为什么程序不能直接在nandflash上执行?出于这个疑惑带来了这篇博文,是我在网上找了很多资料后总结的,假如有误,希望马上指出来,免得我误人子弟.谢谢! nandflash和norflash NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RTyyyy系列EVK在串行NOR Flash调试的原理. 本文是i.MXRT硬件那些事系列第二篇的续集,在第二篇首集中痞子衡给大家详细介绍了EVK板载调试器用法,有了调试器在手,从此调试不用愁.从调试代码所在目标存储器类别上来分,调试一般分为在SRAM调试和在Flash调试.在SRAM调试实现比较简单,程序直接从JTAG/SWD口灌进RAM即可:在Flash调试,则相对复杂一点,因为首先需要有Flash下载算法,

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP. 在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash.比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序:而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上). 恩智浦i.MX

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可

[读(read)操作过程详解] 以最简单的read操作为例,解释如何理解时序图,以及将时序图 中的要求,转化为代码. 解释时序图之前,让我们先要搞清楚,我们要做的事情:那就是,要从nand flash的某个页里面,读取我们要的数据. 要实现此功能,会涉及到几部分的知识,至少很容易想到的就是:需要用到哪些命令,怎么发这些命令,怎么计算所需要的地址,怎么读取我们要的数据等等. 下面,就一步步的解释,需要做什么,以及如何去做: 1.需要使用何种命令 首先,是要了解,对于读取数据,要用什么命令. 下面是

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是i.MXRT上使用16MB以上NOR Flash软复位无法正常启动问题的分析解决经验. 痞子衡这几天在支持一个i.MXRT1050客户项目,客户遇到了软复位无法从32MB NOR Flash重新启动的问题.这个客户是做医疗设备的,已经基于i.MXRT做出一款成功的产品了,所以客户其实有丰富的i.MXRT使用经验.目前调试的项目是客户的第二款产品,这个软复位无法启动问题已经困扰他们很久,但问题毕竟不是特别紧急,不影响他们开发进度,所以

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家讲的是一个关于Segger J-Flash在Micron Flash固定区域下载校验失败的故事. 痞子衡最近在支持一个 i.MXRT1170 欧美客户,客户项目里选用了来自 Micron 的四线 NOR Flash - MT25QL256ABA8E12-0AAT 作为启动设备,一般读写倒是没有问题,但是在 Segger J-Flash 下烧写遇到了特定区域内校验失败的问题. 从痞子衡过往丰富的 Flash 支持经验来看,亚太区客户一般选用

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RT系列MCU的Bootable image格式与加载过程. 在i.MXRT启动系列第三篇文章 Serial Downloader模式(sdphost, mfgtool) 里痞子衡在介绍使用sdphost引导启动Flashloader时使用过一个名叫ivt_flashloader.bin的image文件,其实这个image文件就是Bootable image的一种,虽然痞子衡简单分析过ivt_flashloader

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RTyyyy系列EVK上板载调试器的用法. 本文是i.MXRT硬件那些事系列第二篇,第一篇痞子衡给大家整体介绍了i.MXRT官方EVK,从本文开始痞子衡将细聊EVK上的组件,今天要讲的是一个非常经典而且常用的组件 - 板载调试器.如今各大半导体厂商推出的EVK基本都会配置自己家设计的板载调试器,方便客户开箱即用,不需要自己额外准备仿真器.众所周知,在嵌入式开发里调试器的作用是非常巨大的,用好调试器可以事半功倍.那么

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔Kinetis系列MCU的KBOOT之可靠升级(Reliable Update)特性. 所谓可靠升级机制,即在更新Application过程中不论发生任何异常情况(通信异常.系统断电等)都能保证系统中至少有一份可用的Application用于恢复启动,保证系统的正常运行.可靠升级是任何鲁棒的Bootloader架构都应该要有的特性.作为一个健全的Bootloader架构,KBOOT中当然包含可靠升级特性.今天痞子衡就为大家介

ROM(Read Only Memory)和RAM(Random Access Memory)指的都是半导体存储器,ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. ROM有很多种,PROM是可编程的ROM,它和EPROM(可擦除可编程ROM)的区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这是早期的产品,现在已经不再使用,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序的一种通用存储器.另外一种EEPROM是通过电子擦除,

Nor Flash和Nand Flash的不同: 类型 NOR Flash  Nand Flash  接口 RAM-like,引脚多 引脚少 容量 小(1M.2M...) 大(512M.1G) 读 简单 复杂 写 复杂 复杂 价格 贵 便宜   无坏块.位反转 有位反转.坏块   存储一些重要的文件 可以出错的文件比如视频 xip 可以 不可以 使用uboot来体验nor Flash操作.(Nor的A0接到Soc的A1上.所以地址应该左移1位.) 1. 读数据(NOR Flash可以像内存一样直

抛开flash,自己开发实现C++ RTMP直播流播放器 众所周知,RTMP是以flash为客户端播放器的直播协议,主要应用在B/S形式的场景中.本人研究并用C++开发实现了RTMP直播流协议的播放器,结合之前做的RTMP直播采集端,可以将RTMP协议完全扩展到C/S形式的应用场景中,这将对之后的通用.全平台的流媒体架构设计和实现,打下坚实的基础. 开发的意义 RTMP直播协议,是Adobe公司推出的以flash播放器为客户端的实时直播流协议,是一种应用非常广泛的通信协议.而flash直播,也是

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块.   2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适