sdram的全页读写是多少

2024-11-01

SDRAM---页读写

SDRAM---页读写 1.SDRAM页访问一页通俗的来讲就是一行. SDRAM页写操作时序图: 2.DDR(经常被提起,但是我和你不熟) DDR的连续访问操作给DDR一个write命令,同时给出Bank,Col的信息,在WL=2时间后,如果给出下一个write命令和Bank,Col信息,则DDR可以实现连续写操作. 3.SDRAM页读写操作初始化 4.SDRAM页读操作页读操作的时序: 5.SDRAM单字读写操作

【黑金原创教程】【FPGA那些事儿-驱动篇I 】实验二十：SDRAM模块③ — 页读写 α

实验二十:SDRAM模块③ — 页读写 α 完成单字读写与多字读写以后,接下来我们要实验页读写.丑话当前,实验二十的页读写只是实验性质的东西,其中不存在任何实用价值,笔者希望读者可以把它当成页读写的热身运动. 表示20.1 Mode Register的内容. Mode Register A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 OP Code 0 0 CAS Latency BT Burst Length A3 Burst Type 0 Sequ

转-友晶Sdram_Control_4Port的全页操作Bug？

http://www.cnblogs.com/edaplayer/p/3678897.html 以前在学校初学fpga的时候碰到sdram就搞不定了,现在突然发现网上有好多现成的代码,友晶的,altera有个Mobile_DRAM_Altera_MAX_II_CPLD_Design_Example版本的,呵呵,拿来主义确实不错,以后有机会再自己试着写写. 但是在用Sdram_Control_4Port的时候发现,全页写的时候图像数据出错,刷屏位置与预期有很大出入,而且只有vga横条显示是正常的,

magento 全页缓存

全页缓存能极大的提高网页的响应速率,但magento社区的商用全页缓存工具都很贵,但是有一款免费的叫ezzoom,虽然免费但是功能强大,能够对产品.分类.特定模块进行缓存,还支持页面某些部分的动态加载同时也因为是免费的,没有技术支持,推荐使用之前一定要研究下它的源码 1.使用方法跟普通模块安装没啥区别,唯一不同的是安装后需要的网站入口文件index.php中的Mage::run($mageRunCode, $mageRunType);之前添加require_once(dirname(__FI

【黑金原创教程】【FPGA那些事儿-驱动篇I 】实验十九：SDRAM模块② — 多字读写

实验十九:SDRAM模块② — 多字读写表示19.1 Mode Register的内容. Mode Register A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 OP Code 0 0 CAS Latency BT Burst Length A3 Burst Type 0 Sequential 1 Interleave Burst Length A2 A1 A0 A3 = 0 A3 = 1 0 0 0 1 1 0 0 1 2 2 0 1 0

IIC读写AT24C02代码2——串口命令控制多页读写

通过串口输入 R .W 进行控制程序读写IIC设备.波特率9600bps,晶振115200HZ. main.c /*----------------------------------------------- IIC编程 1 编写:Louis 邮箱:kaly.liu@163.com 日期:2015.06.01 改动:通过串口命令R/W,控制EEPROM的读R写W.并从串口提示. 改进:添加对页读写功能晶振:11.0592MHZ NOTE:*通过实測发现.AT24C02能够连续写入16BYTE

php+redis实现全页缓存系统

php redis 实现全页缓存系统之前的一个项目说的一个功能,需要在后台预先存入某个页面信息放到数据库,比如app的注册协议,用户协议,这种.然后在写成一个php页面,app在调用接口的时候访问这个页面.当时我就发现一个问题,这些协议往往几个月才会修改一次,而每一次用户查看这些协议的时候,nginx都会重新从数据库读取文件,速度会很慢慢了.如下图m_about.php是我生成的数据页,在虚拟机环境下从数据库加载出来重新生成文件需要2.4s(当然实际的测试环境会快一点).既然这种页面数据都是更新

全页缓存FPC?

除基本的会话 token 之外,Redis 还提供很简便的 FPC 平台.回到一致性问题, 即使重启了 Redis 实例,因为有磁盘的持久化,用户也不会看到页面加载速度的下降,这是一个极大改进,类似 PHP 本地 FPC. 再次以 Magento 为例,Magento 提供一个插件来使用 Redis 作为全页缓存后端. 此外,对 WordPress 的用户来说,Pantheon 有一个非常好的插件 wp-redis,这个插件能帮助你以最快速度加载你曾浏览过的页面.

在LaTeX里插入全页的pdf 分类： LaTex 2015-02-04 17:20 142人阅读评论(0) 收藏

jquery刷新局部和全页的方法

一.全页面刷新方法: window.location.reload()刷新当前页面. parent.location.reload()刷新父亲对象(用于框架) opener.location.reload()刷新父窗口对象(用于单开窗口) top.location.reload()刷新最顶端对象(用于多开窗口) 二.局部刷新的方法 $.ajax({ });

使用AShot进行网页全页截图

import org.junit.Test; import org.openqa.selenium.WebDriver; import org.openqa.selenium.chrome.ChromeDriver; import org.openqa.selenium.chrome.ChromeOptions; import ru.yandex.qatools.ashot.AShot; import ru.yandex.qatools.ashot.shooting.ShootingStrate

苏宁易购微信端全页通过background单图

w单图,绕开了显示的兼容性. http://res.m.suning.com/project/JoinGo/intro.html http://res.m.suning.com/project/JoinGo/assets/images/group/fullpage.png <!DOCTYPE HTML> <html> <head> <meta charset="UTF-8"> <meta name="viewport&qu

