首先是2440的存储控制器: 暂时不管是从nand启动还是nor启动,因为我现在只关注内存,从上图可以看到由2440的Memory Controller可以寻址的范围是0x0000,0000---0x4000,0000,总共是1G,这1G又分为8个bank,bank0-bank7,每个bank为128M, 8*128M＝1G.其中bank0-bank5这6个bank是只能接SROM,那么什么是SROM,2440数据手册的221页说明了,SROM是ROM或者SRAM. 通用存储设备: 内存存储设备

出处:http://www.100ask.org/bbs/forum.php?mod=viewthread&tid=11544&fromuid=5490 最近看到坛子里很多初学者对于CPU与SDRAM的接线方式不明白,不懂为什么CPU的地址线要从ADDR2开始接并且是接到SDRAM的0地址线上.当初我也费了一定的时间才把它弄懂,说实话需要动一定的脑筋. 1,先弄清楚第一个概念,对于CPU来说: 一个地址用32位来表示:0x30000000.0x40000000; 但是这个地址代表的地址空间

今天在 写了个简单的 led 的汇编程序,下载到 mini2440 的 nand flash 里面可以正常运行,但是下载到 sdram 里面不能运行. 后来发现有几个注意点, 要在 sdram 中运行,链接脚本的地址不能像 nand 里面一样是0,必须是 sdram 里面的地址,比如说 0x30000000. 下载到 ram 中的地址必须和 链接脚本的地址一致. 0x30000000 这个地址不行,0x30008000 这个地址肯定没有问题,0x30000020 超过这个地址,也都可以运行,0x

按照韦东山的视频中 sdram的裸机代码,写了一份,通过 minitools 下载到 0x30000000,然后烧录到 nand中,接过不能正常运行. 尝试过多种方法后,只有一种解决方法,就是不要用 0x30000000这个地址. 可以把 makefile 中的地址改为0x30008000,minitools 中下载的地址也改为 0x30008000,这样就可以正常的运行了. 可能 0x30000000 前面的一些内存被使用了? 后来换了一个 TQ2440的开发板,不使用 minitools,而

关于dm9000的驱动移植分为两篇,第一篇在mini2440上实现,基于linux2.6.29,也成功在在6410上移植了一遍,和2440非常类似,第二篇在fs4412(Cortex A9)上实现,基于linux3.14.78,用设备树匹配,移植过程中调试和整体理解很重要,一路上幸有良师益友指点,下面详细介绍: 1.物理时序分析相关 DM9000芯片是DAVICOM公司生产的一款以太网处理芯片,提供一个通用的处理器接口.一个10/100M自适应的PHY芯片和4K双字的SRAM.内部框架如下,涉及

SDRAM 芯片讲解: 地址: 行地址 (A0-A12) 列地址 (A0-A8)    片选信号(BA0 BA1)(L-BANK)(因为SDRAM有 4片) 两片SDRAM 连线唯一区别在 UDQM LDQM DQM0 ---片1 LDQM DQM1----片1 UDQM DQM2----片2  LDQM DQM3---片2   UDQM ———————————————————————————————————————————————————————————— 1.读操作(见杨铸 121) 地址线

2.SDRAM内存工作原理 上面产生的误解关于 Bank ,这个bank 不是 和 S3C2440 芯片有关系(RAM 自身有bank , SDRAM 自身也有bank ,就像书 有 好几章节一样) 所以人们在 SDRAM内部分割成多个 L-Bank,目前基本都是 4个(这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量),由此可见,在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank,然后在这个选定的 L-Bank中选择相应的行与列进行寻址.因此对内存的访问,一次只能是一个 L-Bank工作.如图2-50 当

在看上面2440的内存映射的时候,对其中的有些名字,不是完全太懂,所以到网上找了相关的信息. 对于mini2440来说,SDRAM,即内存,程序运行时的地方.选择连接SDRAM的为bank6. 1)S3C2440 支持两种启动模式:一种是从 Nand Flash 启动:一种是从Nor Flash启动.在此两种启动模式下,各个片选的存储空间分配是不同的, 2)左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图,右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图,这里要注意,nGCS0片选

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)也就是通常所说的内存.内存的工作原理.控制时序.及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习.开发过程中的一个难点.我们从其硬件的角度来分析其原理,然后再引出SDRAM的驱动编写过程. 内存是代码的执行空间,以PC机为例,程序是以文件的形式保存在硬盘里面的,程序在运行之前先由操作系统装载入内存中,由于内存是RAM(随机访问存储器),可以通过地址去定位一个字节的数据,CPU在执行程序时将

