首页
Python
Java
IOS
Andorid
NodeJS
JavaScript
HTML5
npn型3极管集电极接近vcc为啥q点接近截止区
2024-11-05
《学渣的电子技术自学笔记》——三极管的放大区、截止区与饱和区(基于NPN型)
<学渣的电子技术自学笔记>--三极管的放大区.截止区与饱和区(基于NPN型) 1.放大区 三极管输出特性曲线近似水平的部分是放大区.在放大区,\(I_C=\overline{β}I_B\).因此,放大区也被称作线性区.三极管处于放大状态时,发射结正向偏置,集电结反向偏置.对NPN型而言,\(U_{CE}>U_{BE},U_{BE}>0,U_{BC}<0\). 三极管输出特性曲线 2.截止区 \(I_B=0\)的曲线以下的区域处于截止区.此时发射结处于反偏,集电
NPN/PNP和N沟道/P沟道负载的接法
N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合
双T型陷波滤波器
有时,我们需要设计个滤波器滤除特定一个频率的噪音.这时就需要陷波滤波器了. 陷波器是带阻滤波器的一种,带阻滤波器的滤除频率有一定宽度,而陷波就是对某一个频率噪音的滤除. 双T型陷波滤波器应该是最常见的陷波滤波器,下面就简单介绍一下这种滤波器的特性. 最基本双T型结构如图1所示. 图 1 双T型基本结构 上图中各器件的值要满足如下的关系. C1=C2=C,C3=2C. R1=R2=R,R3=R/2 对上图中的电路列写电路方程如下: 略加计算可以得到: 可以看出上面的式子都是典型的二阶系统.所以有下
Python 通过字符串调用函数、接近属性
需求:传入的是函数名.属性名,想通过字符串调用函数,接近属性. 通过字符串接近.变动属性 变量:model_name, field_name # 获取 model model = AppConfig.get_model(model_name) # 获取 field_name 的值 getattr(model, field_name) # 变动 field_name 对应的值,比如 + 1 # 使用 Django F from django.db.models import F reporter
Codeforces 149D Coloring Brackets(树型DP)
题目链接 Coloring Brackets 考虑树型DP.(我参考了Q巨的代码还是略不理解……) 首先在序列的最外面加一对括号.预处理出DFS树. 每个点有9中状态.假设0位不涂色,1为涂红色,2为涂蓝色. 0:0 0 1:0 1 2:0 2 3:1 0 4:1 1 5:1 2 6:2 0 7:2 1 8:2 2 其中1.2.3.6为有效的状态. DP的时候如果当前括号下没有子括号那么这个状态方案数为1. 先处理出第一对括号.然后处理接下来的括号. 拼接的时候如果出现()() 中间两个括号同时
单片机I/O口的结构的详解
1.什么是源型 漏型?什么是上拉电阻?下拉电阻?什么是 线驱动输出 集电极开路输出,推挽式输出? 我们先来说说集电极开路输出的结构.集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”).对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合):当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后
模电&数电知识整理(不定期更新)
模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的
初级模拟电路:3-11 BJT实现电流源
回到目录 1. 恒流源 (1)简易恒流源 用BJT晶体管可以构造一个简易的恒流源,实现电路如下: 图3-11.01 前面我们在射极放大电路的分压偏置时讲过,分压偏置具有非常好的稳定性,几乎不受晶体管的β参数偏移的影响,因此可以用这个分压偏置电路来实现恒流源.其电路计算方法与分压偏置也是类似的: 基极电压VB为: 发射极电压VE为: 最终输出电流为: 当然,这个恒流源假设BJT晶体管工作在正常的放大区内,所以负载的阻值RL不能太大,否则RL上会产生过大的压降,迫使VCE变小直至小于VCEsat而进
常见电子元器件检测方法。——Arvin
电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1.测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打
【转】学习MOS管技术知识,这篇文章就够了!
