Overview SPI flash, 分为spi flash, DUAL spi flash, QUAD spi flash, 3-wire spi, 4-wire spi, 6-wire spi. 在clock一定的情况下, 理论上线数越多速度越快 NOR flash和Nand flash相比 NOR缺点: 价格贵, 容量小, 擦除块大, 擦除速度慢, NOR flash擦出寿命为100,000次, 远小于NAND flash的一百万次. NOR可以单字节编程, 也就是说一次只更新一个byt

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,

STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,flash芯片为MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E,64Mbit. SPI应该是嵌入式外围中最简单的一种应用了吧!一般SPI应用有两种方法:软件仿真,手动模拟产生时序和应用主控芯片的SPI控制器. 一般采用第二种方法比较好,比较稳定.应用主控芯片的SPI控制器,要点:正确的初始化S

前言 本文重点介绍flash的数据存取特性.flash的内存划分.一个简单的存取图片的内存管理方式,以及对flash写前删的时间.删后读的时间.写后读的时间进行测量的一个小实验.目的在于更全面了解flash本身特点(尤其是限制),从而方便设计出高效的内存管理驱动. 本文参考论文:闪存的存储管理及索引方法研究_赵培_华中科技大博士论文_2011年 e-mail:beautifulzzzz@qq.com 一.Flash的特点  flash有几大奇葩的特点: 闪存具有多种不用于磁盘的特性,例如:(1)

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存具体的程序代码和用户数据,主存储块是以页为单位划分的, 一页大小为1KB.范围为从地址0x08000000开始的128KB内. 2.信息块   :用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区 二.操作原则 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则:  stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作.对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案.并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地.   一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存

u-boot分析(九) 上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析. 今天我们会用到的文档: 1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949 2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965 3.      

经过一段时间的研究终于把TMS320C6657单核和双核的SPI Nor Flash的程序烧写调通了.工具都是前辈的工作,有需要的可以留下邮箱,我有空可以发. 原理参考钱丰的<TI c66x 系列DSP 多核BOOT 的研究>论文. 通过Nor flash 烧写加载程序的全部流程:(在no-boot模式下) 一.首先讲讲工具链: hex6x 配合.rmd文件(有几个.out文件就需要几个.rmd文件,描述输出控制.引导选项.存储器选项等内容)生成片上引导加载器加载程序所需的引导表,输出文件为*

1. 目前最大的疑问是OMAPL138和DSP6748的DSP部分是完全一样的吗(虽然知道芯片完全是引脚兼容的)?因此现在使用OMAPL138的DSP内核去读写一下外部的SPI FLASH芯片,先看下原理图,可惜创龙核心板的原理图不开源,所以我肯定不买他们家的板子 2. 尤其是startware这个软件库,究竟是用在ARM还是DSP的怎么区分?看资料ARM似乎可以唤醒DSP核? 3. 心血来潮,测试一下,同一个工程是不是可以同时用在ARM和DSP内核上,只是用不用的GEL文件.经过测试发现,如果

FPGA中的视频图像资源,以及想要永久存储的程序都是要存储在flash中,flash是FPGA一个不可缺少的部分,flash的种类有很多,根据winbond公司的128Mbit Qual SPI接口的flash,型号为W25Q128BV,作为初学者根据现有的资料去学习,下面的内容主要以这款芯片作参考.前面也提到了三大串行数据传输模式UART,I2C,SPI,顺道就把SPI的内容也做一下总结,每篇一句话,带着自己的思考看问题,尽信书不如无书,fighting!!! 一.flash简单分类 flas

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

使用了MX25L512的SPI接口的Flash 电路连接图: 总的大小512kb,即64kB,sector的大小为256 Bytes,block的大小为4k Bytes 调试时出现的问题: 1.Flash只能读数据,不能写数据 根源在于Flash的软件写保护没有去掉,这样,写.擦除,甚至写状态寄存器都不能执行. 1)Hardware Protection Hardware Protection Mode(HPM):by using WP# going low to protect the BP0

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin

本文记录spi设备节点的操作方法. SPI总线设备文件名通常为/dev/spidevN.P(N=0.1.2--,P=0.1.2--), 其中N表示第几路SPI总线,而P表示在该路SPI总线中使用哪个CS信号线. 参考链接: http://www.wzaobao.com/p/l5079K.html http://www.emcraft.com/stm32f429discovery/accessing-spi-devices-in-linux http://blog.csdn.net/yuanlul

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

flash大小64k Rom+8k Ram的大小,stm32f051有64k Rom,总的分为 64页,一页1024byte ,在flash的Rom里面写数据掉电保存,相当于W25q80 uint32_t FLASH_START_ADDR = 0x08000000+1024*63; //1024   一页大小1k  ,   63   flash有64K在最后一页首地址开始写/*************************************************************

目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节