一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实

本文原创于http://www.cnblogs.com/humaoxiao,非法转载者请自重!   硬件平台:STM32F4 DISCOVERY开发板 型号:MB997A或MB997C主芯片型号:STM32F405xx, STM32F407xx, STM32F415xx, 或 STM32F417xx 主要参考文档: (1)PM0081 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual.pdf (2)STM32F407 datasheet.p

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

Take SAMSUNG K9F1G08U0E for example, and use S3C2416, Windows CE5.0 platform. 要让Flash工作起来,包括两部分: Flash器件控制和CPU端的Flash控制器.Flash端一般只要把相应的脚位和CPU端连起来就可以通过CPU端的相应控制寄存器对Flash设备进行控制读写数据了.当然也有一部分CPU是不带Flash控制器的,这种情况下就要根据Flash的操作时序等进行控制了. [1]Flash工作准备 1.确认硬件连

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.

(1)首先需要了解NAND FLASH的结构.如图: 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器:由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分),就是这个片子的容量512M字节.其他型号的Flash

NAND Flash分类 SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data  SLC 「Small page (528 Byte).Large page (2112 Byte)」 在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪

嵌入式linux下常见的文件系统 • RomFS:只读文件系统,可以放在ROM空间,也 可以在系统的RAM中,嵌入式linux中常用来作 根文件系统 • RamFS:利用VFS自身结构而形成的内存文件系 统,使用系统的RAM空间 • JFFS/JFFS2:为Flash设计的日志文件系统 • Yaffs:专门为Nand Flash设计 • proc:为内核和内核模块将信息发送给进程提 供一种机制,可以查看系统模块装载的信息 • devFS:设备文件系统 Linux上的Ext2fs • 支持4 TB

13.1 问题现象 在烧写进去的u-boot 中 Flash 并没有显示实际大小,需要进行修改. 13.2 问题定位过程 13.2.1 关键字搜索 Flash: 此关键字在 Board_r.c (common) 文件中的 initr_flash 函数,此函数用 CONFIG_MTD_NOR_FLASH 宏控制,去掉不相关的代码: #if defined(CONFIG_MTD_NOR_FLASH) //味ㄒ錍ONFIG_SYS_NOR_FLASH这个宏就执行此函数 static int initr

Flash存储器 ——>Flash存储器是近几年来发展最快的存储设备,通常也称作闪存.Flash属于EEPROM(电可擦除可编程只读存储器),是一类存取速度很高的存储器. ——>它既有ROM断电可保存数据的特点,又有易于擦写的特点.Flash可以在断电的情况下长期保存信息,因此被广泛的应用在PC机的BIOS和嵌入式系统的存储设备. Linux Flash驱动结构 ——>Linux内核对Flash存储器有很好的支持.内核设计了一个MTD结构支持Flash设备,用户只需要按照MTD的要求设置

一.s3c2440启动后会将nand flash的前4K程序复制到内部的sram中,这个过程是硬件自动完成的,但是如果我们的程序远远大于4K,这个时候就需要将程序从flash拷贝到内存中来运行了. 二.nand flash 接线图可以看出,nand flash没有地址总线,是八根数据线,SDRAM和网卡有地址总接到s3c2440的地址总线了,而nand flash没有地址线,所以他们的寻址方式不一样,SDRAM和网卡的地址是CPU可以看得见的,也就是CPU统一编址,而nand flash呢?也有

1. 根据物理结构上的区别,Nand Flash主要分为: SLC(Single Level Cell): 单层式存储 MLC(Multi Level Cell): 多层式存储 TLC(Triple Level Cell): 三层式存储 注:SLC在存储格上只存一位数据(2个状态),MLC存放两位数据(4个状态),TLC存放三位数据(8个状态). 2. Nand Flash 地址结构 注: ①Row Address即页地址,Column Address即页内偏移 ②正常页内容读取用Column

2.       软件方面 如果想要在Linux下编写Nand Flash驱动,那么就先要搞清楚Linux下,关于此部分的整个框架.弄明白,系统是如何管理你的nand flash的,以及,系统都帮你做了那些准备工作,而剩下的,驱动底层实现部分,你要去实现哪些功能,才能使得硬件正常工作起来. [内存技术设备,MTD(Memory Technology Device)] MTD,是Linux的存储设备中的一个子系统.其设计此系统的目的是,对于内存类的设备,提供一个抽象层,一个接口,使得对于硬件驱动设

在读者学习本章之前,最好了解Nand Flash读写过程和操作,可以参考:Nand Flash裸机操作. 一开始想在本章写eMMC框架和设备驱动,但是没有找到关于eMMC设备驱动具体写法,所以本章仍继续完成Nand Flash设备驱动,eMMC这个坑留在以后填.如果读者开发板为eMMC,本节驱动可能无法正常执行. 在裸机操作中,读者应了解Nand Flash时序图.Nand Flash片选.读写和擦除等操作,在此不再赘述. 一.Nand Flash驱动分析 Nand Flash设备驱动放在dri

NAND FLASH的结构如图所示: Denali NAND FLASH控制器模块提供了从AHB总线到外部NAND FLASH存储器芯片IO管脚的访问功能.主要技术特性包括: 1.标准32位AHB总线接口: 2.提供AHB交易缓存异步FIFO,实现速度匹配和数据通路调整,与AHB总线.与NAND FLASH存储器之间的数据通路均可配置(最大64bit): 3.提供数据缓存以提高访问性能: 4.支持内建的BOOT启动访问: 5. 提供4路bank片选信号,每路bank片选信号支持4片外部存储器件(

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

颗粒是固态硬盘负责容量和传输的介质,在这一方面上与优盘产品是相同的,从外观上看,颗粒占据了整个固态硬盘内部70%左右的空间,其同样做为成本技术,根据厂商的用料不同,成为了固态硬盘内部核心材料. 颗粒的分类 说到成本,颗粒的发展也能够从价格表现出来,对于消费级市场来讲,从最早也是最好的SLC NADA Flash颗粒,到普及范围最广的MLC颗粒,最后到成本最低也是最具争议的TLC颗粒. 消费级市场已经很少见到的SLC闪存颗粒 价格影响着最大的利弊就是性能,其次是寿命,颗粒的寿命的统计方法为P/E值

37款传感器与模块的提法,在网络上广泛流传,其实Arduino能够兼容的传感器模块肯定是不止37种的.鉴于本人手头积累了一些传感器和模块,依照实践出真知(一定要动手做)的理念,以学习和交流为目的,这里准备逐一动手试试做实验,不管成功与否,都会记录下来---小小的进步或是搞不定的问题,希望能够抛砖引玉. [Arduino]108种传感器模块系列实验(资料+代码+图形+仿真) 实验三十一:ISD1820录音语音模块(8-20秒) ISD1820 美国ISD公司的系列语音芯片以其高品质的工作性能和语音