和boost电路相反,buck电路为DC-DC降压电路,搞了一下仿真发现低压情况下降压效率比較高,电压略微高一点降压效率就不敢恭维了. .不知道是怎么回事 仿真电路: 占空比D设置了0.5, U0=Ui*D ,所以输出电压理论计算值为0.5V 观察示波器能够看到输出电压接近0.5v,但假设输入电压高一点,输出电压则会全然偏离公式计算值..至今没搞懂

1.  利用PI 模块仿真BUCK 电路电流环 在调制通道上未加入延迟环节时,无论KP, KI 参数如何调整系统都是稳定的 仿真结果: 在调制通道上引入 一个开关周期的延迟 系统出现明显的震荡情况,说明数字系统 一个差拍的控制特性,导致相位裕量减少,系统容易不稳定 存在一个1.5K 的等幅度震荡 利用交流扫频功能得到 闭环波特图,可见在穿越频率处(1.5KHZ),相位裕量几乎为0,所以出现1.5KHZ的等幅度震荡 此时若将kp 从20 降低到4, 可见在穿越频率处 相位大于 -180, 系统勉强

Buck带同步整流,关闭二极管仿真模式会使空载损耗大 利用二极管仿真模式提高降压转换器轻负载效率 Buck电路工作原理以及三种工作模式分析   一.Buck电路原理图 Buck电路,又称降压电路,其基本特征是DC-DC转换电路,输出电压低于输入电压.输入电流为脉动的,输出电流为连续的. .Buck电路工作原理 当开关管Q1驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L1被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C1充电,给负载R1提供能量.等效电路如图二 图二 当开关管Q1驱动为低电平时,开关管关断,储

前言 开始写点博客记录学习的点滴,第一篇就写基本的共射极放大电路吧. 很多教材都是偏重理论,而铃木雅臣著作的<晶体管电路设计>是一本很实用的书籍,个人十分推荐! 下面开始我的模电重温之旅吧 放大电路的基本原理 1."放大"的本质是实现能量的控制.即小能量对大能量的控制. 2.双极型三极管(BJT)和场效应管(FET)是常用的放大元件. 3.三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件.BJT放大电路有三种基本组态:共射极放大电路.共基极放大电路.共集电极放大电路. 例如:输

案例:设计一个Buck电路,满足如下性能指标要求:一.性能指标要求  1.输入电压  2.输出电压  3.输出电压纹波  4.电流纹波  5.开关频率  二.需要计算的参数  三.BUCK电路拓扑  四.BUCK电路工作原理  五.参数计算的假设前提条件  六.BUCK电路参数计算所需要的理论知识  七.导通时的占空比D的计算  八.电感L的计算  九.电容C的计算  十.案例中各个元器件的参数计算一.性能指标要求  1.输入电压      标准直流电压48V   2.输出电压      直流电

Buck电路,也称呼为DC_DC Buck型降压开关电源电路,这种电路结构实际应用也是很多的,电路拓扑结构看下图: 电路中,Q1是开关管,D1是续流二极管,L1就是问题中提到的这个电感器.C1就是问题中提到的电容器,RL是负载电阻器. 电路很简单,不过理解这个电路需要先学习电感器知识,理解了电感器的特性,这个电路就不是问题. 具体可以看我电感器视频,自己搜一下. 当Q1栅极G为高电平的时候,Q1这个D.S导通,电流方向是VCC经过Q1.经过L1电感器.给电容C1充电.同时给后级负载RL供电,由于

一.目的 研究Rb变化对Q点和Au的影响. 二.方法描述 仿真电路如下所示.晶体管采用FMMT5179其参数BF=133,RB=5Ω. (1)分別测量Rb=3MΩ和3.2MΩ时得UCEQ和Au.由于信号幅度很小,为1mV,输出电压不失真,故可从万用表直流电压(为平均值)挡读出静态管压降UCEQ.左边万用表显示Rb=3.2MΩ时的UCEQ,从示波器可读出输出电压的峰值. (2)输出电压峰值逐渐增大至20mV,观察输出电压波形的变化情况. 三.结果分析 (1)Rb=3MΩ和3.2MΩ时的UCEQ和A

我开始时用的是MPS的MP1584EN,这个芯片各方面都挺不错的.有次老大让我画个降压电路,看到用的是MP1584就说国外的芯片太贵,让我用上海贝岭的BL8033.BL8033确实很好用,虽然它没有1584优秀,但是它便宜,还少用个二极管.1584则是有输入电压更高,输出电流更大,纹波更小等优势,毕

1. 利用S函数模块进行环路仿真 将PI 写成 截止频率的表示形式 Kp* (Ti*s+1)/Ti*s  ,  这里Kp = 20,  Ti = 0.0001  ,  写入仿真模型参数框 仿真结果: 2. 利用Z 函数模块来进行仿真模型搭建 首先利用matlab 的c2d 函数对 S 传递函数进行离散化处理 得到z 函数如下 所以仿真模型参数如下: 仿真结果:发现实际电流平均值高于参考值,而离散后的反馈值却是完全跟踪参考值,什么原因? 应该是数字环路采样速率 和 开关频率一样导致,采样速率不足导

