<学渣的电子技术自学笔记>--三极管的放大区.截止区与饱和区(基于NPN型) 1.放大区   三极管输出特性曲线近似水平的部分是放大区.在放大区,\(I_C=\overline{β}I_B\).因此,放大区也被称作线性区.三极管处于放大状态时,发射结正向偏置,集电结反向偏置.对NPN型而言,\(U_{CE}>U_{BE},U_{BE}>0,U_{BC}<0\).   三极管输出特性曲线   2.截止区   \(I_B=0\)的曲线以下的区域处于截止区.此时发射结处于反偏,集电

主要区别是电流流向和电压不同:PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出,NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出.PNP管子工作在放大区时电压是,Ue>Ub>Uc,NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>UePNP管子:发射极电流 = 集电极电流 + 基极电流NPN管子:集电极电流 = 发射极电流 + 基极电流 PNP:C极接负,E极接正 NPN   C极接正,E极接负 电流流向如附图所示

上图是最终画好的电路.使用的是NPN三极管,并且把NPN三极管放在了下面.下面分析下NPN三极管作为开关管能否放在上面. 从上面两张图分析可知,当三极管作为开关管使用的时候,NPN三极管需要放在下面(E极接地),PNP三极管需要放在上面,E极接负载. 上图是使用PNP三极管作为开关管. 发现无论是NPN还是PNP作为开关管使用的时候,在BE之间都有一个电阻,这是因为,三极管的制造工艺,是的BE之间存在寄生电容.当三极管关断之后,电容继续放电,BE之间就会有电流,三极管处于放大状态,部分导通,加上

回到目录 BJT晶体管可以实现逻辑门,事实上,在场效应管被发明用于集成电路以前,各种逻辑门芯片中的电路就是用BJT晶体管来实现的.最早人们使用二极管与BJT组合来实现逻辑门,这个称为二极管-晶体管逻辑(Diode-Transistor Logic),简称DTL:后来改进为全部用BJT晶体管来实现逻辑门,这个称为晶体管-晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic),简称TTL.早期广为人知的TTL电平,就是基于这种用BJT晶体管实现的逻辑门.TTL的优点是响应速度比较快,缺

先直接截图了,暂态或者说瞬态都是暂时的状态,是从一个稳定态到另一个稳定态的过程. 之所以要了解这个概念是因为对于使用运放搭建的模拟PID有很多的疑惑,比如负反馈没有电阻满不满足"虚短"原则? 网上的答案大多都是按照已经满足"虚短""虚断"原则下进行分析的,包括积分电路也是如此. 积分电路 如果Vi保持正值,Vo输出为0,这个电路就是一个比较器,电容两端电压固定.这么分析的话跟积分半毛钱关系都没有啊... 积分的过程只能是发生在瞬态/暂态(充放电的

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

三极管反向电路,DR16的接收机接收的信号是反向的 电路描述:VEE为低电平时NPN三极管Q1截止,A点为高电平:VEE为高电平时NPN三极管Q1导通,A点为低电平:从而实现了电平反向.阻R1作用是在三极管导通后,Vbe电压钳位在0.7V,R1上分担剩余电压.电阻R2作用是提高高电平导通门限阈值,不加R2,0.7V即可导通,抗干扰能力差.加了R2,导通电压到1.7V.电阻R3作用是三极管导通后限制Ice电流,防止Ice电流过大烧坏三极管.该电路不适用于大电流负载,仅适用十几毫安到几十毫安负载的电

绝大多数的MCU爱好者对MCU晶体两边要接一个22pF附近的电容不理解,因为这个电容有些时候是可以不要的.参考很多书籍,讲解的很少,往往提到最多的是起稳定作用,负载电容之类的话,都不是很深入理论的分析.问题是很多爱好者不去关心这两个电容,他们认为按参考设计做就行了,本人也是如此,直到有一次一个手机项目就因为这个电容出了问题,损失了几百万之后,才开始真正的考虑这个电容的作用. 其实MCU的振荡电路的真名叫“三点式电容振荡电路”,请参考图片. Y1是晶体,相当于三点式里面的电感,C1和C2就是电容,

TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

点个 LED 闪亮好像太单调,这次来个光控 LED 灯.这个其实不需要 Arduino 也能做,这次只是用来演示一下 PWM 在 Arduino 里面的做法.PWM 原理后面会解释.这次用充电宝提供 5V ,对四个 LED 供电,NPN 三极管作为开关用,Arduino 接基极发 PWM 控制亮度,另外 PWM 是从光敏电阻取值而发出.就是说,通过 Arduino,环境变暗,LED 就越亮的一个控制. 这一篇主要是针对新学的朋友们,讲解或者回顾一下基本知识点. 需要的材料 整个光控灯我们需要以下

orcad元件库的查找: 如下:1.原理图常用库文件: MiscellaneousDevices.ddb: DallasMicroprocessor.ddb: IntelDatabooks.ddb: ProtelDOSSchematicLibrar: 2.PCB元件常用库: Advpcb.ddb: GeneralIC.ddb: Miscellaneous.ddb 3.分立元件库: 部分分立元件库元件名称及中英对照 AND                         与门 ANTENNA  

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出 如图是GPIO的结构原理图: 1.模拟输入 就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放进输入数据寄存器.该输入模式,使我们可以获得外部的模拟信号. 2.浮空输入 该输入状态,我的理解是,它的输入完全由外部决定,我觉得在数据通信中应该可以使用该模式.应为在数据通信中,我们直观的理解就是线路两端

按常规,在51端口(P1.P2.P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止.一般情况是这样,也有例外.所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定:另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET).使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况.当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平:当和锁存器相连的FET由截止至导通时,

1,DAC_OUT和DAC_OUTB是AD9912输出的差分信号. 2,电容器储存电荷的能力,常用的单位是F.uF.nF.pFUF大了好还是UF小了好,要根据电路自身需要而设计, 要看电路滤波是在高频上,还是低频上.一般滤高频用小电容(0.1uF.甚至nF.pF级的)反之10uF.100uF 电容一端接地另一端接电路,一般起到滤波(通过交流,隔断直流)作用. 电阻与电容并联的作用,是希望直流信号或者低频信号通过较困难,而交流信号或者高频信号较容易的通过. 3,SOT23_3P: 这个PNP管就是

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出   如图是GPIO的结构原理图:     1.模拟输入   从上图我们可以看到,我觉得模拟输入最重要的一点就是,他不经过输入数据寄存器,所以我们无法通过读取输入数据寄存器来获取模拟输入的值,我觉得这一点也是很好理解的,因为输入数据寄存器中存放的不是0就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放

原理图常用库文件:Miscellaneous Devices.ddbDallas Microprocessor.ddbIntel Databooks.ddbProtel DOS Schematic Libraries.ddbPCB 元件常用库:Advpcb.ddbGeneral IC.ddbMiscellaneous.ddb分立元件库部分 分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管)B

———————————————————————————————————————————— 常用库及部分元件名中英文对照表 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 原理图常用库文件: Miscellaneous Devices.ddb Dalla