SDRAM是做嵌入式系统中,常用是的缓存数据的器件.基本概念如下(注意区分几个主要常见存储器之间的差异): SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器.同步 是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵 列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失,因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的,大家知道电容在自然放置状态是会有放电的,如果电放完了,也就意味着SDRAM中的数据丢失了,所

SDRAM读写一字 系统设计 SDRAM指令 指令 常量名 CKE CSn RAS CASn WEn 备注 空操作 NOP 1 0 1 1 1   行激活 ACTIVE 1 0 0 1 1   读操作 READ 1 0 1 0 1   写操作 WRITE 1 0 1 0 0   预充电 PR 1 0 0 1 0   自刷新 AR 1 0 0 0 1   设置寄存器 LMR 1 0 0 0 0   突发停止 BURST_STOP 1 0 1 1 0 1 SDRAM初始化 SDRAM控制模块发送初始

2.SDRAM内存工作原理 上面产生的误解关于 Bank ,这个bank 不是 和 S3C2440 芯片有关系(RAM 自身有bank , SDRAM 自身也有bank ,就像书 有 好几章节一样) 所以人们在 SDRAM内部分割成多个 L-Bank,目前基本都是 4个(这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量),由此可见,在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank,然后在这个选定的 L-Bank中选择相应的行与列进行寻址.因此对内存的访问,一次只能是一个 L-Bank工作.如图2-50 当

本文是在前面设计好的简易SDRAM控制器的基础上完善,逐步实现使用SDRAM存储视频流数据,实现视频图像采集系统,CMOS使用的是OV7725. SDRAM控制器的完善 1. 修改SDRAM的时钟到100Mhz 系统时钟提了上来下面对应的时间参数就需要注意,再50Mhz下的这些时间参数的计数器的都需要做相应的修改. 2. 写入一幅图像(640 * 480)到SDRAM 640 * 480 = 307200个数据 307200 / 256 = 1200行,所以我们只需要写入1200行数据写满即可.

It’s coming up on a year since we published our last memory review; possibly the longest hiatus this section of the site has ever seen. To be honest, the reason we’ve refrained from posting much of anything is because things haven’t changed all that

本章参考资料:< STM32F4xx 参考手册 2>.< STM32F4xx 规格书>.库帮助文档< stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>.关于 SDRAM 存储器,请参考前面的“ 常用存储器介绍”章节,实验中 SDRAM 芯片的具体参数,请参考其规格书< IS42-45S16400J> 来了解. SDRAM 控制原理STM32 控制器芯片内部有一定大小的 SRAM 及 FLASH 作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存

一． 介绍 存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出正确的存储单元.这样,整

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册2>.<STM32F7xx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>. 关于SDRAM存储器,请参考前面的“常用存储器介绍”章节,实验中SDRAM芯片的具体参数,请参考其规格书<W9825G6KH>来了解. 26.1  SDRAM控制原理 STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的

第26章     FMC—扩展外部SDRAM 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册2>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 关于SDRAM存储器,请参考前面的"常用存储器介绍"章节,实验中SDR

在实时显示时,为了保证画面显示的完整性需要对SDRAM进行乒乓操作. SDRAM 中有 4 个bank ,地址分别为00 01 10 11,后面将用 0 1 2 3来描述 bank 0和1 作为第一个乒乓块,简称 P_1 bank 2和3 作为第二个乒乓块,简称 P_2 乒乓操作的步骤 1.将第 1 帧数据存入 P_2 中, 当 P_2 中完整的存储了第 1 帧图像数据后,然后进入乒乓操作. 2.将第 2 帧数据存入 P_1 , 同时从 P_2 中读取存储的第 1 帧数据. 此时共有3种状态 第

1.SDRAM原理 black (1)SDRAM内部存储结构: (2)再看看与2440连接的SDRAM原理图: sdram引脚说明: A0-A12:地址总线 D0-D15:数据总线(位宽16,2片级联成位宽32) BA0-BA1:bank选择 nSCS:片选 nSRAS:行地址选择 nSCAS:列地址选择 nWE:写使能 SCLK:时钟 SCKE:时钟使能 (3)SDRAM的地址范围: 之前我们讲"二.不同位宽外设与CPU地址总线的连接"这一节的时候,我们留下了一个问题,SDRAM的地

一．             介绍 存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出

12.1 SDRAM 介绍 12.1.1 SDRAM 定义 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):同步动态随机存储器-内存条 同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准: 动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:   对比:SRAM(静态的-触发器) 随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写  对比:Flash(块) DDR:DDR就是DDR SDRAM,是SDRAM的升级版.(DDR

文章目录 一.内部结构 二.相关寄存器 BWSCON BANKCON6 REFRESH BANKSIZE MRSR 三.读写SDRAM SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写 一.内部结构 原理图如下: 存储逻辑结构: 可以看出SDRAM的内部是

BIOS是电脑中最基础且最重要的程序,为电脑提供最低级且最直接的硬件控制,电脑的原始操作都是依照固化在BIOS里的程序来完成的.因此如果BIOS出现故障将会导致影响电脑的正常工作.BIOS故障有很多,根据常见的BIOS故障现象及其产生的原因,可以通过相应的办法进行维修. [技术53]BIOS常见故障现象 BIOS出现的故障现象主要表现在以下几个方面. (1)电脑启动时,出现CMOS checksum error-Defaults loaded提示. (2)开机后提示CMOS Battery St

U-boot 下DM驱动模型的相关笔记要注意的关键两点: DM驱动模型的一般流程bind->ofdata_to_platdata(可选)->probe    启动,bind操作时单独完成的,主要完成设备和驱动的绑定,以及node 注:node是匹配到驱动的设备节点 之间的连接.ofdata_to_platdata(可选)->probe 则是在device_probe函数中完成的. 明确了以上两点,接下来就开始展开分析U-boot下设计到驱动模型的一半流程,我依据的是U-boot 2018

SDRAM: 原理图如下:          jz2440 v3开发板上面用的内存芯片为钰创科技公司生产的EM63A165TS,一片内存大小为32MB大小,一共有两块,共64MB的大小. SDRAM接的是BANK 6,所以他的起始地址是 0x30000000. SDRAM的基本寻址关系 SDRAM的存储结构逻辑如上图,  SDRAM内部是一个存储阵列,阵列就如同表格一样,将数据"填进去".和表格的检索原理一样,先指定一个行,再指定一个列,两点确定一个坐标,就可以准确地找到所需要的 单元

完整教程下载地址:http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第47章       STM32H7的FMC总线基础知识和HAL库API 本章节为大家讲解并行总线接口FMC(Flexible memory controller,灵活动态存储器),用到的地方比较多,比如V7开发板外接DM9000,SDRAM,OLED,AD7606,NAND,扩展IO等都有用到. 47.1 初学者重要提示 47.2 FMC基础知识 47.3 FMC的

SDRAM 芯片讲解: 地址: 行地址 (A0-A12) 列地址 (A0-A8)    片选信号(BA0 BA1)(L-BANK)(因为SDRAM有 4片) 两片SDRAM 连线唯一区别在 UDQM LDQM DQM0 ---片1 LDQM DQM1----片1 UDQM DQM2----片2  LDQM DQM3---片2   UDQM ———————————————————————————————————————————————————————————— 1.读操作(见杨铸 121) 地址线

(1) 容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M字节.或128 M bit. (2) 时钟周期.它代表SDRAM所能运行的最大频率.显然,这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高. 对于一片普通的PC-100 SDRAM来说,它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10  ns,即可以在100 MHz的外频下正常工作.例如芯片上标有7.5,表示它可以运行在133MHz的频

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取