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3
说说M451例程讲解之LED
/**************************************************************************//** * @file main.c * @version V3.00 * $Revision: 3 $ * $Date: 15/09/02 10:03a $ * @brief Demonstrate how to set GPIO pin mode and use pin data input/output control. 演示如何设置GPI
【转】上拉下拉电阻、I/O输出(开漏、推挽等)
作者:BakerZhang 链接:https://www.jianshu.com/p/3ac3a29b0f58来源:简书 感谢! —————————————————————————————————————————————— 第一部分:上拉电阻&下拉电阻 文章摘自:http://www.360doc.com/content/16/0315/06/29864439_542282998.shtml 是不是经常听别人讲,加个上拉电阻试试看,加个下拉电阻试试看,是不是还在疑惑上下拉电阻是什么,该怎么用,什
初级模拟电路:3-2 BJT的工作原理
回到目录 和前面介绍二极管的PN结的工作原理一样,BJT的量子级工作机制也非常复杂,一般教科书上为了帮助学习者能快速理解,也都是用一种简化模型的方法来介绍BJT的工作机理,一般只需大致了解即可.只要记住关键的一点:BJT本质上是一种流控电流源(CCCS).它可以用一个较小的基极电流控制一个较大的集电极电流.与此类似的,晚几年发明的场效应管(FET)是一种压控电流源(VCCS),它用一个较小的电压来控制一个较大的电流. 1. BJT的结构 BJT由三层掺杂半导体构成,下面是npn型和pnp型B
OrCAD 仿真与仿真模块库介绍
PSpice A/D9.1个别时候可能会出现异常现象,例如:某一步后,突然电路图的电源极性被自动改变了!造成直流电压和直流电流不正常,输出无波形.所以应该趁正常的时候做好备份是明智的. PSpice A/D9.1没有提供变压器仿真,但是可以用一个磁芯和3只电感来模拟. PSpice A/D9.2提供了变压器仿真库模块. 默认环境温度是27℃. 电阻的单位是:(Ω)(默认),K(Ω),MEG(MΩ):允许使用4R7.4K7的标注方法:但是,0.1Ω不能标成容易混淆的R1,也不支持4M7或4MEG7
[Fundamental of Power Electronics]-PART I-4.开关实现-4.2 功率半导体器件概述
4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS
三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V
三极管的妙用之C118自动刷机
首先咱们要搞清楚咱们自动刷机的原理,不谈修改固件那么高深的东西,简单的就是控制开机键. 使用继电器来控制基本上算是上个世纪的想法吧,之前博主也做过,做出来的感觉其实也很不错,就像是一个收藏品.因为继电器体积庞大,而且在工作的时候,吸合动作耗费的能量也比较大,不过最终效果还是不错的. 今天博主换了个思路,使用一个三极管来做开关,如果有朋友学过一些数字电路基础,应该秒懂其中的奥妙,但是对于不太懂数字电路的朋友来说就有点云里雾里了.一个小小的三极管怎么做开关呢? 博主先要给个三极管的简单介绍: 三极管
TensorFlow之DNN(二):全连接神经网络的加速技巧(Xavier初始化、Adam、Batch Norm、学习率衰减与梯度截断)
在上一篇博客<TensorFlow之DNN(一):构建“裸机版”全连接神经网络>中,我整理了一个用TensorFlow实现的简单全连接神经网络模型,没有运用加速技巧(小批量梯度下降不算哦)和正则化方法,通过减小batch size,也算得到了一个还可以的结果. 那个网络只有两层,而且MINIST数据集的样本量并不算太大.如果神经网络的隐藏层非常多,每层神经元的数量巨大,样本数量也巨大时,可能出现三个问题: 一是梯度消失和梯度爆炸问题,导致反向传播算法难以进行下去: 二是在如此庞大的网络中进行训
TTL与非门电路分析
TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏
AltiumDesigner元器件搜索中英文对照
个人常用 扬声器 spearker 计量表(电流表,电压表) meter 变压器 Trans CT 肖特基二极管 D Schotty 额外补充 英文名称 中文释义 2N3904 NPN型通用放大器 2N3906 PNP型通用放大器 ADC-8 通用的8位AD转换器 Antenna 天线 Battery 电池组 Bell 铃 Bridgel 整流桥堆 Buzzer 蜂鸣器 Cap 电容 Cap Feed 穿心电容器 Cap Semi 半导
热门专题
rx与tx电压是多少
wpf 定义datagrid样式
delphisockett获取IP包
vmware启动虚拟机报错GUID
ubuntu16.04输入密码后进不了桌面系统
nodejs 作为服务启动
DDL语言和DML语句相关的应用业务或功能
Java语言中,通常使用方法的重载和覆盖实现类的 什么
网页让一个正方形居中
js解析xml放到页面显示
droidcam设置高分辨率
go语言二维数组初始化
webpack生命周期
mysql严格模式开启
react native measure 兼容性
Androidstudio switch组件应用场景
opencv 转QImage
matplotlib set_ylabel 不显示
latex中打开默认定义的文件
易语言怎么让一个控制台程序不显示黑框