<学渣的电子技术自学笔记>--三极管的放大区.截止区与饱和区(基于NPN型) 1.放大区   三极管输出特性曲线近似水平的部分是放大区.在放大区,\(I_C=\overline{β}I_B\).因此,放大区也被称作线性区.三极管处于放大状态时,发射结正向偏置,集电结反向偏置.对NPN型而言,\(U_{CE}>U_{BE},U_{BE}>0,U_{BC}<0\).   三极管输出特性曲线   2.截止区   \(I_B=0\)的曲线以下的区域处于截止区.此时发射结处于反偏,集电

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

先直接截图了,暂态或者说瞬态都是暂时的状态,是从一个稳定态到另一个稳定态的过程. 之所以要了解这个概念是因为对于使用运放搭建的模拟PID有很多的疑惑,比如负反馈没有电阻满不满足"虚短"原则? 网上的答案大多都是按照已经满足"虚短""虚断"原则下进行分析的,包括积分电路也是如此. 积分电路 如果Vi保持正值,Vo输出为0,这个电路就是一个比较器,电容两端电压固定.这么分析的话跟积分半毛钱关系都没有啊... 积分的过程只能是发生在瞬态/暂态(充放电的

1.输入失调电压(Input Offset Voltage) VOS    若将运放的两个输入端接地,理想运放输出为零,但实际运放输出不为零.此时,用输出电压除以增益得到的等效输入电压称为输入失调电压.    其值为数mV,该值越小越好,较大时增益受到限制. 2.输入失调电压的温漂(Input Offset Voltage Drift),又叫温度系数 TC VOS    一般为数uV/.C 3.输入偏置电流(Input Bias Current) IBIAS    运放两输入端流进或流出直流电流

N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合

主要涉及到string类的两个函数find和substr: find()函数的用法: 原型:size_t find ( const string& str, size_t pos = 0 ) const;功能:查找子字符串第一次出现的位置.参数说明:str为子字符串,pos为初始查找位置.返回值:找到的话返回第一次出现的位置,否则返回string::npos //find函数返回类型 size_type string s("1a2b3c4d5e6f7g8h9i1a2b3c4d5e6f7g

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

回到目录 1. 恒流源 (1)简易恒流源 用BJT晶体管可以构造一个简易的恒流源,实现电路如下: 图3-11.01 前面我们在射极放大电路的分压偏置时讲过,分压偏置具有非常好的稳定性,几乎不受晶体管的β参数偏移的影响,因此可以用这个分压偏置电路来实现恒流源.其电路计算方法与分压偏置也是类似的: 基极电压VB为: 发射极电压VE为: 最终输出电流为: 当然,这个恒流源假设BJT晶体管工作在正常的放大区内,所以负载的阻值RL不能太大,否则RL上会产生过大的压降,迫使VCE变小直至小于VCEsat而进

回到目录 BJT晶体管可以实现逻辑门,事实上,在场效应管被发明用于集成电路以前,各种逻辑门芯片中的电路就是用BJT晶体管来实现的.最早人们使用二极管与BJT组合来实现逻辑门,这个称为二极管-晶体管逻辑(Diode-Transistor Logic),简称DTL:后来改进为全部用BJT晶体管来实现逻辑门,这个称为晶体管-晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic),简称TTL.早期广为人知的TTL电平,就是基于这种用BJT晶体管实现的逻辑门.TTL的优点是响应速度比较快,缺

首先咱们要搞清楚咱们自动刷机的原理,不谈修改固件那么高深的东西,简单的就是控制开机键. 使用继电器来控制基本上算是上个世纪的想法吧,之前博主也做过,做出来的感觉其实也很不错,就像是一个收藏品.因为继电器体积庞大,而且在工作的时候,吸合动作耗费的能量也比较大,不过最终效果还是不错的. 今天博主换了个思路,使用一个三极管来做开关,如果有朋友学过一些数字电路基础,应该秒懂其中的奥妙,但是对于不太懂数字电路的朋友来说就有点云里雾里了.一个小小的三极管怎么做开关呢? 博主先要给个三极管的简单介绍: 三极管

绝大多数的MCU爱好者对MCU晶体两边要接一个22pF附近的电容不理解,因为这个电容有些时候是可以不要的.参考很多书籍,讲解的很少,往往提到最多的是起稳定作用,负载电容之类的话,都不是很深入理论的分析.问题是很多爱好者不去关心这两个电容,他们认为按参考设计做就行了,本人也是如此,直到有一次一个手机项目就因为这个电容出了问题,损失了几百万之后,才开始真正的考虑这个电容的作用. 其实MCU的振荡电路的真名叫“三点式电容振荡电路”,请参考图片. Y1是晶体,相当于三点式里面的电感,C1和C2就是电容,

本文从本人的163博客搬迁至此. 想设计几个实验,既能展示NI的LabVIEW和数据采集卡的功能特点,又能够让普通电类专业本科学生可以理解,自然首先想到了<电子技术基础>课程的内容.第一个例子采用了“绘制晶体三极管输出特性曲线”的例子,原因有三:其一,作为<模拟电子技术>课程的基本内容,基本上所有电类专业的学生都学过三极管输出特性曲线:其二,这个例子既要控制基极电流和集电极电压,又要测量集电极电流,特别适合既有A/D又有D/A转换功能的数据采集卡来完成:其三,LabVIEW强大的绘

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

PSpice的主要功能及特点: OrCAD软件的主要组成包括:OrCAD/Capture CIS.OrCAD/Layout Plus.OrCAD/Express及OrCAD/PSpice.它们分别是:电路图设计.电路板设计.可编程逻辑器件设计及模拟/数字混合电路仿真.电路原理图绘制后可直接进行仿真及设计.与同一个电路设计相关的电路原理图.仿真和设计中采用的参数设置.设计资源.生成的各种文件.分析结果等内容都由Project Manager统一管理. 下面主要介绍OrCAD/Capture CIS

PSpice A/D9.1个别时候可能会出现异常现象,例如:某一步后,突然电路图的电源极性被自动改变了!造成直流电压和直流电流不正常,输出无波形.所以应该趁正常的时候做好备份是明智的. PSpice A/D9.1没有提供变压器仿真,但是可以用一个磁芯和3只电感来模拟. PSpice A/D9.2提供了变压器仿真库模块. 默认环境温度是27℃. 电阻的单位是:(Ω)(默认),K(Ω),MEG(MΩ):允许使用4R7.4K7的标注方法:但是,0.1Ω不能标成容易混淆的R1,也不支持4M7或4MEG7

Proteus传感器+气体浓度检测的报警方式控制仿真 目录 Proteus传感器+气体浓度检测的报警方式控制仿真 1 实验意义理解 2 主要实验器件 3 实验参考电路 4 实验中的问题思考 4.1 实现转动的风扇 4.2 控制部分 5 实验参考代码 1 实验意义理解 基于前两个实验,我们已经成功的实现: 对传感器的数据进行采样.转换 拟合采样值 对拟合的数据在HDG12864F-1显示屏上显示 似乎,该得到的数据已经拿到了,还能干啥? 是的,我们还能利用数据干一些东西,比如说当这个气体浓度超范围

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