最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

PMOS: NMOS: NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通.PMOS是栅极低电平(VGS < Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通. PMOS 和 NMOS使用总结 上图为USB OTG电源管理分离电路 分析如下 1)假定左侧无电压,右侧为5V U14左侧三极管关闭右侧三极管导通,导致Q3 PMOS管关闭,结果为右侧电流无法流入左侧: 2)假定左侧为5V,右侧无电压 U14左侧三极管导通右侧三极管关闭,导致Q3 PMOS管导通,结果

最近在分析波形的时候,发现某个PAD模型的行为与想象的不一致,就进入stdcell里面看了下,主要是pmos和nmos相关的东西,暂列如下: 开关级基元14种 是实际的MOS关的抽象表示,分电阻型(前缀r表示)和非电阻型: (1)MOS开关 ·nmos开关:控制信号高,开关导通,否则关闭: ·pmos开关:控制信号低,开关导通,否则关闭: ·cmos开关:模拟了nmos和pmos开关的组合,一般ncontrol和pcontrol是互补信号:coms 实例名(out,data,ncontrol,p

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

1,名称来源 p,n指示的是生成的沟道类型 2,驱动逻辑0与逻辑1 一般用NMOS驱动逻辑0,用PMOS驱动逻辑1.

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

转自VCC,VDD,VEE,VSS,VPP 表示的意义 VCC,VDD,VEE,VSS,VPP 表示的意义 版本一: 简单说来,可以这样理解: 一.解释 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压: VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压: VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压: VEE:负电压供电: VPP:编程/擦除电压. 二.说明 1.对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc

转载自:http://www.cnblogs.com/asus119/archive/2011/10/11/2206841.html 版本一: 简单说来,可以这样理解: 一.解释 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压: VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压: VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压: VEE:负电压供电: VPP:编程/擦除电压. 二.说明 1.对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是

电路设计以及PCB制作中,经常碰见电源符号:VCC. VDD.VEE.VSS,他们具有什么样的关系那? 一.解释 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压 VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压; VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压 二.说明 1.对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点. 2.有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构

Linux /ˈlɪnəks/ /ˈlɪnʊks/(EU) Linux 是一类 Unix 计算机操作系统的统称.该操作系统的核心的名字也是“ Linux” .参考: < !-- m --> http://upload.wikimedia.org/wikipedia/c ... -linux.ogg < !-- m --> GNU /ɡəˈnuː/ GNU 通用公共许可协议(英语: GNU General Public License ,简称 GNU GPL 或 GPL ),是一个广

VCC. VDD.VEE.VSS 版本一: 简单说来,可以这样理解: 一.解释 VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压: VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压: VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压: VEE:负电压供电: VPP:编程/擦除电压. 二.说明 1.对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点. 2.有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说

1 数字IC(ASIC)设计流程: IC设计分为前端和后端.前端设计主要将HDL语言-->网表,后端设计是网表-->芯片版图. 前端主要有需求分析与架构设计.RTL设计.仿真验证.逻辑综合.STA.形式验证.后端主要包括DFT.布局规划.布线以及版图物理验证. 2 MCU结构: 它是由CPU系统.程序存储器(ROM).数据存储器(RAM).各种I/O端口.基本功能单元(定时器/计数器等)组成. 3 低功耗技术: 功耗可用公式描述:Power = KFCV^2,即功率等于常数系数*工作频率*负载

端口概述 在STM32中,每个I/O端口可以由软件配置成为输入/输出模式.复位期间或刚复位后,I/O端口被配置成浮空输入模式.所有的GPIO引脚有一个内部弱上拉和弱下拉,当配置为输入时, 它们可以被激活或者是断开. 所有的端口都有外部中断的能力. AF功能:对于复用功能,端口必须配置成复用功能输出模式.当软件把一个GPIO脚配置成复用输出功能,但是外设没有被激活,它的输出将不确定.还可以进行软件重映射I/O复用功能. 输入模式 四种输入模式:上拉输入.下拉输入.浮空输入.模拟输入. 以上电路由右

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

第7章     使用寄存器点亮LED灯 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F429规格书>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>"通用I/O(GPIO)"章节一起阅读,效果会更佳,特别是涉及到寄存器说明的部分.关于建立工程时使用KEIL5

最近在调试MOSFET电路中,发现了更多问题,比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作,却对NMOS不能很好控制.当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀,这自然没有错,我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响,但是这些差异最终体现在哪些具体的地方,我仍然是含糊不清的.这最集中体现在当我拿到一个商家给的MOSFET的参数表时,很多参数我都不明白什么意思.比如下面两个链接给出的参数表: http://www.mouser.com/ds/2/205/DS99975B(IXTN1

三极管是流控型器件,MOS管是压控型器件,两者存在相似之处.三极管机可能经常用,但MOS管你用的可能较少.对于MOS管先抛出几个问题: 如何区分P-MOS和N-MOS: 如何区分MOS的G.D.S管脚: MOS管的寄生二极管方向如何: MOS管如何导通: 带着这几个问题,再看下面的内容,你会理解的更快.更多. 通过这8张图片,是不是就很容易搞懂MOS管了?有没有搞懂来练练手再说. 来源

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构