电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发

ESD和浪涌问题往往是基带工程师最头疼的问题,因为测试标准严苛,问题神出鬼没.特别是ESD问题,没有解决问题的标准路径,只能靠反复地构思方案并验证.想要尽量避免以上问题,就必须选择合适的防护器件,设计上做足防护措施.本文告诉你ESD和浪涌的测试标准,测试方法,以及如何选择TVS器件. 1 TVS管测试标准 这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文简称ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文简称浪涌管).这里说的测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准:IEC61000-4-2 L

1.         Ultimate Thread Group 右键测试计划-添加-Theads(Users)-Ultimate Thread Group,如下图1所示 图1 图2 参数说明,如下图所示: 四条记录: 第一条,2个线程,1秒内启动,持续运行1秒,然后停止1秒. 第二条,2个线程,等待1秒之后,1秒内启动,运行1秒,停止1秒. 第三条,2个线程,等待2秒之后,1秒内启动,运行1秒,停止1秒. Start Thread Count:开始线程数量 Initial Ddlay,Sec:

DL/T645转ModbusTcp协议转换器 MRD-5021具有1 路RS485及1路以太网接口,最多支持同时采集5个DL/T645-1997或者5个2007协议国标电表设备,支持DL/T645协议的自适应,然后将所需要的采集数据转换为Modbus Tcp协议.方便和PLC.DCS.组态等工业相关设备对接. 说明书:http://files.cnblogs.com/mored/DLT645-ModbusTcp%E4%BA%A7%E5%93%81MRD-5021%E8%AF%B4%E6%98%8

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到

1.当Vds电压增大,Ciss增大,栅极充放电电流也会增大 2.MOS管的功率损耗要控制在额定功耗以下 3.在Buck电路中,开关MOS管的Vds在MOS管关断时会非常大

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

电压规格:VDSS.VDS.BVDSS.V(BR)DSS VDSS中的"V"表示电压,前面的"D"."S"表示"Drain"(漏极)与"Source"(源极),最后一个"s"表示"Short"(短路).VDSS的具体含义是"Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted",中文

来自B站官方的消息显示,B站在近期也将推出"基友号"功能,功能的内容是通话免费,考虑到这类互联网套餐都是中国联通在运营,因此在内容上可能也会效仿腾讯大王卡实现免费通话. 目前,B站卡分为22/33以及小电视卡三类,而22卡的最低起跳月租就是22元,因此该"基友号"功能可能会向所有B站用户开放. 网友:然而我认识的人没有一个用b卡的. 日前腾讯大王卡正式上线了"亲情号"功能,只要双方用户均为王卡,大王/天王卡用户都可以实现单向通话免费,最主要的是该

1.原理 TVS二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS二极管便产生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,其结果是瞬时电流透过二极管被引开,避开被保护元件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压.当瞬时脉冲结束以后,TVS二极管自动回覆高阻状态,整个回路进入正常电压.许多元件在承受多次冲击后,其参数及性能会产生退化,而只要工作在限定范围内,二极管将不会产生损坏或退化. 2.参数 reverse stand-off voltage (Vrwm)反向关

TVS二极管和稳压二极管的区别 TVS管超过它的耐压值后,会瞬间导通短路,反应速度在ns级, 而稳压管是稳压作用的,超过它的稳压值,只要功率不超过它的耐受值,就会稳定在它的稳压值范围内. TVS是瞬态抑制二极管,主要是用来抑制瞬时电压尖峰,减少尖峰电压对元器件的损耗. 稳压二极管主要是稳压的作用. 双向击穿二极管也称瞬态电压抑制二极管(TVS),是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件,类似于压敏电阻器. 它应用于各种交流及直流电源电路中,用来抑制瞬间过电压. 当被保护电路瞬间出现浪涌

不同频段的RFID产品会有不同的特性,本文详细介绍了无源的感应器在不同工作频率产品的特性以及主要的应用. 目前定义RFID产品的工作频率有低频.高频和甚高频的频率范围内的符合不同标准的不同的产品,而且不同频段的RFID产品会有不同的特性. 其中感应器有无源和有源两种方式,下面详细介绍无源的感应器在不同工作频率产品的特性以及主要的应用. 1． 低频(从125KHz到134KHz)   其实RFID技术首先在低频得到广泛的应用和推广.该频率主要是通过电感耦合的方式进行工作, 也就是在读写器线圈和感应