MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE     TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH      SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置

可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成

摘自:https://blog.csdn.net/CPJ_phone/article/details/40979027                                                                                                                     2018-07-29         13:06:21 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子

PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体.在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电.掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子.如下图: PN结的形成 把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动.N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散.由

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,

电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项导电性

https://www.zhihu.com/question/60053574/answer/174137061 我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? https://blog.csdn.net/cyousui/article/details/78509792 PN结的形成原理

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本

<学渣的电子技术自学笔记>--二极管的工作频率与PN结结面积的关系 书本原文 :按结构分,二极管有点接触型.面接触型和平面型三类.点接触型二极管(一般为锗管)的PN结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用作数字电路中的开关元件.面接触型二极管(一般为硅管)的PN结结面积大(结电容大),故可通过较大电流,但其工作频率较低,一般用作整流.平面型二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管.   二极管 a)符号:b)点接触型:c)面接触型

一.HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使用的电路仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准.目前,一般书籍都采用Level 2的MOS Model进行计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9.EKV等Library不同,而以上Model要比Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利用Level 2的Model进行电路的估算以外,还一定要使用电路仿真软件

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如

一.HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使用的电路仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准.目前,一般书籍都采用Level 2的MOS Model进行计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9.EKV等Library不同,而以上Model要比Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利用Level 2的Model进行电路的估算以外,还一定要使用电路仿真软件

基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为.在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强了击穿能力.已有功率MOSFET的设计规则可与现有的20伏特4H-SIC的CMOS工艺技术兼容.额外植入的减小表面电场区域在深度大约为390纳米处为3.5×1012cm2.

一款CPU是如何设计出来的? 前面一段,我们了解了芯片的制造过程,也就是如何从沙子中提取硅.把硅切成片,在片上通过离子注入实现PN结.实现各种二极管.三极管.CMOS管.从而实现千万门级大规模集成电路的大致流程.接下来,我们继续了解一下,一款CPU是如何设计出来的.集成电路设计一般分为模拟IC设计.数字IC设计以及数模混合等.而数字IC设计,比如设计一款ARM Soc CPU芯片的基本流程如下: 1)设计芯片规格:根据需求,设计出基本的框架.功能.模块划分.有些复杂的芯片可能还需要建模.使用MA

LED灯珠散热的计算方法 来源: 时间:2014-09-23 13:55 [编辑:lufieliu] [字体:大 中 小] 我来说两句   一.热对LED的影响 1.LED是冷光源吗? (1)LED的发光原理是电子与空穴经过复合直接发出光子,过程中不需要热量.LED可以称为冷光源. (2)LED的发光需要电流驱动.输入LED的电能中,只有约15%有效复合转化为光,大部分(约85%)因无效复合而转化为热. (3)LED发光过程中会产生热量,LED并非不会发热的冷光源. 2.热对LED性能和结构的影

第45章     DCMI—OV2640摄像头 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 关于开发板配套的OV2640摄像头参数可查阅<ov2640datasheet>配套资

回到目录 1.   名称由来 BJT的全称是双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor),国内俗称三极管.其实,在英语中,三极管(triode)特指以前的真空电子管形式的三极管,而不是我们现在普遍使用的半导体三极管."tri-"的意思是"三","ode"的意思是"极",当年的电子管一般都封装在一个圆柱形的真空玻璃管中,所以中文翻译在后面加了个"管". 早在二战以前,电子技术和电

回到目录 和前面介绍二极管的PN结的工作原理一样,BJT的量子级工作机制也非常复杂,一般教科书上为了帮助学习者能快速理解,也都是用一种简化模型的方法来介绍BJT的工作机理,一般只需大致了解即可.只要记住关键的一点:BJT本质上是一种流控电流源(CCCS).它可以用一个较小的基极电流控制一个较大的集电极电流.与此类似的,晚几年发明的场效应管(FET)是一种压控电流源(VCCS),它用一个较小的电压来控制一个较大的电流. 1.   BJT的结构 BJT由三层掺杂半导体构成,下面是npn型和pnp型B