源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

1.该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck: 2.FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意.因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆.磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆: 3.UFM14PL-TP普通二极管: Maximum Recurrent Peak Re

在嵌入式系统里,较多场合需要LCD人机界面.分析以下LCD驱动电路. LCD_VIN是3.6~5V,经过DC/DC burst升压得到LCD_AVDD,LCD_AVDD为LCD需要的模拟电压,根据LCD实际情况调整FB脚电压确定,这里假设是10V. VGH是LCD的开关管的开启电压,假设这里需要15V,VGL是LCD开关管的关闭电压,假设这里需要-6.8V. 这里比较有意思的是VGH和VGL的产生. 以下给出绿.红.蓝三个节点的波形: 绿: 红: 蓝: 绿点为开关电源的开关波形,红点为绿点向上偏

驱动电路 典型的H桥驱动电路如下:要使电机旋转只需导通对角线上的两个三极管即可,如导通Q1,Q4,关闭Q2,Q4即可驱动电机正转:若想电机反向转动,即导通三极管Q2,Q3,关闭Q1,Q4.此时电路图可简化为如下所示:但当我们直接导通一个半桥上的Q1,Q3(或Q2,Q4)时,电源被短接,由于三极管电阻很小,此时流过三极管的电流很大,非常容易烧坏三极管,因此实际运用中一定不能导通同一个半桥上的三极管. 但是在实际情况中,三极管导通/关闭和电路中的其它原件操作都存在一定延时的,因此不能简单的认为,只需

双头比例阀驱动电路,采用单片机输出2路PWM,分别驱动功率器件(U100的2和4脚),经过U100的8和10脚输出供电电源的高压PWM波形,这个高压PWM经过R104和R114分别采样后经过电流放大器U101和U111输出电压.以上侧为例,放大倍数由R106和R105确定,A=10/0.2=50,输出电压I-PVO1的值等于R104上的电压也就是Is*50,最后经过滤波电路R107和C104输出,现在的问题是R107左右两侧的波形都有尖刺出现. 比例阀线圈接在PVOx与GND,x=1和2对应上下

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三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路

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4.3 开关损耗/4.4 小结 使用半导体器件实现开关后,我们现在可以讨论变换器中损耗和低效的另一个主要来源:开关损耗.如前所述,半导体器件的导通和关断转换需要几十纳秒到几微秒的时间.在这些开关转换期间,半导体器件中可能会出现非常大的瞬时功率损耗.尽管半导体开关时间很短,产生的平均功率损失也可能很大. 半导体器件是由电荷控制的.例如,MOSFET的导电状态由其栅极和沟道中的电荷决定,硅二极管或BJT的导电状态由器件内部半导体结附近存储的少数电荷的存在与否决定.为了在开和关状态之间切换半导体器件,

源:http://www.amobbs.com/thread-5484710-1-1.html 从网上找到一些MC34063扩流降压电路图,一个个的试,根本达不到我的基本要求,全都延续了34063的降压低效率,仅把发热点从IC转到功率管上,基本上都是垃圾,另外其他人在网上说,这本来就是很难弄的,等等.最后还是不得不自己折腾,搭出了一个自己满意的电路. MOSFET看起来是很容易使用的一种元件,其最佳工作状态就要么导通,要么全截止,驱动电平高或低,不能模棱两可,否则就成了一种昂贵的加热器.3406

1.同步动态扫描 多个数码管的显示采用的是同步动态扫描方法,同步动态扫描指的是:行信号和列信号同步扫描,是一种并行操作. 2.数码管驱动电路实现思路      如果要求数码管显示我们想要的数字,首先需要写一个数据接收模块,这个模块接收数据之后需要做什么样的处理呢?这时候我们会想到两个数码管,其中一个显示十位数字,另一个显示各位数字,即把这个数据的十位传给其中一个数码管,各位数字传给另一个数码管来显示.这样我们就会明确了:数据接收模块需要将接收的数据进行拆分,分别输出其十位数据与个位上的数据 程序

驱动能力 电源驱动能力 -> 输出电流能力 -> 输出电阻 指输出电流的能力,比如芯片的IO在高电平时的最大输出电流是4mA -> 该IO口的驱动驱动能力为4mA 负载过大(小电阻) -> 负载电流超过其最大输出电流 -> 驱动能力不足 -> 输出电压下降 -> 逻辑电路无法保持高电平 -> 逻辑混乱 XX 一般说驱动能力不足是指某个IO口/引脚无法直接用高电平驱动某个外设,需要加三级管(驱动脚由三极管的发射极或集电极提供)或者MOS管. IO与输出电流 单

低端功率开关驱动电路的工作原理 低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,