最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识.总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除.擦除后数据为全0xFF,此时写入操作,实际上是将数据从1改成0. 一般先擦后写,但实际上擦除后每个位置是可以写入多次的,只要每次写入都是让某些bit从1变0即可. 例如在擦除后数据为0xFF,此时写入0x0F,可读出0x0F,再写入0x01,可读出0x01,再写入0x00,可读出0x00. 而对于0x00,就无法再改写成任何值了

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

一般的Flash,只允许写时将1变成0,而不允许0变成1:仅当擦除时将0变成1.所以写全0xff是没什么意义的 以前对flash只能进行一次写很困惑,这句话解释了原因. norflash就是 对bit位进行nor的flash, nand flash就是对bit位进行!and 的flash

Nand falsh 在 u-boot 里面,是可以执行擦除操作的. 擦除整个 Nand 的命令: nand erase.chip 擦除部分区域 nand erase.spread 0x0 0x780000 意思是 擦除从 0x0 地址开始, 0x780000 长度 的数据.

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

前言 本文重点介绍flash的数据存取特性.flash的内存划分.一个简单的存取图片的内存管理方式,以及对flash写前删的时间.删后读的时间.写后读的时间进行测量的一个小实验.目的在于更全面了解flash本身特点(尤其是限制),从而方便设计出高效的内存管理驱动. 本文参考论文:闪存的存储管理及索引方法研究_赵培_华中科技大博士论文_2011年 e-mail:beautifulzzzz@qq.com 一.Flash的特点  flash有几大奇葩的特点: 闪存具有多种不用于磁盘的特性,例如:(1)

转自:http://blog.csdn.net/xgbing/article/details/18422691 版权声明:原创文章,转载请注明来自:http://blog.csdn.net/xgbing 传统的FLASH分为Nor falsh和Nand flash. (1)Nor flash Nor flash存储以块为单元,写入时必须先擦除,并且擦除和写入的速度都很慢.但nor fash具有SRAM接口,有单独的地址总线和地址总线,接口简单,就像是访问ROM一样,读取速度快,能随机访问存储单元

视屏教程里是在NOR Flash 烧写了一个supervivi然后通过superViVi配合DNW下载Uboot程序到landflash第零块,由于我电脑室64位win7,官方提供的USB下载驱动不能正确安装,在网上找了个驱动,但是数值认证搞了半天都没通过,于是找到帖子,通过norFlash的uboot下载uboot到landflash中,于是先通过j-link下载uboot.bin到norflash,使用j-flash烧写,不适用ram的话速度实在太慢,使用ram烧写总是失败,教程上说是jli

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

一.内容概述  采用STM32内部自带USB控制器外加大页NAND FLASH K9F1G08U0A实现一个128M的U盘. 1.STM32的USB控制器 STM32F103的MCU自带USB从控制器,符合USB规范的通信连接:PC主机和微控制器之间的数据传输是通过共享一专用的数据缓冲区来完成的,该数据缓冲区能被USB外设直接访问.这块专用数据缓冲区的大小,由所使用的端点数目和每个端点最大的数据分组大小所决定,每个端点最大可使用512字节缓冲区,最多可用于16个单向或8个双向端点.USB模块同P

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

ROM(Read Only Memory)和RAM(Random Access Memory)指的都是半导体存储器.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,但是访问速度快.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备,但是也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),D

[转]http://www.wowotech.net/basic_tech/367.html 0.前言 eMMC 是 Flash Memory 的一类,在详细介绍 eMMC 之前,先简单介绍一下 Flash Memory. Flash Memory 是一种非易失性的存储器.在嵌入式系统中通常用于存放系统.应用和数据等. 在 PC 系统中,则主要用在固态硬盘以及主板 BIOS 中.另外,绝大部分的 U 盘.SDCard 等移动存储设备也都是使用 Flash Memory 作为存储介质. 1. Fl

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

1.2.1. 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广