nand启动与nor启动的区别主要分为以下几部分说明: 1.nand flash与nor flash的最主要区别 2.s3c2440的nand启动与nor启动原理 3.nand启动与nor启动的时候uboot做了什么 1.在JZ2440开发板上有两种Flash,分别为nand flash和nor flash.这两种flash的最主要的区别为:nor flash比较稳定,存在里面的数据不易丢失,但是容量小,nor flash在读的时候可以像内存一样操作:nand flash容量大,但是存在位反转,

2010-10-08 22:26:00 A,nor flash与nand flash的一些区别 1)接口区别: NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据. 通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量

片内的ram用来存储启动代码,在2440初始化sdram之前,代码就在片内ram中运行.片内ram装载的是norflash中的内容,即u-boot. uboot放在norflash里,nandflash就存放的操作系统.所以norflash相当于电脑的bios,nanflash才是硬盘.sdram就是内存了 uboot是一级启动代码,即bootloader,用来加载操作系统(nandflash)到sdram并且执行,当然uboot还能格式化nandflash和安装新系统的功能.   追问 哎,新

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

nor flash和nand flash差别 学习嵌入式有一段时间了,刚接触nor和nand时非常是迷惑.非要逼我写一篇博客才干记清楚. 首先他们都是存储设备.统称叫做flash memory.导致他们存在差异的原因肯定是硬件上的差异了.//好似男人和女人,先有硬件的不同.才发展出来生理上的不同 导致性能和用途不同根本原因(硬件):组成存储单元的逻辑器件,nor採用与非门.nand採用或非门. 事实上所谓nor和nand是基于不同的制造技术.按字面,nor是与非门.nand是或非门,就是做IC时

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

u-boot分析(九) 上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析. 今天我们会用到的文档: 1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949 2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965 3.      

(1)读写的基本单位 应用程序对NOR芯片操作以"字"为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移. 应用程序对NAND芯片操作是以"块"为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块. (2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

[Nor Flash] Nor Flash的“读取”和RAM很类似,只要能能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据,但不可以直接进行“写”操作: Nor Flash的写操作,需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内的控制单元完成写操作: 在对Nor Flash进行写操作的时候,每个Bit可以通过编程由1变为0,但不可以由0修改为1: 为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作: 擦除操作会把Flash的一个Sector.一个Block或整片Flash的值修改为0xFF: Nor

闪速存储器 闪速(Flash)存储器是一种电可擦除可多次编程的存储器.工艺上主要有两类:或非(NOR)型阵列和与非(NAND)型阵列. 项目 读取速度 写入速度 擦除速度 特性 其他 NOR Flash 比NAND稍快一些 比NAND慢很多 远慢于NAND NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益 NOR带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地并行存取每一个字节,因此可以直接连接系统总线,构成主存. NAND Flash 比NOR稍慢一些 比NOR快很多 远快

NOR Flash是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失,支持Execut On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLash上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).嵌入式系统中年,NOR Flash适合作为启动程序的存储介质.NOR Flash的读取和RAM类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据).但是不可以直接进行写操作,对NOR Flash的写操作遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作. Flash一般分为很多个S

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

一.s3c2440启动后会将nand flash的前4K程序复制到内部的sram中,这个过程是硬件自动完成的,但是如果我们的程序远远大于4K,这个时候就需要将程序从flash拷贝到内存中来运行了. 二.nand flash 接线图可以看出,nand flash没有地址总线,是八根数据线,SDRAM和网卡有地址总接到s3c2440的地址总线了,而nand flash没有地址线,所以他们的寻址方式不一样,SDRAM和网卡的地址是CPU可以看得见的,也就是CPU统一编址,而nand flash呢?也有

一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,