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MOS管开关电路栅极电阻一般多大
2024-11-05
三极管与MOS管主要参数差别及驱动电路基极(栅极)串联电阻选取原则
三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一
MOS管开关电路笔记
1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs
N沟道和P沟道MOS FET开关电路
在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用.下面举例进行说明. 如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是Li电池充放电电路,当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电,即+5V电源断开后Q1的G极为低电平,S极和D极导通,为系统供电.图中D2和D3的一方面是降压的作用,使5V降为4V(D2为锗管压降为0.2V,D3硅管压降为0.7V). 图2 工作原理同图1,也使用了内置续流二极管的P沟道COMS FET. 图3使用了内置续流二极管的N沟道的C
硬件工程师必会电路模块之MOS管应用
实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增
【转】学习MOS管技术知识,这篇文章就够了!
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3
场效应管种类-场效应管N、P沟道与增强、耗尽型工作原理等知识详解 如何选用晶体三极管与场效应管的技巧
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态
笔记本Charge与Vcore方案
一.笔记本Vcore方案 EC管理智能电池的方案名词简介 我所知道的EC====>Battery 立錡VCORE解決方案簡介 ATX Power Supply 涡轮加速升压(turbo-boost)充电器可为CPU涡轮加速模式提供支持 IMVP8/9:Intel Mobile Voltage Positionin VR12.5:就是指FIVR集成式调压模块(Haswell架构) PMIC:电源管理芯片(Power Management Integrated Circuits) 常见问题分析 1
PCB模块化布局系列之时钟电路设计(晶振、晶体)
一.晶体在一个电路系统中, 时钟是必不可少的一部分.如人的心脏的作用,如果电路系统的时钟出错了,系统就会发生紊乱,因此在PCB 中设计,一个好的时钟电路是非常必要的.我们常用的时钟电路有:晶体.晶振.分配器.有些IC 用的时钟可能是由主芯片产生的,但追根溯源, 还是由上述三者之一产生的. 1,引脚尽量与芯片距离近,防止受到其他信号干扰.当然也防止它干扰别的线路,因为它是信号源. 2,尽量选择铁壳晶振,其抗干扰能力强些. 3,晶振下面所有层不能走线,并铺GND铜皮. 4,晶振附近也不要有太近的数字
《JAVA语言程序设计》上课笔记
教学目标:1.使学生了解JAVA课程的性质.定位.作用:为什么要学习JAVA?让学生知道如何学好JAVA: 教学内容: 一. 问几个问题 1. 你们到这里来干什么的? 来学习JAVA程序设计 为什么要来学习JAVA呢? 找个好工作,拿到高薪水 2. 怎么样才能达到你们的目标呢? 有的同学说学好JAVA就可以了,但是如何才能学好呢? 学好JAVA的几个关键 1. 认认真真上课 2. 按时按
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够2
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接] lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16# 发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K
[每日电路图] 10、两种MOS管的典型开关电路
下图是两种MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端:第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端. @beautifulzzzz 智能硬件.物联网,热爱技术,关注产品 博客:http://blog.beautifulzzzz.com sina:http://weibo.com/beautifulzzzz?is_all=1
N沟道增强型MOS管双向低频开关电路
MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够1
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册 x . ?& P' U5 r/ ~& `: B 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊.这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开.这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达.马达直接接电源可以转,通过这个电路就不转,应该是电流不够吧.谢谢啦~ 分享到: QQ好友和群 QQ空间 腾讯微博 腾讯朋友 微信 收藏5 支持! 反对! 微信分享 回复 举报
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够3
16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b ^ 让我们这些菜鸟学习学习 回复 支持 反对 举报 EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32# 发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好. 回复
用理论告诉你 三极管和MOS管的区别在哪
在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电
模拟电路学习之NMOS开关电路1
[转] 高频 mos 选择需要考虑相关资料
节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020
MOS简单应用
高端功率开关驱动的原理非常简单,和低端功率开关驱动相对应,就是负载一端和开关管相连,另外一端直接接地.正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过高端的开关管,然后经过负载流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用于高
MOS管做开关之初理解
杰杰 物联网IoT开发 2017-10-12 大家好,我是杰杰. 今晚,设计电路搞了一晚上,终于从模电渣渣的我,把MOS管理解了那么一丢丢,如有写的不好的地方,请指出来.谢谢. 我带的师弟选的题目是 自动恒温控制的系统 ,打算用闭环的控制,对比继电器,MOS管更精确的控制一点.所以才用上MOS管. 在数字电路中使用三极管就可以做开关,但是一般是用于控制小信号.对于大电流,三极管发热会比较严重. mos管因为导通电子非常小,所以特别适合控制大电流的电路. 不会用mos
为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大,速度慢,价格高-透彻详解
原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立
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