1.常用的几种电平转换方案 2.三极管的电平转换及驱动电路分析 3.三级管老怀 4.关于MOSFET管驱动电路总结 5.一个IIC的5V和3.3V电平转换的经典电路分享 6.mos 7.mos应用 8.MOS管基本原理 9.dj 10.代码 微信分享:   在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:1   没有器件下拉总线线路.“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V. MOS-FET 管的门极和源极都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET 管不导通.这就允许

在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用.下面举例进行说明. 如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是Li电池充放电电路,当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电,即+5V电源断开后Q1的G极为低电平,S极和D极导通,为系统供电.图中D2和D3的一方面是降压的作用,使5V降为4V(D2为锗管压降为0.2V,D3硅管压降为0.7V). 图2 工作原理同图1,也使用了内置续流二极管的P沟道COMS FET. 图3使用了内置续流二极管的N沟道的C

name   kecheng    fenshu 张三     语文     81 张三     数学     75 李四     语文     76 李四     数学     90 王五     语文     81 王五     数学     100 王五     英语     90 方法一: 思路:如果能获得一张表,由学生姓名,语文成绩,数学成绩,英语成绩的表,剩下的就是在WHERE条件中筛选及可以获得想要的结果. 具体办法:通过自连接的办法,以“姓名”为连接条件,自连接三次,便可以获得包

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成. 电路图如下: 3.3-5V转换 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为: 1,VCC_S1<=VCC_S2. 2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定). 3,Vgs<=

现代的集成电路工艺加工的间隙可达0.5μm 而且很少限制数字I/O 信号的最大电源电压和逻辑电平. 为了将这些低电压电路与已有的5V或其他I/O电压器件连接起来,接口需要一个电平转换器.对于双向的总线系统像I2C 总线电平转换器必须也是双向的,不需要方向选择信号.解决这个问题的最简单方法是连接一个分立的MOS-FET管到每条总线线路,尽管这个方法非常简单但它不仅能不用方向信号就能满足双向电平转换的要求还能将掉电的总线部分与剩下的总线系统隔离开来,保护低电压器件防止高电压器件的高电压毛刺波. 双向

分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 此电路来自于飞利浦的一篇设计指导文档,是I2C总线官方推荐使用的电平转换电路.在实际使用过程中,需要尤其注意NMOS管的选型以及上拉电阻阻值的选取.由于该电路基于上拉电阻,NMOS管的电容特性可能会导致波形劣化.为了保证输出的上升速度,使得输出波形维持较好的形状以保证数据正确,通常选择Qg较小的NMOS管. 上图中,SDA1/SCL1,SDA2/SCL2为I2C的两个信号端,VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压.电路应用限制条件为: 1

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

1.判断二极管是否击穿 2.判断mos管是否烧坏 直接用声音档,发出响声说明击穿了 3.测试二极管的正负极方法 将万用表调到二极管档 1.信号发生芯片周围的电阻 2.反馈部分的电阻 3.实验准备部分: 示波器的探头勾在mos管的栅极上 15V输出部分加上25R电阻的负载 板子外部加上15VDC给两个芯片供电 3.实验现象 1)再输入电压很低的时候,开关管的频率在108khz左右 2)当输入电压达到180VAC时,输出电压稳定在15V左右,输入电压继续上升,输出电压还是稳定在15V,不过这个时候开

CMOS 传输门从结构上看是由一个PMOS和一个NMOS管组成 先简单粗略讲讲PMOS管和NMOS管导通与截止吧 首先我们MOS管有三个极,源极(S:Source).漏极(D:Drain)和栅极(G:Gate) 我们理解为NMOS它是高电压导通,PMOS为低电压导通 则当栅极g为0时,NMOS截止,PMOS导通 当栅极g为1时,NMOS导通,PMOS截止 回到CMOS传输门,C和 /C是互补控制信号,PMOS管和NMOS管的源极漏极相互连接,结构对称,则输入输出可互换使用 1.当C=VDD时,/

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V 栅极(Gate-G,也叫做门极),源极(Source-S), 漏极(Drain-D) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 33A 栅源极阈值电压 4V @ 250uA 漏源导通电阻 44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C) 130W 类型 N沟道 IRF540N(NMOS管)应用电路 MOS管由电压控制,与三极管不同(三极管是电流控制).说白了,给箭头方向相反的压降就是导通,方

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

(一)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjE5Ng==.html (二)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjMwNA==.html (三) 如下图,如果在门极和衬底之间加垂直电场(注意这个电场并不能在门极和衬底之间形成电流,原因是门极和衬底之间有一层二氧化硅),这个电场会把N型半导体中的多子(空穴)往下推,会把P型半导体中的少子(自由电子)往上吸,这样就会形成左边箭头指的反型层,相当于在两口井之间形成导电沟道

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原

1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

电压规格:VDSS.VDS.BVDSS.V(BR)DSS VDSS中的"V"表示电压,前面的"D"."S"表示"Drain"(漏极)与"Source"(源极),最后一个"s"表示"Short"(短路).VDSS的具体含义是"Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted",中文

[导读]能快速掌握复杂信息,对成就卓越事业至关重要.ScottYoung的学习过程不只适用于学生,同样有助于学习复杂技能的专业知识. 能快速掌握复杂信息,对成就卓越事业至关重要.ScottYoung的学习过程不只适用于学生,同样有助于学习复杂技能的专业知识. 最近,在TED大会上,一位叫Scott Young的年轻人分享了他的一个惊人成就:他在一年之内,完成了MIT(麻省理工学院)计算机科学本科课程的全部33门课,并都通过了考试.重要的是,他完全是靠自学完成的,观看在线教程的讲座,再参加实际的考