ROM是Read Only Memory的缩写.RAM是Random Access Memory的缩写.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比S

S3C6410支持多种存储设备,包括片上的Internal ROM.Internal SRAM和片外的Flash/ROM.DRAM.多种启动设备形成多种启动模式,分析如下. 本文为作者原创,转载请注明出处:https://www.cnblogs.com/leisure_chn/p/10035261.html 1. 存储系统 1.1 存储器结构 存储子系统结构如下图所示.6410的存储系统包括两个内部存储器和两个外部存储器端口(参用户手册1.1节.2.1节.4.3节): 内部存储器即集成在芯片内部

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何 时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此, 有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类.DRAM由于具有较 低的单位容量价格,所以

转:http://m.blog.csdn.net/blog/woshixiongge/9017149 Nand Flash是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听 记忆卡.体积小巧的U盘等.NAND型闪存以块为单位进行擦除操作.闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据

1,从NANDFLASH启动时,在ARM上电时,ARM会自动把NANDFLASH前4K的内容拷贝到S3C2440内部SRAM中,同时把SRAM的地址映射到0X00000000.ARM上电后会从SRAM处开始运行. 2,从NOR FLASH启动时,因为NORFLASH接在bank0.地址映射是0X00000000.所以ARM上电后直接运行NORFLASH里的程序.此时S3C2440内部SRAM地址为0X40000000. 3,ARM上电启动都是从0X00000000开始运行.但是对于复位程序入口,

1.为什么NAND FLASH不能直接运行程序     NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上.CPU运行机制为:CPU启动后是要取指令执行的,如果是SROM.NOR FLASH 等之类的,CPU 通过地址线发个地址就可以取得指令并执行,NAND FLASH不行,因为NAND FLASH 是管脚复用,它有自己的一套时序,这样CPU无法取得可以执行的代码,也就不能初始化系统了.     NAND FLASH是顺序存取设备,不能够被随机访问,程序就不能够分支或跳转,这样你如何去设

Description 首先知道A nand B=not(A and B) (运算操作限制了数位位数为K)比如2 nand 3,K=3,则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5. 给出一棵树,树上每个点都有点权,定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺次nand的结果,例如:从2号点到5号点顺次经过2->3->5,权值分别为5.7.2,K=3,那么最终结果为0 nand 5 nand 7 nand 2=7 nand 7 nand 2=0 nand 2=7,现在这棵树

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_subpage NAND flash sub-pages As it is said here, all UBI I/O should be done in fractions of min. I/O unit size, which is equivalent to NAND page size in case of NAND flash. However, some SLC NAND flas

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

用的是tiny210+1312的SDK,友善之臂给的文件系统居然有300多兆,烧写系统可是要人命了,那个等啊...所以,想着把系统给做小一点.和其他一样,我的知识仅限于理论阶段,嘿嘿.今天实践一下. 1. nand基础 nand的读写基础都是page,但是,因为没有直接操作过nand,没发现原来还有个spare.其中的spare是用来存放校验和的.也就是,实际的读写size,应该是page+spare.page的概念就烂大街了,在这里记录一下spare.Nand由于最初硬件设计时候考虑到,额外的

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为

1, 要求:在4K 的代码以内,完成 NOR NAND 类型判断,初始化 NAND 复制自身到 SDRAM ,重定向. 2, 在 /arch/arm/cpu/arm920t/ 文件夹里 添加一个 inic.c 的文件,要在这个文件里面做上面说的事情. 修改 /arch/arm/cpu/arm920t/Makefile 加入 inic.c 的 编译. extra-y = start.o obj-y += init.o obj-y += cpu.o init.c 最后有补丁文件 3, 在 start

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

[详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动  :http://www.cnblogs.com/linux-rookie/articles/3016990.html 当读写文件请求到来的时候,流程如下 1.通过vfs进入文件系统, 2.文件系统把文件读写转换为块设备读写,其中有运用算法对读写操作进行合并,排序等,最后把块设备读写放进队列 3.循环从队列中取出读写要求,然后用处理函数(blk_init_queue设置)进行处理. 这个函数就是连接上层(IO调度)跟底层(硬件操作)的桥梁,当

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.