转 STM32内部参照电压VREFIN的使用 https://blog.csdn.net/uncle_guo/article/details/50625660 每个STM32芯片都有一个内部的参照电压,相当于一个标准电压测量点,在芯片内部连接到ADC1的通道17.   根据数据手册中的数据,这个参照电压的典型值是1.20V,最小值是1.16V,最大值是1.24V.这个电压基本不随外部供电电压的变化而变化.   不少人把这个参照电压与ADC的参考电压混淆.ADC的参考电压都是通过Vref+提供的.

运算放大器大多数都是双电源的,这就要求有正负基准电压,除了从稳压源直接输出电压外,很多时候都是一个单电源对整个电路供电,这就要求要把正电压转换成负电压,从而产生正负的电压基准,对双电源运算放大器进行供电. 电路一:一个负精确电压基准通过使用MCP1525 或MCP1541 来产生如图所示 在这个电路中使用MCP606 和两个等值的电阻实现电压隔离.MCP1525电压基准的输出电压驱动R1,R1和MCP606放大器的反向输入连接.既然放大器的输入为0,第二个10KΩ电阻器被放置在放大器的反馈回路放

前言 上一篇Jlink系列文章介绍了如何使用J-Flash来下载Hex或Bin文件到单片机,具体可参考Jlink使用技巧之单独下载HEX文件到单片机,本篇文章介绍,如何使用JFlash来读取单片机的程序,学习单片机程序文件的读取,不是为了破解别人的程序,而是学习破解的原理,从而更好保护自己的程序不被破解,希望大家也能尊重他人的劳动成果. JFlash的下载和安装 首先,安装JFlash软件,安装完成后,会默认安装JLink驱动程序,主要包含以下几个工具: JFlash,主要用于程序下载和读取.

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

源: 利用ST MCU内部的基准参考电压监测电源电压及其它

STM32内部含有硬核,对于一些协议(例如:UART,SPI,IIC,CRC等)我们只要调用硬核就可以了,同时我们也可以自己写通信协议. 这些硬核最终肯定是要有引脚输出的,这就是为什么STM32的引脚有复用功能的原因. 以SPI通信协议硬核为例,其硬核连接的引脚是PA4,PA5,PA6,PA7,那么我们如果使用内部硬核就必须使用这几个引脚作为通信引脚 也可以自己编写SPI通信协议,此时的引脚就可以随意定义了. 通常一个引脚有好几种复用功能,在使用硬核时需要我们设置好引脚的寄存器,同时又不影响寄存

| 分类 日志  | 手里有三个常用的手持表,UT61E四位半,优利德明星产品:福禄克F117C,换挡快,单手操作还带LoZ:UT210E小钳表能够通过修改EEPROM更改电表配置,已经刷了6000字显示.测试同一节电池,三个表三个数,究竟哪个准一些实在没谱. 因此做了几个电压基准,MAX63XX系列有非常好的初始精度,对于最高四位半的UT61E来说完全满足,不需要标定.AD584和LM399使用安捷伦34401A六位半台表标定. AD584使用了单片机控制继电器切换不同的电压输出,LM399预

STM32的内部温度传感器和ADCx—IN16输入通道相连接.且温度传感器推荐采样时间为17.1us,支持的温度范围为:-40~125度,精度比较差,± 5℃左右. 计算温度值:T(℃) ={(V25-Vsense) /Avg_Slope}+25 V25=Vsense 在 25 度时的数值(典型值为: 1.43). Avg_Slope=温度与 Vsense 曲线的平均斜率(单位为 mv/℃或 uv/℃)(典型值为4.3Mv/℃).  ADC_InitTypeDef ADC_InitStructu

STM32寄存器版本——内部时钟设置 同时要记得把延时初始化函数设置好 //系统时钟初始化函数 //pll:选择的倍频数,从2开始,最大值为16 //pll:选择的倍频数,这里使用内部时钟,PLL为4就是4分频 void Stm32_Clock_Init(u8 PLL) { unsigned ; MYRCC_DeInit(); //复位并配置向量表 // RCC->CR|=0x00010000; //外部高速时钟使能HSEON RCC->CR|=0x00000001; //内部高速时钟使能HS