异步FIFO最小深度计算

计算FIFO深度是设计FIFO中常遇到的问题.常识告诉我们,当读速率慢于写速率时,FIFO便可被用作系统中的缓冲元件或队列.因此FIFO的大小基本上暗示了所需缓存数据的容量,该容量取决于读写数据的速率.据统计,系统的数据速率取决于系统的负载能力.因此为了保证FIFO的大小,我们需要考虑FIFO传输的最坏情况下.所谓最坏的情况就是使得写速率最大,读速率最小:通常是考虑突发传输. 一.异步FIFO最小深度计算原理如果数据流连续不断则FIFO深度无论多少,只要读写时钟不同源同频则都会丢数:FIFO用

【黑金原创教程】【FPGA那些事儿-驱动篇I 】实验十八：SDRAM模块① — 单字读写

实验十八:SDRAM模块① — 单字读写笔者与SDRAM有段不短的孽缘,它作为冤魂日夜不断纠缠笔者.笔者尝试过许多方法将其退散,不过屡试屡败的笔者,最终心情像橘子一样橙.<整合篇>之际,笔者曾经大战几回儿,不过内容都是点到即止.最近它破蛊而出,日夜不停:“好~痛苦!好~痛苦!”地呻吟着,吓得笔者不敢半夜如厕.疯狂之下,誓要歪它不可 ... 可恶的东西,笔者要它血债血还! 图18.1 数据读取(理想时序左,物理时序右). 首先,让我们来了解一下,什么才是数据读取的最佳状态?如图18.1所示,红

SDRAM操作原理分析

芯片原理图引脚原理图指令通过对上面指令的总结,简化出要用到的指令如下: 指令常量名 CKE CSn RAS CASn WEn 备注空操作 NOP 1 0 1 1 1 行激活 ACTIVE 1 0 0 1 1 读操作 READ 1 0 1 0 1 写操作 WRITE 1 0 1 0 0 预充电 PR 1 0 0 1 0 自刷新 AR 1 0 0 0 1 设置寄存器 LMR 1 0 0 0 0 突发停止 BURST_STOP 1 0 1 1 0 1 芯片配置操

SDRAM 学习（三）之command

command 模块总述 SDRAM 的 command 模块的内容包括如下: 1.对初始化请求.配置模式寄存器.读/写.刷新.预充电等命令的一个优先级的控制. 2.对命令执行时间进行控制,依据如图1,红圈框起来的都是最小值. 图1 3.将相应的命令进行解码即转化成相应的控制总线,转化依据如图2: 图2 代码详解以下代码都是我通过学习别人的代码,然后按照我自己的理解修改后的,经过验证是正确的. 1.SDRAM 重要的参数 SDRAM 的容量为 4 * 1 M* 16 bit , 一共有 4 个

SDRAM 控制器的解析

本篇博文非原创,是整理了网上的各家之言与一体,为自己以后方便查询所用.如有冒犯请告之. 1.Precharge与Refresh的区别? plj:两者都是对存储单元的电容进行充电.回写.但差异在于: Precharge是对(一个或所有Bank)的所有工作行(active row)操作,并且是随机的,被操作工作行的地址在各Bank中不一相同. Refresh是对所有行依次操作,且是有固定周期的,被操作行在各Bank中均相同. 2.AutoRefresh与SelfRefresh的区别? plj:A

SDRAM操作说明

SDRAM是做嵌入式系统中,常用是的缓存数据的器件.基本概念如下(注意区分几个主要常见存储器之间的差异): SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器.同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失,因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的,大家知道电容在自然放置状态是会有放电的,如果电放完了,也就意味着SDRAM中的数据丢失了,所

是否有必要学习使用纯Verilog写一个SDRAM控制器

在做这个SDRAM控制器之前,博主有一个疑问,对于学生来说,是否有必要学习用纯Verilog写一个SDRAM控制器?因为目前X家和A家都有了DDR IP Core,对于要实现一个应用可以直接调用IP Core,只需要对其接口操作即可.对于开发者来说,与其费时费力用Verilog去写一个性能差而且老的SDRAM控制器,还不如直接调用官方经过打磨的更为先进IP Core.所以博主特地去号称平均学历211,平均月薪7.8万的知(bi)乎提出了这个问题,得到的解答博主总结大致如下. 对于学生这个身份来说

SDRAM学习笔记（二）

上一篇博客主要讲解了一下SDRAM整体结构以及PCB方面的注意事项.接下来讲解一下需要用到的一些命令. 1.常用命令的缩写上述是常用到的一些指令集. 2.模式寄存器 (1)突发长度通过对A0~A11的控制来实现SDRAM的常用配置.首先A0~A2是突发长度的控制.突发长度的控制如下图,有突发长度1,2,4,8,还有全页长度. 突发读写方式,突发指的是在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输的周期数就是突发长度,只要指定起始列地址与突发长度,寻址与数据的读取将自动进行,只

SDRAM 学习笔记（三）

上图是terasic公司提供的SDRAM控制器,大部分已经封装好,我们需要修改其中部分代码,以此来实现我们自己需要的功能. 1.PLL时钟设定首先上面的sdram_pll.v中产生上一篇博客所需要的“驱动时钟”和“控制时钟”,这两个时钟由于PCB走线延时,两个时钟会有一定的时间差,一般会设定在-3ns ~ 1ns之间.如下图所示: 上图是对SDRAM的PLL进行的更改,这个时钟差设定多少没有严格规定,可以先设定一个值,读取出图像进行调试,看图像是否帧错位或者图像显示不正确等原因,多是由

sdram的全页读写是多少

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