NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

因为python兼容各种平台,所以当在window打开文本文件写入后,换行会默认写成\r\n linux是\n 如果想去掉换行的\r 解决方法:在open函数里写入换行要求即可 with open(filepath, 'w',newline='\n') as f: f.write('XXXXXX') 注:平台python3.7 pycharm

假如我们想把某文件读入 StringBuffer 并写入新文件,新文件md5值需要保持不变(写入新文件后保证和源文件一模一样), 我们就需要在操作 StringBuffer 时附加换行符: StringBuffer sb = new StringBuffer(); Reader rd = null; BufferedReader br = null; rd = new FileReader("E:/绮萝酶是女装的男孩子.html"); br = new BufferedReader(r

在调试stm32的程序的时候遇到这样一个问题. 用Keil往stm32里写入程序时出现无法访问内存的错误.情况如下 然后 J-link没有提示异常.偶尔可以下载成功,但是程序无法正确的执行. 经过一番摸索发现,由于开发板线路的连接在5v,arm开发板可能无法正确的工作.只需将电源切换到3.3v即可顺利的下载进程序.

这里的Redis主从结构可以是简单的主从,sentinel,redis cluster中的主从等. wait命令的作用:此命令将阻塞当前客户端,直到当前Session连接(主节点上)所有的写命令都被传送到指定数据量的slave节点.如果到达超时(以毫秒为单位),则即使尚未完全传送到达指定数量的salve节点,该命令也会返回(成功传送到的节点的个数).该命令将始终返回确认在WAIT命令之前发送的写命令的副本数量,无论是在达到指定数量的副本的情况下,还是在达到超时的情况下.具体说就是:比如对于1主2

①创建表: SQL> create table t4 as select * from all_objects; Table created. ②设置t4处于nologging: SQL> alter table t4 nologging; Table altered. ③开启autotrace查看执行计划: SQL> set autotrace on ④插入数据: SQL> insert into t4 select * from t4; rows created. Execut

作者 : 韩曙亮 博客地址 : http://blog.csdn.net/shulianghan/article/details/42462795 转载请著名出处 相关资源下载 :  -- u-boot 源码 : http://download.csdn.net/detail/han1202012/8342761 -- S3C2440 文档 : http://download.csdn.net/detail/han1202012/8342701 -- S5PV210_iROM_Applicati

用python从数据库中取到数据后,写入excel中做成自动报表,ExcelWrite默认的格式一般来说都比较丑,但workbook提供可以设置自定义格式,简单记录个demo,供初次使用者参考. 一. 取几列数据长下面这样,数字我随便编的,不用在意: 二.ExcelWriter写入后默认格式长下面这样,字体丑,宽度不够,没有百分比格式: 三.设置格式后保存结果,好看多了: 四.好了,实现在下面代码里有注释 # -*- coding: utf-8 -*- import pandas as pd i

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测 https://www.cnbeta.com/articles/tech/830875.htm 全国产的 SSD 群联貌似是对岸的 不过不管怎么说 也是国产了.   2017年以来,随着NAND颗粒价格的大起大落,固态硬盘产品也出现了成倍的价格上涨和近期的大幅度下落.这背后与国际大厂的默契操盘有着躲不开的关系.NAND颗粒作为广泛引用于PC.移动设备和各类存储设备的重要基础产品,对各大产业的影响不言而喻.这也是为什么近两年中国会大力投资相关产

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

转自:http://blog.51cto.com/hardywang/2053915 NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持.关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解,大家可以参考文章闪存技术最全面解析.今天主要讨论下NAND Flash生产过程.架构和关键指标. NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的,硅材料被加工成晶圆(Wafer),一片

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需

出自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/7029930 DM365的视频处理涉及到三个相关处理器,分别是视频采集芯片.ARM处理器和视频图像协处理器(VICP),整个处理流程由ARM核协调.视频处理主要涉及三个处理流程,分别是视频采集.视频编码和对编码后的视频的处理,为了提高性能,通常为每个处理流程提供一个处理线程. 视频采集   TVP5146将采集到的视频数据转化为数字信号,并将这些数据送入DM365的BT656接口,然后通过Resize得

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA

NOR和NAND NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,198?年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存,像“flash存储器”经常可以与 “NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM