1.为何需要分析? 最近一直接触这类驱动,如果对它的原理不懂的话,驱动调试会很麻烦!!!!!! 2.ecc? nand的纠错能力,目前有1位.4位和8位,也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误,一般就是翻转的错误! 3.oob? 冗余区域,一般存放的是ecc纠错码,一般4位的ecc的纠错后需要的字节数为:4 bit ecc, per 512 bytes can creat 13 * 4 = 52 bit , 52 / 8 = 7 bytes ,就是需要7个字节的

以TC58NVG2S3ETA00 为例: 下面是它的一些物理参数: 图一 图二 图三 图四 图五 图6-0 图6-1 说明一下,在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局,其中Data区域用于存放有效的数据,也就是我们可以通过类似read.write.pread.pwrite可以访问的区域,那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的,他们会自动跳过OOB区域,访问OOB区域需要借助特殊的命令. 简单说明一下:Data A(512B)对应的ECC

简单制作一个Nand Flash驱动(只需要初始化Flash以及读Flash) 打开2440芯片手册,K9F2G08U0M芯片手册(因为2440中Nand Flash是用的256MB(2Gb)内存,8个数据引脚) 在芯片手册中得到K9F2G08U0M=2048块Block=128K页Pages=256MB=2Gb 1块Block=64页Pages 1页=(2K+64)B            (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示) 其中64B是存放ECC的OOB地址,(ECC:存放判断

转载:http://hi.baidu.com/cui1206/item/1d4119e376132513585dd886 基于MTD的NAND驱动(linux-2.6.22.10内核),目前已可以在该驱动的支持下跑cramfs和jffs2文件系统,另外,该驱动也可以同时支持small page(每页512 Byte)和big page(每页2048 Byte)两种NAND芯片.在此整理一下与NAND驱动相关的概念,结构体,驱动框架和流程,同时分析一下基于MTD的NAND驱动的部分函数,尤其是其中

MTD(Memory Technology Device)即常说的Flash等使用存储芯片的存储设备,MTD子系统对应的是块设备驱动框架中的设备驱动层,可以说,MTD就是针对Flash设备设计的标准化硬件驱动框架.本文基于3.14内核,讨论MTD驱动框架. MTD子系统框架 设备节点层:MTD框架可以在/dev下创建字符设备节点(主设备号90)以及块设备节点(主设备号31), 用户通过访问此设备节点即可访问MTD字符设备或块设备. MTD设备层: 基于MTD原始设备, Linux在这一层次定义出

MTD(Memory Technology Device)即常说的Flash等使用存储芯片的存储设备,MTD子系统对应的是块设备驱动框架中的设备驱动层,可以说,MTD就是针对Flash设备设计的标准化硬件驱动框架.本文基于3.14内核,讨论MTD驱动框架. MTD子系统框架 设备节点层:MTD框架可以在/dev下创建字符设备节点(主设备号90)以及块设备节点(主设备号31), 用户通过访问此设备节点即可访问MTD字符设备或块设备. MTD设备层: 基于MTD原始设备, Linux在这一层次定义出

 新版本下载: 下面的链接提供了较新版本的源码 ver4.0源码下载:u-boot for tiny210 ver4.0 ver3.1源码下载: u-boot for tiny210 ver3.1 ver3.0源码下载:u-boot for tiny 210 ver3.0 ver2.2源码下载:  u-boot for tiny210 ver2.2 ver2.1源码下载:u-boot for tiny210 ver2.2 ver2.1源码下载:u-boot for tiny210 ver2.1

MTD(memory technology device):内存技术设备 是linux用于描述ROM,NAND,NOR等内存设备的子系统的抽象 MTD设备可以按块读写也可以按字节读写,也就是说MTD设备既可以是块设备也可以是字符设备 一.MTD设备基础 1.关键结构体对象 在MTD中用mtd_info来描述一个内存设备 struct mtd_info { u_char type; //mtd设备类型 uint32_t flags; //标志 uint64_t size; //mtd设备总容量 u

目标: 1.关看门狗 2.设置时钟 3.初始化SDRAM (初始化寄存器以及清除bss段) 4.重定位 (将nand/nor中代码COPY到链接地址上,需要初始化nandflash,读flash) 5.执行main (进入第二阶段) 6.写 7.制作uboot.lds链接脚本 编写步骤: 1.创建个名为"my_bootloader"根目录,方便编写uboot 2.新建my_bootloader/si目录,创建source insight工程 2.1 新建my_bootloader/st

