原因一 早些年,芯片的生产制作工艺也许还不能够将晶振做进芯片内部,但是现在可以了.这个问题主要还是实用性和成本决定的.   原因二 芯片和晶振的材料是不同的,芯片 (集成电路) 的材料是硅,而晶体则是石英 (二氧化硅),没法做在一起,但是可以封装在一起,目前已经可以实现了,但是成本就比较高了. 原因三 晶振一旦封装进芯片内部, 频率也固定死了,想再更换频率的话,基本也是不可能的了,而放在外面, 就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率.有人说,芯片内部有 PLL,管它晶振频率是多少,用 PLL

原因一 早些年,芯片的生产制作工艺也许还不能够将晶振做进芯片内部,但是现在可以了.这个问题主要还是实用性和成本决定的.   原因二 芯片和晶振的材料是不同的,芯片 (集成电路) 的材料是硅,而晶体则是石英 (二氧化硅),没法做在一起,但是可以封装在一起,目前已经可以实现了,但是成本就比较高了. 原因三 晶振一旦封装进芯片内部, 频率也固定死了,想再更换频率的话,基本也是不可能的了,而放在外面, 就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率.有人说,芯片内部有 PLL,管它晶振频率是多少,用 PLL

51单片机内部只有128字节的RAM(8051),而8052有256字节的RAM,低128字节RAM直接或间接寻址都可以,高128字节RAM与SRF特殊功能寄存器共用地址,SFR只能直接寻址,高128字节RAM只能间接寻址.所以通常用总线方式扩展一片RAM.一般用62256(32kX8bit RAM).访问方式可参考我的博文: http://blog.ednchina.com/tengjingshu/218041/message.aspx 现在新出的51单片机都在内部扩展了外部RAM.这个RAM

STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域,但实质上,其FLASH也是EEPROM类型,只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已.STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上,容量为2K-4K,这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的.但从EEPROM使用方式看,其不适用于被反复修改的数据存储使用,一般作为配置参数,其修改次数往往是比较少量的. STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址,操作共用同一个读写电路,所以在EEPROM读写的时候STM3

//本文选择16M内部RC震荡.分频为1 即系统时钟为16M void CLK_HSICmd(FunctionalState NewState) { /* Check the parameters */ assert_param(IS_FUNCTIONALSTATE_OK(NewState)); if (NewState != DISABLE) { /* Set HSIEN bit */ CLK->ICKR |= CLK_ICKR_HSIEN; } else { /* Reset HSIEN b

源: 利用ST MCU内部的基准参考电压监测电源电压及其它

在使用ST MCU开发过程中,有人问如果电源电压是变动的,询问有无办法用比较简洁的办法对电源电压进行监测,或者说电源电压波动情况下能否检测出其它待测的AD输入电压. 这里跟大家分享交流一个方法.就是在没有其它外来参考电压,用芯片电源电压VDD作为ADC的参考电压,同时该电源电压又在一定范围内变动的情况下[这个范围就是在保证芯片正常工作的范围],利用MCU芯片内部自带基准电压对电源电压进行监测. 在我印象中[ST MCU系列和型号太多了,记不住],几乎每颗ST MCU芯片内部都有个相对稳定且不受电

自我总结,有错误欢迎指出! 一.振荡器原理: 对于正反馈,有如下公式: 讨论: 1.当A*F(jw)=1时 Af→∞(物理意义:自激振荡): 2.在f0上,F(jw)相移为0或2n∏:(因此,在f0处放大效果最为明显,若此时有相位差,Xf与Xi两个信号叠加后将会有所削弱.) 3.作为放大器,A*F(jw)不可能≥1,但可能<1:(等于1将会引发自激振荡,大于1输出信号XO将会无限增大直至达到电源电压或由于晶体管的限制而产生失真的波形) 4.当A*F(jw)<1时,不会产生振荡,但此时Af>

STC89C52单片机自身带有4K的存储空间,分为8个扇区,每个扇区512字节,第一扇区起始地址为:0x2000, 结束地址为:21FF, 第八扇区起始地址为0x2E00,结束地址是2FFF #include <reg52.h> #include <intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int /******************定义命令字节******************/ #define

最近又看了一下关于stc单片机的知识,感觉在使用中EEPROM是个经常用到的东西,特地学习了一下,给大家分享一下心得,如有不足,多多包涵,废话不多说,一图解千言,先上图: /*--------------------------------------------------------------分界线-----------------------------------------------------------------------------------*/ main_eeppro