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

计算公式:Temperature  = {(V25 - VSENSE) / Avg_Slope} + 25 V25              最小=1.34V     典型=1.43V   最大=1.52V   单位是V Avg_Slope   最小=4.0    典型=4.3   最大=4.6        单位是 mV/℃ V25和Avg_Slope一般都是去典型值. VSENSE是AD所读取到的电压值. AD值转采集电压: 采集到的电压=AD值*(电源电压/4096) 4096=0Xfff

1.外部晶振是干什么用的? 2.内部晶振是干什么用的? 3.外部晶振频率的大小能影响什么?

功能概述: bxCAN是基本扩展CAN(Basic Extended CAN)的缩写,它支持CAN协议2.0A和2.0B:它的设计目标是以最小的CPU负载来高效处理大量的报文.它也支持报文发送的优先级要求(优先级可软件配置). CAN2.0B内核: bxCAN模块可以完全自动地接收和发送CAN报文,且完全支持标准标识符(11位)和扩展标识符(29位). 主要特征: 支持CAN协议2.0A和2.0B主动模式: 波特率最高可达1兆位/秒:(属于OSI11898标准) 支持时间触发通信功能:(可以通过

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

一.CA+构造 MSP430G2553带有一个比较器Comparator_A+(CA+),其构造框图如下图所示. 二.输入 & 输出 如上图所示,比较器有一个同向输入端(V+)和一个反向输入端(V-).通过软件设置,V+端可以连接到CA0~CA2三个外部管脚之一,或者三个内部电压基准之一:V-端可以连接到CA1~CA7七个外部管脚之一,或者三个内部电压基准之一.内部电压基准可以是0.5*Vcc.0.25*Vcc,或者内部一个二极管的导通电压(约0.55V). 输出信号可以连接至Timer的外部时

完整教程下载地址:http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第16章       STM32H7必备的HAL库API(重要) 本章教程为大家讲解制作一个STM32H7的例子所需的最基本API函数,对于一些常用的API函数,一定要熟练掌握这些函数都是实现了什么功能,不常用的函数有个了解即可,用到的时候再去学. 16.1 初学者重要提示 16.2 那些是必备的API 16.3 源文件stm32h7xx_hal.c 16.4 stm

STM32内部有一个完整的上电复位和掉电复位电路,当供电电压达到2v时系统即能正常工作. STM32内部自带PVD功能,用于对MCU供电电压VDD进行监控.通过电源控制寄存器中的PLS[2:0]位可以用来设定监控电压的阀值,通过对外部电压进行比较来监控电源.当条件触发,需要系统进入特别保护状态,执行紧急关闭任务:对系统的一些数据保存起来,同时对外设进行相应的保护操作. 操作流程:     1).系统启动后启动PVD,并开启相应的中断.     PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVD

本文将提到以下内容: 位带操作 中断 printf重定向 随机数发生器RNG AD/DA DMA 高性能计算能力 加密 ART加速 一.位带操作 在学习51单片机的时候就使用过位操作,通过关键字sbit对单片机IO口进行位定义.但是stm32没有这样的关键字, 而是通过访问位带别名区来实现,即将每个比特位膨胀成一个32位字,通过位带别名区指针指向位带区内容. 支持位带操作的两个内存区的范围是:              0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

1.AHB系统总线分为APB1(36MHz)和APB2(72MHz),其中2>1,意思是APB2接高速设备 2.Stm32f10x.h相当于reg52.h(里面有基本的位操作定义),另一个为stm32f10x_conf.h专门控制外围器件的配置,也就是开关头文件的作用 3. HSE Osc(High Speed External Oscillator)高速外部晶振,一般为8MHz,HSI RC(High Speed InternalRC)高速内部RC,8MHz 4. LSE Osc(Low Sp