从2016年第一次接触rtthread,感觉很容易上手,记得一个项目是小飞行器上的IPC,趁着空闲,手里有一块jz2440的板子,准备在这块板子上跑起来rtthread,查了很多资料,最后决定自己写一个简单的BootLoader启动板子,启动rtthread系统.下面是简单的BootLoader源代码. init.c 主要是内存控制器初始化.串口初始化及与串口相关函数实现.nandflash初始化及读写功能. /* NAND FLASH控制器 */ #define NFCONF (*((vola

平台:jz2440 作者:庄泽彬(欢迎转载,请注明作者) 说明:韦东山二期视频学习笔记 交叉编译工具:arm-linux-gcc (GCC)4.3.2 PC环境:ubuntu18.04 一.uboot的编译和烧录 下载uboot-2012-04版本的uboot进行移植,下载链接:ftp://ftp.denx.de/pub/u-boot/ 编译: make smdk2410_config make -j4 使用oflash进行烧录,注意要烧录到norflash进行启动,不能烧录到nandflash

作者:彭东林 邮箱:pengdonglin137@163.com QQ: 405728433 以前一直有个疑问,在U-boot下到底能不能使用中断,为了验证这个问题,于是乎,昨天晚上我在自己的 TQ2440开发板上进行了uboot环境下的按键中断实验,这次使用的我刚移植的最新版Uboot,版本是 u-boot-2014-04,验证的结论是: U-boot完全能够支持中断 下面就以u-boot-2014-04为例,介绍一下按键中断的实现. 这里分为几部分介绍: 1.异常向量表           

1.NAND FLASH的硬件连接: 实验用的NAND FLASH芯片为K9F2G08U0C,它是三星公司的存储芯片,它的大小为256M.它的接线图如下所示: 它的每个引脚的分别为LDATA0-LDATA7为数据引脚.CLE为发送命令使能引脚.ALE为发送地址使能引脚.CE为芯片使能引脚.WE为写使能引脚.WP为写保护引脚.R/B为芯片是否繁忙的状态指示引脚,如下图所示: 2.NAND FLASH的操作: 根据NAND FLASH的芯片手册可以知道需要操作NAND FLASH一般的流程是发出命令

NandFlash读数据方式 1.页读,读出页中主数据区的所有数据,提供页地址(行地址) 2.随机读,读出页中指定的存储单元的数据,提供页地址(行地址)和页内偏移(行地址) 代码编写 1.根据NandFlash中的读时序图写出工作流程,可以通过在芯片手册中搜索operation找到相关描述 2.主要关心的是IO脚上时序的变化 3.初始化闪存分为初始化闪存控制器和闪存芯片 4.对位操作 4.1.清零 x &= ~(y<<z)   对x的z位开始的y清零 4.2.置1 x |= y<

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

转:http://blog.csdn.net/zhouzhuan2008/article/details/11053877 目录 MTD总概述 MTD数据结构 MTD相关层实现 MTD,Memory Technology Device即内存技术设备 字符设备和块设备的区别在于前者只能被顺序读写,后者可以随机访问:同时,两者读写数据的基本单元不同. 字符设备,以字节为基本单位,在Linux中,字符设备实现的比较简单,不需要缓冲区即可直接读写,内核例程和用户态API一一对应,用户层的Read函数直接

一.概述 1.NandFlash NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,比如能达到256M,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口. 2.NandFlash和NorFlash对比 Nor/Nand Flash 的差别   Nor Nand 容量 1MB~32MB 16M~512MB XIP Yes No 擦除 非常慢(5S) 快(3ms) 写 慢  快 读 快 快 可靠性 比较高,位反转的比例小于NandFlash的10% 比较低,位

目录 NandFlash学习 概述 原理图(K9F2G08U0C) 启动的引脚配置 命令概述 操作概述 Uboot下操作体验 ID与地址编码 时序初始化 程序设计 忙判断 基本操作 读NAND 擦除 写NAND 其他注意 title: NandFlash学习 tags: ARM date: 2018-10-27 20:18:48:59 --- NandFlash学习 概述 NAND是公用数据线和地址线的,所以是需要命令操作的 NAND和其他内存接口公用数据线,所以需要片选信号 NAND有位反转,