http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

将原来导的包remove from build path,并复制到Web-root下的lib目录中,再add to build path,

1 问题描述 在1处显示成功,但是在2处却没有相应的包 2 问题原因 查看pom.xml的源码,看你的依赖是否和我的方框中标签是一样的,有的会多出一个  xxxupdate 的标签(我这里给出的是正确的形式) 还有其他原因,待更新... 3 解决办法 3.1 先将 pom.xml 的源码改成正确的形式,再刷新一下,观察Maven Dependencies是否出现相应的包:如果没有就重启eclipse再观察 3.2 如果3.1执行后还是不行 clean 一下 项目(project -->> cl

使用MindManager我们可以制作出很多简洁明了的思维导图,然而,不论是分享还是查看这些导图,我们往往需要对导图进行加密操作,尤其是制定公司或企业的下一步发展计划时,加密导图就显得很有必要了. MindManager为我们提供了思维导图的加密功能,使得我们可以在很大程度上保证导图的保密性.本次小编使用的软件版本是MindManager 21(win系统),下面就让小编来为大家介绍一下加密功能简单操作吧. 一.加密导图 在MindManager中加密思维导图时,我们通常需要设置两种密码,一种是

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

仔细查看报错原因就能知道,报错是因为包冲突的原因,可以每种只放一个jar包,就能过避免这种错误. 例如:只导入commons-codec-1.11-javadoc,jar和bcprov-jdk15on-160.jar

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输

mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs.Cgd.Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要.<ignore_js_op> 上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间.定义如下图:<ignore_js_op> 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管.<ignor

1.常用的几种电平转换方案 2.三极管的电平转换及驱动电路分析 3.三级管老怀 4.关于MOSFET管驱动电路总结 5.一个IIC的5V和3.3V电平转换的经典电路分享 6.mos 7.mos应用 8.MOS管基本原理 9.dj 10.代码 微信分享:   在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:1   没有器件下拉总线线路.“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V. MOS-FET 管的门极和源极都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET 管不导通.这就允许

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K

区别: 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0. 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通. 3.MOS管的温度特性要比三极管好. MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

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作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以