STM32系列基于专为要求高性能.低成本.低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核.按性能分成两个不同的系列:STM32F103"增强型"系列和STM32F101"基本型"系列.增强型系列时钟频率达到72MHz,是同类产品中性能最高的产品.基本型时钟频率为36MHz.以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能,是16位产品用户的最佳选择. 两个系列都内置32K到128K的闪存,不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合. 时钟频率72MHz时

progisp 2.0 可以下载avr.51等单片机,单击下载                      Superprg  单击下载 Superprg软件志峰公司出的专用软件,配合ZF_209使用, ZF_209卓越的性能是目前已知下载器中速度最快,稳定性最好的下载器.zf-209使用arm芯片无论是编程接口还是usb接口,均使用硬件来实现的,不是使用软件模拟的,由于是采用硬件模式,保证了编程时序的可靠性稳定性. 特点: 1.免驱动即插即用(win7 效果更好) 2.支持芯片多,可编程所有低压

STM32系列基于专为要求高性能.低成本.低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核(ST's product portfolio contains a comprehensive range of microcontrollers, from robust, low-cost 8-bit MCUs up to 32-bit ARM-based Cortex®-M0 and M0+, Cortex®-M3, Cortex®-M4 Flash microcontrollers wi

众所周知STM32有5个时钟源HSI.HSE.LSI.LSE.PLL,其实他只有四个,因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的. 其中,高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用,图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC. 内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的,起振较快,所以时钟在芯片刚上电的时候,默认使用内部高速时钟.而外部时钟信号是由外部的晶振输入的,在精度和稳定性上都有很大优势,所以上电之后我们

众所周知STM32有5个时钟源HSI.HSE.LSI.LSE.PLL,其实他只有四个,因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的. 其中,高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用,图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC. 内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的,起振较快,所以时钟在芯片刚上电的时候,默认使用内部高速时钟.而外部时钟信号是由外部的晶振输入的,在精度和稳定性上都有很大优势,所以上电之后我们

catalogue . Cortex-M3地址空间 . 基于标准外设库的软件开发 . 基于固件库实现串口输出(发送)程序 . 红外接收实验 . 深入分析流水灯例程 . GPIO再举例之按键实验 . 串口通信(USART) . 库函数开发通用流程小结 . DMA传输方式 . STM32 ADC . SysTick(系统滴答定时器) . STM32定时器 0. Cortex-M3地址空间 0x1: MDK中三种linker之间的区别 1. 采用Target对话框中的RAM和ROM地址 采用此方式,需

转载自 http://blog.sina.com.cn/s/blog_6ebd49350100q6xw.html STM32时钟理解 一.硬件上的连接问题 如果使用内部RC振荡器而不使用外部晶振,请按照如下方法处理: 1)对于100脚或144脚的产品,OSC_IN应接地,OSC_OUT应悬空.2)对于少于100脚的产品,有2种接法:   i)OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地.此方法可提高EMC性能.   ii)分别重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1,再配置PD0

一.在STM32中,有五个时钟源,为HSI.HSE.LSI.LSE.PLL.   全名: high  speed  external ①HSI是高速内部时钟,RC振荡器,频率为8MHz. ②HSE是高速外部时钟,可接石英/陶瓷谐振器,或者接外部时钟源,频率范围为4MHz~16MHz. ③LSI是低速内部时钟,RC振荡器,频率为40kHz. ④LSE是低速外部时钟,接频率为32.768kHz的石英晶体. ⑤PLL为锁相环倍频输出,其时钟输入源可选择为HSI/2.HSE或者HSE/2.倍频可选择为2

1.图13可见,STM8S单片机主要有四种时钟源可供选择: 1).1-24MHz外部晶体振荡器(HSE). 2).最大24MHz外部时钟(HSE ext). 3).16MHz高速内部RC振荡器(HSI). 4).128KHz低速内部RC振荡器(LSI). 2.主时钟可以从这四种时钟源中任意切换,切换过程可通过自动切换和手动切换. 自动切换过程:使能相应的时钟源,使能切换,等待切换完成. 例如:从HSI切换到外部HSE,子程序如下: void CLKToHSE(void) { while(!(CL

STM32的时钟系统 相较于51单片机,stm32的时钟系统可以说是非常复杂了,我们现在看下面的一张图: 上图说明了时钟的走向,是从左至右的从时钟源一步步的分配给外设时钟.需要注意的是,上图左侧一共有四个时钟源,从上到下依次是: 高速内部时钟(HSI):以内部RC振荡器产生,频率为8Mhz,但相较于外部时钟不稳定. 高速内部时钟(HSE):以外部晶振作为时钟源,晶振频率可取范围为4~16Mhz,一般采用8Mhz的晶振. 低速外部时钟(LSE): 以外部晶振作为时钟源,主要是提供给实时时钟模块,所