三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

MOS管的栅极和源极之间的电阻: 一是为场效应管提供偏置电压:二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S: 保护栅极G-源极S: 场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极:这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用. 具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1.Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电

1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs

16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册 x . ?& P' U5 r/ ~& `: B 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊.这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开.这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达.马达直接接电源可以转,通过这个电路就不转,应该是电流不够吧.谢谢啦~     分享到:  QQ好友和群 QQ空间 腾讯微博 腾讯朋友 微信 收藏5 支持! 反对! 微信分享   回复 举报  

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

BD00C0AWxx  1.该产品是ROHM公司的一款高输入电压可达26.5V,输出电压可达15V,输出电流1A的LDO.具有较低的ESR Capacitor. 2.输入电压变化4-26.5V,输出3-15V,有两种封装形式,TO252-5贴片和TO220CP-V5插件式.BD00C0AWFP为TO252-5封装,BD00C0AWCP-V5             为TO220CP-V5封装. 3.  其1脚为CTL端,输出使能,高电平有效,最小为2V最大为26.5V.2脚为输入电压Vcc,3和

一.LED汽车前大灯遇到问题.分析和解决 问题1: 当电源电压增大时,LED等闪烁,而且电源电压增大的越多闪烁的频率越低. 原因分析: 电源电压从12V升高到24V过程中,开关MOS管的Vds增大,Qg增大,Ichange增大.也就是说MG20U201的GATE输出电流过大,超过其内部电源所能提供的最大电流0.7mA. 由于驱动MOS管消耗掉MG20U201内部电源过多的电流,导致它工作一段时间(几十ms)电源电压就下降到极限值--正常工作的最小电压,MG201201开始断电停止工作,MOS管也

一.DRAM的存储元电路 常见的DRAM存储元电路有四管式和单管式两种,它们的共同特点是靠电容存储电荷的原理来存储信息.电容上存有足够多的电荷表示“1”,电容上无电荷表示“0”. 由于电容存储的电荷会逐渐泄漏,即使电源不掉电,信息也会很快消失,应用中需要定时恢复存储的电荷.与SRAM相比,DRAM具有集成度高,功耗低等特点,目前被广泛应用于各类计算机中. 四管DRAM存储元 二. 刷新操作:由于存储的信息电荷终究是有泄漏的,时间久了,信息就会丢失.为此,必须设法由外界按一定规律不断给栅极进行充电

一个处理器达到 200 DMIPS的性能,这是个什么概念? DMIPS全称叫Dhrystone MIPS 这项测试是用来计算同一秒内系统的处理能力,它的单位以百万来计算,也就是(MIPS) 上面的意思也就是,这个处理器测整数计算能力为(200*100万)条指令/秒. MIPSMillion Instructions Per Second的缩写,每秒处理的百万级的机器语言指令数.这是衡量CPU速度的一个指标.像是一个Intel 80386 电脑可以每秒处理3百万到5百万机器语言指令,既我们可以说8

!干货! 为设计指定输入驱动强度 set_driving_cell set_drive set_input_transition 本文转自:自己的微信公众号<集成电路设计及EDA教程> 里面主要讲解数字IC前端.后端.DFT.低功耗设计以及验证等相关知识,并且讲解了其中用到的各种EDA工具的教程. 考虑到微信公众平台上面发布的很多推文百度搜索不到,所以以后的推文也会在这里进行转载. 推文主要内容: 为设计指定输入端口驱动强度: set_driving_cell命令: set_drive命令:

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

目录 1 树莓派 PICO 简介 1.1 简介 1.2 配置 [^2] 1.3 引脚图 1.4 尺寸 2 安装 2.1 烧录固件 2.2 安装IDE(Thonny IDE) 2.3 离线运行程序 3 基础 3.01 点亮板载LED灯 3.02 板载LED闪烁 3.03 LED流水灯 3.04 按键实验 3.05 外部中断(改进3.04 按键实验) 3.06 定时器中断(改进3.02 板载LED闪烁) 3.07 PWM 脉冲宽度调制(实现板载LED呼吸灯) 3.08 I2C总线(使用SSD1306

电压规格:VDSS.VDS.BVDSS.V(BR)DSS VDSS中的"V"表示电压,前面的"D"."S"表示"Drain"(漏极)与"Source"(源极),最后一个"s"表示"Short"(短路).VDSS的具体含义是"Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted",中文

1.当Vds电压增大,Ciss增大,栅极充放电电流也会增大 2.MOS管的功率损耗要控制在额定功耗以下 3.在Buck电路中,开关MOS管的Vds在MOS管关断时会非常大

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020