汇编代码主要是初始化一些寄存器,关狗,初始化时钟,初始化存储管理器以便访问内存,然后将SoC上4k RAM数据拷贝至SDRAM,然后在SRAM里面运行,由于代码未正常跑起来,于是使用JLinkExe来调试.JLinkExe指定了一个命令文件: JLinkExe -commandfile ./cmd.jlink ,cmd.jlink文件内容如下: r loadbin /home/thomas/learn/armasm/addresses/main.bin 0x0 setbp 0x0 a s set

1.SDRAM单管存储单元 SDRAM单管电路图 C记忆单元 T控制门管 Z字线 W位线 注:图示为N沟道耗尽型MOS管 写入:Z加高电平,MOS导通,W状态决定了电容C的状态 读出:Z加高电平,MOS导通,可以从W状态得知C的状态 保持:Z加低电平,MOS关闭,电容保持原状态 注意:单管读出是破坏性读出,因为读出时电容充电或者放电了,所以读出后还要重写 2.      刷新与重写  ●  刷新是每隔一段时间,自动重写一次:重写是破坏性读出后立即还原 最大刷新间隔:所有的动态单元都被重新刷一遍的

SDRAM知识普及 在学习SDRAM之前,必须先了解"SDRAM"这个概念性的东西,并有感性的认识转变到一种理性的认识,所谓理性的认识就是实质性的东西…….不多说,相信你已经迫不急待了.那我们就开始了. 初识SDRAM SDRAM的全称是:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

用于arm裸机程序开发的IDE基本有 以下3个:MDK,IAR,还有ADS.具体它们的具体情况在这里我就不多说了,百度一下就明白了.由于之前开发c51,stm32时候都使用了MDK开发环境,而且MDK的界面确实看起来舒服多了,所以我选择了MDK作为我的s3c2440裸机开发的IDE.以下主要介绍一下如何使用MDK配合J-link来调试基于s3c2440的开发板. 首先,我们需要下载的有以下2样: MDK J-link 驱动 我的开发环境:windows 7 64位,J-linkv8,mini24

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

之前写了两篇关于Modelsim仿真的blog,其中模块管脚的命名可能让人觉得有些奇怪,其实不然,之前的两篇内容都是为了仿真SDRAM操作做铺垫的. 由于SDRAM的仿真过程相对比较复杂,也比较繁琐.故可能需要不止一篇blog来完成. 在开始仿真之前,如果对SDRAM原理以及时序不是很了解的朋友,推荐看一下如下这篇文章: SDRAM-高手进阶,终极内存技术指南——完整进阶版 OK,下面正式开始仿真的过程. 通过看内存技术指南,我们大概可以总结出SDRAM的工作过程: 上电后进入200us的输入稳

今天是我申请此博客的第一天,从现在开始养成每次学完新东西,都要写博客进行总结的习惯!!!Come on! 首先就从这两天学的uboot开始吧,这两天学这个东西郁闷死了,不知道该怎么去学,尤其是到nand那部分,根据mini2440之uboot移植详细手册进行改写uboot,越到后面越头疼,怎么办??今天下载了aiku的驱动视频感觉不错,等这两天把之前学的uboot总结一下,还是回归学习驱动吧.总之学这个东西,我现在觉得就是颠来倒去一点点深入地学习.不说废话了,开始吧: 一.简介 根据国嵌实验手册

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整

本篇博文非原创,是整理了网上的各家之言与一体,为自己以后方便查询所用.如有冒犯请告之. 1.Precharge与Refresh的区别? plj:两者都是对存储单元的电容进行充电.回写.但差异在于: Precharge是对(一个或所有Bank)的所有工作行(active row)操作,并且是随机的,被操作工作行的地址在各Bank中不一相同.   Refresh是对所有行依次操作,且是有固定周期的,被操作行在各Bank中均相同. 2.AutoRefresh与SelfRefresh的区别? plj:A

/*******************************************************************************/ chapter  one * SDRAM 3.3V DDR2 1.8V 电压越低充放电特性越快* RAS_N 行地址选通 CAS_N 列地址选通* DQM[1:0] 数据掩码 DQM[1] = 1代表 高八位输出高阻态 DQM[0] = 1 低八位输出高阻态* 读写顺序 1.active(打开行地址) 2.A0 ~ A12 (行地址)