路和数字通信用超大规模集成电路(数字通信VLSI)开辟了一条崭新的道路.   中文名 BiCMOS技术 事    业 中国电信和移动通信事业 技    术 计算机网络技术 性    

CMOS集成电路的基本结构是以P型材料作为衬底(p-substrate),直接生成NMOS, 同时增加N肼(n-well),在其上制造PMOS. 增加两个bulk(P+,N+)防止非MOS管内的PN结反偏. NMOS一般放在Pull-down结构中,PMOS一般放在Pull-up结构中. NMOS与PMOS均采用增强型的类型,这样便于控制channel length. Bulk端和Gate,Source,Drain通过metal层引出. 在基本的invert中,NMOS的Drain与PMOS的S

Class-AB Amplifier 笔记 Reading Notes from Mikko Loikkanen “Design and Compensation of High Performance Class AB Amplifiers” Input stages 输入级 一般Class-AB放大器常有输入轨至轨的要求,关于rail-to-rail的输入级的实现: 1. N/PMOS 互补输入对 NMOS和PMOS互补输入是比较常见的rail-to-rail的实现方法,但他也有一些缺点,如

多谐振荡器是一种自激振荡电路,该电路在接通电源后无需外接触发信号就能产生一定频率和幅值的矩形脉冲波或方波.由于多谐振荡器在工作过程中不存在稳定状态,故又称为无稳态电路. 一.门电路组成的多谐振荡器 1. 电路组成及工作原理 由门电路组成的多谐振荡器的特点: ²        产生高.低电平的开关器件,如门电路.电压比较器.BJT等 ²        具有反馈网络,将输出电压恰当的反馈给开关器件使之改变输出状态 ²       有延迟环节,利用RC电路的充.放电特性可实现延时,以获得所需要的振荡频

http://blog.csdn.net/yazhouren/article/details/50810114 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍).然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要.但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对 IC 设计做介绍. 在 IC 生产流程中,IC 多由专业 IC 设计公司进行规划.设计,像是联发科.高通.Intel 等知名大

上一篇文章提到了FPGA中一个模块基本结构,这篇文章开始介绍语法. 首先,我们学习一门语言都要从这门语言的单词学起,所以verilog中的关键词都有哪些呢?看下面: A:always.assign B:begin. C:case(包含casex.casez) D:deassign.default.defparam(参数声明).disable(禁止) E:event(事件).edge.else.end.endcase.endfunction.endprimitive.endmodule.endsp

完整教程下载地址:http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第16章       STM32H7必备的HAL库API(重要) 本章教程为大家讲解制作一个STM32H7的例子所需的最基本API函数,对于一些常用的API函数,一定要熟练掌握这些函数都是实现了什么功能,不常用的函数有个了解即可,用到的时候再去学. 16.1 初学者重要提示 16.2 那些是必备的API 16.3 源文件stm32h7xx_hal.c 16.4 stm