N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合

上图是最终画好的电路.使用的是NPN三极管,并且把NPN三极管放在了下面.下面分析下NPN三极管作为开关管能否放在上面. 从上面两张图分析可知,当三极管作为开关管使用的时候,NPN三极管需要放在下面(E极接地),PNP三极管需要放在上面,E极接负载. 上图是使用PNP三极管作为开关管. 发现无论是NPN还是PNP作为开关管使用的时候,在BE之间都有一个电阻,这是因为,三极管的制造工艺,是的BE之间存在寄生电容.当三极管关断之后,电容继续放电,BE之间就会有电流,三极管处于放大状态,部分导通,加上

0. 总结 NPN适合做低端驱动,即PN结在下面(低端),发射极E接地. PNP适合做高端驱动,即PN结在上面(高端),发射极E接VCC. Tips:标箭头的PN结,中间的是基极B,外头是E极. 1. 简述 三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反: NPN和PNP的电流方向.电压极性相反. 1)NPN :以B→E 电流控制C→E 电流. 正常放大时,  即VC > VB > VE 2)PNP :以E→B 电流控制E→C 电流. 正常放大时,  即VE >

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

[原创]:这段时间开始研究stm32,今天撸着一段代码一直追,追到了GPIO口模式的枚举类型这里,遂去网上查看这8种模式到底是什么,网上一查,看到了一个答案被很多博主转载或者原创,那我也就不重复废话了,直接也转过来,方便我以后查看.因为我也不能确定哪一个是真正的原创者,所以如果原创者看到我这篇博文,又不同意我转发,望告知,我一定尊重您的意愿. [转载]: 一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出 如图是GPIO的结构原理图: 1.模拟输入 就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放进输入数据寄存器.该输入模式,使我们可以获得外部的模拟信号. 2.浮空输入 该输入状态,我的理解是,它的输入完全由外部决定,我觉得在数据通信中应该可以使用该模式.应为在数据通信中,我们直观的理解就是线路两端

一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度. 二.开漏输出:输出端相当于三极管的集电极,要得

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出   如图是GPIO的结构原理图:     1.模拟输入   从上图我们可以看到,我觉得模拟输入最重要的一点就是,他不经过输入数据寄存器,所以我们无法通过读取输入数据寄存器来获取模拟输入的值,我觉得这一点也是很好理解的,因为输入数据寄存器中存放的不是0就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放

一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.形象点解释:推挽,就是有推有拉,任何时候IO口的电平都是确定的,不需要外接上拉或者下拉电阻.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式

端口概述 在STM32中,每个I/O端口可以由软件配置成为输入/输出模式.复位期间或刚复位后,I/O端口被配置成浮空输入模式.所有的GPIO引脚有一个内部弱上拉和弱下拉,当配置为输入时, 它们可以被激活或者是断开. 所有的端口都有外部中断的能力. AF功能:对于复用功能,端口必须配置成复用功能输出模式.当软件把一个GPIO脚配置成复用输出功能,但是外设没有被激活,它的输出将不确定.还可以进行软件重映射I/O复用功能. 输入模式 四种输入模式:上拉输入.下拉输入.浮空输入.模拟输入. 以上电路由右

推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定. 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度. 二.开漏输出:输出端相当于三极管的集电极,要得到高电平状态需要上拉

双向可控硅工作原理与特点 从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础 单向可控硅 单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P.N.P.N和A.K.G三个接线极.把图一按图1-b 所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管. 在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示,当阳极-阴极(A-K)接上正向电压V后,只要栅极G接通触发电源Vg

STM32的GPIO介绍 STM32引脚说明 GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚.GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯.控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能. STM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA.GPIOB.GPIOC.GPIOD.GPIOE.GPIOF.GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口.通常简略称为PAx.PBx.PCx.PDx.PEx.PFx.PGx,其中x为

该文摘自:http://blog.csdn.net/kevinhg/article/details/17490273 一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也

CSDN:http://blog.csdn.net/l20130316 博客园:http://www.cnblogs.com/luckyalan/ 1 综述 I/O口是单片机中非常常用的外设,STM32的I/O口有8种状态,虽然一直在使用过程中没有遇到什么问题,但是一直都不是很清楚,因此这里做一个总结(实际上这里的概念也是和STM8等其他单片机,理解了这8中状态,也就基本上理解了大部分I/O口). 2 庐山真面目 我们在库文件中的"stm32f10x_gpio.h"中可以看到如下代码:

未完,待续...... 本实现是基于一个开发箱,包括:综合应用开发系统主板XT-EDU-AK   1套: 手持终端系统 XT-EDU-HK 1套: GPIO操作 工程: 这是一个关于流水灯的程序: 我们先看主函数: #include <stdbool.h>#include <stdint.h>#include "nrf_delay.h"#include "nrf_gpio.h"      //这里面有关于gpio的操作,似乎只有.h文件,没有

(1)保护二极管 引脚内部加上这两个保护二级管可以防止引脚外部过高或过低的电压输入, 当引脚电压高于 VDD_FT 或 VDD 时,上方的二极管导通吸收这个高电压,当引脚 电压低于 VSS 时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁. 尽管 STM32 芯片内部有这样的保护,但并不意味着 STM32 的引脚就无所不能,如 果直接将引脚连接大功率器件,比如电机,那么要么电机不转,要么烧坏芯片. 如果要驱动一些大功率器件,必须要加大功率及隔离电路驱动.也可以说 STM32 引脚是用来做

已经了解了STM32 GPIO的基本概念及引脚分类.现在来看下STM32 GPIO内部的结构是怎样的.IO端口位的基本结构如下图所示. 从图中可以看出GPIO内部结构还是比较复杂的,只要将这张GPIO结构图理解好,那么关于GPIO的各种应用模式将非常清楚.图中最右端I/O端口就是STM32芯片的引脚,其它部分都在STM32芯片内部.上图中我们将每部分都用红色数字标号了,按照顺序我们逐一讲解. 保护二极管 引脚内部加上这两个保护二级管可以防止引脚外部过高或过低的电压输入,当引脚电压高于VDD_FT

一.GPIO基本结构 二.GPIO工作模式 输入模式 输入浮空 输入上拉 输入下拉 模拟输入 输出模式 开漏输出 开漏复用功能 推挽式输出 推挽式复用功能 库函数中所对应的代码 1 typedef enum 2 { 3 GPIO_Mode_AIN = 0x0, /* 模拟输入 */ 4 GPIO_Mode_IN_FLOATING = 0x04, /* 浮空输入,复位后的状态 */ 5 GPIO_Mode_IPD = 0x28, /* 下拉输入,这里的下拉是指单片机内部的电阻 */ 6 GPIO_

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

​ 一.前言 万物皆有源头,大家学习单片机的源头操作就是通过GPIO口点灯,GPIO作为STM32最基础的外设,也是大家最先接触的外设.当然,看似基础的GPIO,不仅仅是简单的设置好IO口,让灯亮起就一了百了,了解清楚GPIO的使用特性,根本原理.运行机制对我们在涉及到GPIO的相关设计操作上会应用的更加自如. GPIO就是通用输入/输出接口(General-Purpose IO ports),可以配置成输出模式来控制外部设备,也可以配置成输入模式来读取外部信号,是STM32的一种外设,连接芯片