周围环境: 系统环境: win7 64位置 软件平台:Multisim 12.0 目的: 刚毕业,可是模电知识也忘得差点儿相同了,加之自己想搞搞硬件设计.假设仅仅是看模电书.不实践,还是终觉浅.当做兴趣一样学学模电,仿真仿真. Multisim的MCU少,就拿51来练练手.搭建51单片机仿真系统,配合着记录一下书本的知识. 概述: 最后使用Multisim 12.0搭建出来的最小系统为图1-1所看到的,通过编敲代码能够使LED1循环闪烁. 图1-1 正常来说.51单片机最小系统一般包含单片机.晶

本文转载自:http://blog.chinaunix.net/uid-25906157-id-4125916.html 作为一名FAE,才知硬件知识的匮乏.慢慢积累一点儿硬件知识吧!BUCK和LDO,这两个名词以前也都听说过很多次,但他们的原理和用途.差别什么的,一直摸不清楚.今天就来总结一下. 一 什么是BUCK? “A buck converter is a voltage step down and current step up converter.”――来自维基百科的解释.翻译成中文

Part01:Buck电路工作原理: 图1-1 Buck电路拓扑结构 Buck电路的拓扑结构如图1-1所示: (1) input接输入电源,既直流电动势: (2) IGBT1为开关管,可以选择以全控型开关管为主,对于高频状态多使用MOSFET,对于高电压状态,多采用IGBT(MOSFET或者IGBT由Buck电路具体工作情况决定).Buck变换器又称降压变换器,通过控制input侧直流电动势的供电与断电实现输出测的降压.开关管的控制方式根据控制信号的不同主要又分为以下三种方式: a) 脉冲调制型

因为4阶巴特沃兹低通滤波器比较简单,所以省略设计过程和思路以及不必要的废话. 设计的滤波器的性能:截止频率大约是500HKZ,Rs = Rl = 32 欧姆. 预估滤波器大致的幅频特性曲线如下: 最初的Multisim仿真电路如下: 但是由于实验室只能提供特定的的元件数值,需要按照能获得的元件数值对电路进行修正和模拟,获得最符合要求的电路元件参数. 所以对电路图进行了修正,得到如下电路图: 仿真出的幅频特性曲线如下图,大致满足性能要求: 下面是在实验室实际焊的低通电路:

RCC电路工作于临界模式,不是固定工作频率,其设计遵从BUCK原理.Buck电路在最高输入电压时为电感最恶劣工作条件: 以下图为例: 1.首先设定如下参数:输入电压Vin,输出电压Iout,工作频率f: 2.由于电路工作在临界模式,所以电感峰值电流为2Iout: 3.由(Vinmin-Vo)*ton=Vo*toff,则占空比D=Vout/Vinmin: 4.由伏秒平衡VL*ton=L*I:可得L=(VL*dt)/(di)=(Vinmax*ton)/Ipk ,其中ton=D*T=D/f: 5.确定

ModelSim仿真入门之一:软件介绍 编写这个教程之前,为了让不同水平阶段的人都能阅读,我尽量做到了零基础入门这个目标,所有的操作步骤都经过缜密的思考,做到了详细再详细的程度. 如果您是FPGA开发方面的初学者,那么这个教程一定能够帮助你在仿真技术上越过新人的台阶:如果您是FPGA开发的老手,这篇文档也并非对您没有帮助,您可以把教程发给其他刚入门的同事,免去您亲自上阵指导的麻烦,把主要的精力放在更有价值的地方. 一.FPGA设计仿真验证简介 严格来讲,FPGA设计验证包括功能仿真.时序仿真和电

1. 直流—直流变换器通过对电力电子器件的通断控制,将直流电压断续地加到负载上,通过改变占空比改变输出电压平均值. BUCK线路原理图如上,其中Q管/MOS作为开关管,驱动电压一般为PWM. 当开关管驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C充电,给负载R提供能量.等效电路如图二 当开关管驱动为低电平时,开关管关断,储能电感L通过续流二极管放电,电感电流线性减少,输出电压靠输出滤波电容C放电以及减小的电感电流维持,等效电路如图三 BUCK电路有三种工作方式

首先引入一个例子: `timescale  1ns/100ps module   TB;                                                                                       module  INV_DFF(Clock, Reset_n, DataIn, DataOut); reg Ck, Rst_n, Din;                                                  

一.MOSFET 简介: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor).MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMO

6.4 变换器评估与设计 没有完美适用于所有可能应用场合的统一变换器.对于给定的应用和规格,应该进行折中设计来选择变换器的拓扑.应该考虑几种符合规格的拓扑,对于每种拓扑方法,对比较重要的量进行计算,比如最坏情况下的晶体管电压,电流有效值,变压器尺寸等.这种类型的定量比较可以选择最佳方法,同时避免工程师的个人偏好. 6.4.1 开关应力和利用率 通常,变换器中最大的单一成本是有源半导体器件的成本.而且,与半导体器件相关的导通和开关损耗通常占变换器损耗的主体.因此,对于候选变换器而言,比较总有源开关

首先对于我这种电源方面的小白来说 关于电源用的最多的就是线性稳压了 开关类的如  TI 的TPS系列  我是只知道应用电路而不知道具体原理的 但是长此以往也不是个办法 于是今天就带打家详细的来讲一下  BUCK BOOST电路的原理 先挂几个连接: 比较粗略的BUCK/BOOST电路的分析 http://tech.hqew.com/fangan_522451 http://blog.csdn.net/u011388550/article/details/23841023 这个还是不错的 http