说明: 根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类:1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储@:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据. 1.nand.c #define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000)#define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004)#def

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http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都

SLC.eSLC.MLC.eMLC的区别 作为SSD主要元件的NAND闪存,我们经常见到的有SLC和MLC两种,甚至还细分出eSLC和eMLC等等,现在我们谈一下他们之间的区别.       SLC全称single-level cell,即单阶存储单元:MLC全称Multi-level cell,即多阶存储单元.因NAND闪存是一种电压元件,因此它以不同的电压范围来代表不同的数据,原理如下面图片所示:                   SLC就是在NAND闪存的每个存储单元里存储1bit的数据

本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度.闪存的写入速度往往明显慢于读取速度. NorFlas

本文转载自:http://www.veryarm.com/1200.html 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也

首先你要搞懂什么是Flash Memory? Flash Memory(快闪存储器),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度.闪存的写入速

 新版本下载: 下面的链接提供了较新版本的源码 ver4.0源码下载:u-boot for tiny210 ver4.0 ver3.1源码下载: u-boot for tiny210 ver3.1 ver3.0源码下载:u-boot for tiny 210 ver3.0 ver2.2源码下载:  u-boot for tiny210 ver2.2 ver2.1源码下载:u-boot for tiny210 ver2.2 ver2.1源码下载:u-boot for tiny210 ver2.1

前面我们的u-boot只是在内存中运行,要想在nandflash中运行,以达到开机自启的目的,还需作如下修改 一.添加DM9000网卡支持 1.修改board/fl2440/fl2440.c中的board_eth_init函数,支持DM9000网卡 #ifdef CONFIG_CMD_NET int board_eth_init(bd_t *bis) { int rc = 0; #ifdef CONFIG_CS8900 rc = cs8900_initialize(0, CONFIG_CS890

S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的处理器,采用ARM内核,不同于单片机,无片上rom与ram,必须搭配相应的外围电路进行使用,现在,让我们从零开始进行这一块MCU的学习,为了入门简单方便,前期我不会搭载任何操作系统,本手册写到哪算哪. 1.       什么是nor flash启动和nand flash启动 在任何视屏教程里面,都会告诉你一个开关左右选择就能norflash启动或者nand flash启动,norflash启动能直接运行代码,nand flash启动不能直接运

首先看一下Linux启动过程: Linux启动过程 刚开始最重要的是Bootloader的启动,Bootloader因你改改存放到哪?怎么执行?作用是啥? bootloader的烧写: 所谓烧写也就是往没有操作系统.更没有文件系统的存储器内copy文件的过程. 先转载一段关于s3c2440 nandflash启动过程的文章:http://mcuos.com/thread-7137-1-1.html 学习一下硬件方面的启动过程,这个非常有必要. <s3c2440 nandflash启动过程分析>

这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析,可能会有错误的地方,如果有这方面专家强烈欢迎指正. NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性,需要有基本的管理技术才能使用,对设计者来说,挑战主要在下面几点: 1.需要先擦除才能写入.2.损耗机制,有耐久度限制.3.读写时候造成的干扰会造成数据出错.4.数据的保存期.5.对初始和运行时候的坏块管理. 只有至少满足这些基本的管理技术,才能让NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介质

1.对于bootloader这样的程序,作为板卡刚开始启动的部分,大致的顺序是一致的,大部分都是分为两个部分,一部分是汇编编写的,一部分是用c语言编写的.一般在汇编部分完成各种初始化的操作,比如关闭看门狗,防止开发板每3s启动一次,初始化SDRAM,初始化NANDFLASH,由于希望裸板有可以工作在更加高的频率下,因此要初始化时钟,设置FCLK:HCLK:PCLK的比例,另外nandflash有个特殊操作,会将前4k大小的空间自动复制到cpu中的前4kRAM中,这时cpu这4k代码其实是将存在n

1.读readme获取信息    1.1 由Building the Software可知,需修改顶层makefile,指定架构和编译器    ifeq ($(HOSTARCH),$(ARCH))    CROSS_COMPILE ?= arm-linux-    endif ARCH = arm    CROSS_COMPILE = arm-linux-2.新建一个单板    cd board/samsung/ cp smdk2410 smdk2440 -rf  cd ../../includ

基于6U VPX的双TMS320C6678+Xilinx FPGA K7 XC7K420T的图像信号处理板 综合图像处理硬件平台包括图像信号处理板2块,视频处理板1块,主控板1块,电源板1块,VPX背板1块. 一.板卡概述 图像信号处理板包括2片TI 多核DSP处理器-TMS320C6678,1片Xilinx FPGA XC7K420T-1FFG1156,1片Xilinx FPGA XC3S200AN.实现四路千兆以太网输出,两路422输出.通过FPGA的GTX ,LVDS实现高速背板互联.采用

1.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类:•SLC (Single Level Cell): 单层式存储•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据. 2.MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上.使用寿命:SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次功耗:MLC功耗比SLC

------------------------------------------------------------------------------------------文章1------------------------------------------------------------------------------------------ 摘要 以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

前段时间,研究了一下4G的Nandflash驱动.手头上只有飞凌6410BSP自带的Nandflash驱动,该驱动不支持K9GAG08U0D(2G)和K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.所以就要先把这个Nandflash驱动搞成支持K9GAG08U0D(2G)的. 接下来要弄的就是支持K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.由于TE6410板子用的是K9GAG08U0D(2G)的Nandflash,所以先移植到支持这个Nandflash的,再进一步修改成支持K9LBG08