NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都

[这是好久曾经写的.有点乱,没时间整理.当做记录用的.] 图片粘贴失效.没上传图,想要的直接下载文档吧. 项目目的:通过IIS,触摸屏,LCD模块实现音乐播放器功能(button上一首.下一首.播放.暂停的音频控制功能,并实现播放歌曲时显示对应的歌曲图片,不播放时显示hello music图片) 项目设备:windows7(32位),mini2440.uboot(nandflash).ADS1.2开发环境,jlink v8.耳机: 功能模块LCD.触摸屏.IIS 分别介绍: Main函数中主频设

基于6U VPX的 XC7VX690T+C6678的双FMC接口雷达通信处理板   一.板卡概述 高性能VPX信号处理板基于标准6U VPX架构,提供两个标准FMC插槽,适用于电子对抗或雷达信号等领域的高性能采集.回放以及相关处理.通过扣接不同的数据接口FMC子卡的方式,可实现不同采样频率.不同量化位数.不同通道数.不同信号形式的采集.回放.处理的功能模块.高性能VPX信号处理板主要包含大规模FPGA.多核DSP.大容量DDR3存储器.FMC插槽.扩展IO.板载时钟等,模块原理框图如下图所示:

基于6U VPX的 XC7VX690T+C6678的双FMC接口雷达通信处理板   一.板卡概述 高性能VPX信号处理板基于标准6U VPX架构,提供两个标准FMC插槽,适用于电子对抗或雷达信号等领域的高性能采集.回放以及相关处理.通过扣接不同的数据接口FMC子卡的方式,可实现不同采样频率.不同量化位数.不同通道数.不同信号形式的采集.回放.处理的功能模块.高性能VPX信号处理板主要包含大规模FPGA.多核DSP.大容量DDR3存储器.FMC插槽.扩展IO.板载时钟等,模块原理框图如下图所示:

基于6U VPX的 XC7VX690T+C6678的双FMC接口雷达通信处理板   一.板卡概述 高性能VPX信号处理板基于标准6U VPX架构,提供两个标准FMC插槽,适用于电子对抗或雷达信号等领域的高性能采集.回放以及相关处理.通过扣接不同的数据接口FMC子卡的方式,可实现不同采样频率.不同量化位数.不同通道数.不同信号形式的采集.回放.处理的功能模块.高性能VPX信号处理板主要包含大规模FPGA.多核DSP.大容量DDR3存储器.FMC插槽.扩展IO.板载时钟等,模块原理框图如下图所示:

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

1.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类:•SLC (Single Level Cell): 单层式存储•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据. 2.MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上.使用寿命:SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次功耗:MLC功耗比SLC

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘 2.分类(1)MLC:存储单元格存储两位,慢,偏移,寿命短,容量大(2)SLC:存储一位.快,寿命长,容量小,昂贵 3访问:(1)独立编址,有专用的控制器,控制器里有相应的寄存器,先送地址,然后命令,最后数据(2)地址组成:行地址(页编号),列地址(在页中的偏移),一个nand可以有很多块,每一块可以很多页,每一页的两个部分可以不同规格(3)信号引脚: 4.初始化nand控制器,(搜索关键字operation)(1)初始化NFCONF,配置三个重要的与

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

一.概述 1.NandFlash NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,比如能达到256M,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口. 2.NandFlash和NorFlash对比 Nor/Nand Flash 的差别   Nor Nand 容量 1MB~32MB 16M~512MB XIP Yes No 擦除 非常慢(5S) 快(3ms) 写 慢  快 读 快 快 可靠性 比较高,位反转的比例小于NandFlash的10% 比较低,位

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整

K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash,常用于手持设备等消费电子产品.还是那句话,搞底层就得会看datasheet,我们就从它的datasheet看起. 这就是 K9F2G08U0A的内部结构,具体的各个部件的介绍,就不详细介绍了,想了解的话可以参考伟东山的<嵌入式linux应用开发完全手册>. 现在就看一下重点的,NandFlash的存储单元的组织结构,K9F2G08U0A的存储单元的组织结构如下: 结合上面的图,我们现在来分析一下: NandFlash的存

一.SDRAM(HY57V561620F)连线分析 1.  S3C2440 有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx 的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设. 2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,所以S3C2440 总的寻址空间是1Gbyte.但市面上很少有32位宽度的单片SDRAM,一般选择2片16位SDRAM 扩展得到32位SDRAM. 2.这里选择的SDARM是HY57V56

扮演角色 相当于嵌入式设备的硬盘 NandFlash分类 1.SCL(single level cell):单层式存储 2.MLC(multi level cell):多层式存储 3.SCL在存储格上只存储一位数据,而MLC则存放两位数据 MLC与SLC对比 1.价格 由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC 2.访问速度 SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上 3.使用寿命 SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次擦写 4.功耗 MLC功耗比SLC高15

S3C2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上,分为成nand flash和nor flash上启动. 1)nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘: 2)nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘: 3)sdram:主要用于程序执行时的程序存储.执行或计算,类似内存. Nor flash的有自己的地址线和数据线,可以采用类似于memory的随机访问方式,在nor flash上可以直接运行程序,所以nor flash可以直接用来做boot,采用nor flash启

转自:https://www.cnblogs.com/PengfeiSong/p/6380447.html nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个blo

nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个block等于多少page也是不定的,不同的Nand也不同.一个Nand芯片有多少block也是不定的,不同的Na