转 STM32内部参照电压VREFIN的使用 https://blog.csdn.net/uncle_guo/article/details/50625660 每个STM32芯片都有一个内部的参照电压,相当于一个标准电压测量点,在芯片内部连接到ADC1的通道17.   根据数据手册中的数据,这个参照电压的典型值是1.20V,最小值是1.16V,最大值是1.24V.这个电压基本不随外部供电电压的变化而变化.   不少人把这个参照电压与ADC的参考电压混淆.ADC的参考电压都是通过Vref+提供的.

源:64脚和小于64脚的STM32进行AD时注意,参照电源处理方法 请注意,ADC_IN17上没有内部基准,将其说成基准电压概念不对. 所以横线以下的理解不对,如果将其做为参考,则其电压假定按1.2V计算,实际测量的数字量是1271~1275,按此推算: 1.2/1275=VDD/4095, 所以VDD=3.85V,很明显供电压换算出来的值与实际3.3V不符,所以不有用其做为参考. 实际上,可以通用ADC_IN1采集某参考源的电压,其它通道按此进行比例换算. ------------------

程序编译完成,会乘车program size .. 对STM32容量选型或者 计算FLASH 充当EEPROM起始地址时会用到此参数. 按照下面截图  程序空间 = (16700+732+4580)/1024 = 21.5K 但需要注意的是  程序的起始地址 为0x08000000,所以 flash的 起始地址 必须是 0x08000000 + 0x55FC(22012的16进制)  = 0x080055FC之后 其余的空间都可以作为 其他功能使用.

前言 上一篇Jlink系列文章介绍了如何使用J-Flash来下载Hex或Bin文件到单片机,具体可参考Jlink使用技巧之单独下载HEX文件到单片机,本篇文章介绍,如何使用JFlash来读取单片机的程序,学习单片机程序文件的读取,不是为了破解别人的程序,而是学习破解的原理,从而更好保护自己的程序不被破解,希望大家也能尊重他人的劳动成果. JFlash的下载和安装 首先,安装JFlash软件,安装完成后,会默认安装JLink驱动程序,主要包含以下几个工具: JFlash,主要用于程序下载和读取.

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

1.STM32的AD变化,任务组可以转换成两组:规则组和注射组.随机序列按随机顺序变换多种渠道构成了一组转换.例如.能够完成转换中,例如按照以下顺序:通道3.通道8.通道2.通道2.通道0.通道2.通道2.通道15.在执行规则通道组扫描转换.换.能够模糊的将注入组的转换理解为AD转换的中断一样,规则通道组的转换是普通转换,然而注入组的转换条件满足的情况下,注入组的转换会打断规则组的转换.假设规则转换已经在执行.为了在注入转换后确保同步,全部的ADC(主和从)的规则转换被停止,并在注入转换结束时同

STM32内部含有硬核,对于一些协议(例如:UART,SPI,IIC,CRC等)我们只要调用硬核就可以了,同时我们也可以自己写通信协议. 这些硬核最终肯定是要有引脚输出的,这就是为什么STM32的引脚有复用功能的原因. 以SPI通信协议硬核为例,其硬核连接的引脚是PA4,PA5,PA6,PA7,那么我们如果使用内部硬核就必须使用这几个引脚作为通信引脚 也可以自己编写SPI通信协议,此时的引脚就可以随意定义了. 通常一个引脚有好几种复用功能,在使用硬核时需要我们设置好引脚的寄存器,同时又不影响寄存

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是利用i.MXRT1xxx系列内部DCP引擎计算Hash值时需特别处理L1 D-Cache. 关于i.MXRT1xxx系列内部通用数据协处理器DCP模块,痞子衡之前写过一篇文章 <SNVS Master Key仅在i.MXRT10xx Hab关闭时才能用于DCP加解密> 介绍了DCP基本功能和AES加解密使用注意事项,实际上DCP模块除了对AES加解密算法支持外,还支持经典的Hash算法(SHA-1/SHA-256/CRC32).

STM32的内部温度传感器和ADCx—IN16输入通道相连接.且温度传感器推荐采样时间为17.1us,支持的温度范围为:-40~125度,精度比较差,± 5℃左右. 计算温度值:T(℃) ={(V25-Vsense) /Avg_Slope}+25 V25=Vsense 在 25 度时的数值(典型值为: 1.43). Avg_Slope=温度与 Vsense 曲线的平均斜率(单位为 mv/℃或 uv/℃)(典型值为4.3Mv/℃).  ADC_InitTypeDef ADC_InitStructu

在做一款消费电子产品时,需要采集电池电压(3.3V-4.2V),同时在休眠的时候希望尽量减小待机电流.电池电压采集电路采用两个1%的300K电阻进行分压,由该电路引起的待机电路为4.2/(300+300)mA=7uA.此时比较合理(整机的待机电流要求30uA以内). 初始设计电路如下: 在编程采集数据时发现测试电压与实际电压有偏差,测试值总比实际值偏小一点.在软件上做补偿,把值修正了. 但是换一个板子测试的时候发现测试的电压又不准了,此时知道通过软件补偿这种方法行不通.那么只能从硬件找原因. 查

在进行STM32F中AD采样的学习中,我们知道AD采样的方法有多种,按照逻辑程序处理有三种方式,一种是查询模式,一种是中断处理模式,一种是DMA模式.三种方法按照处理复杂方法DMA模式处理模式效率最高,其次是中断处理模式,最差是查询模式,相信很多学者在学习AD采样程序时,很多例程采用DMA模式,在这里我针对三种程序进行分别分析. 1.AD采样查询模式 在AD采样查询模式中,我们需要注意的是IO口的初始化配置,这里我采用PA2作为模拟采集的引脚(AIN2)和串口3作为打印输出. 具体如下:建立一个

STM32寄存器版本——内部时钟设置 同时要记得把延时初始化函数设置好 //系统时钟初始化函数 //pll:选择的倍频数,从2开始,最大值为16 //pll:选择的倍频数,这里使用内部时钟,PLL为4就是4分频 void Stm32_Clock_Init(u8 PLL) { unsigned ; MYRCC_DeInit(); //复位并配置向量表 // RCC->CR|=0x00010000; //外部高速时钟使能HSEON RCC->CR|=0x00000001; //内部高速时钟使能HS

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

计算公式:Temperature  = {(V25 - VSENSE) / Avg_Slope} + 25 V25              最小=1.34V     典型=1.43V   最大=1.52V   单位是V Avg_Slope   最小=4.0    典型=4.3   最大=4.6        单位是 mV/℃ V25和Avg_Slope一般都是去典型值. VSENSE是AD所读取到的电压值. AD值转采集电压: 采集到的电压=AD值*(电源电压/4096) 4096=0Xfff

1.1 波特率结构框图 1.2 波特率寄存器示意图 1.3 波特率计算公式示意图 两图看出,串口波特率寄存器是一个32位,只用低16位,低16位又划分,低4位用来装小数,其他用来装整数. 波特率计算公式:Tx/Rx 波特率  = fCK/(8*(2- OVER8 )* USARTDIV) USARTDIV =  fCK/8*(2- OVER8 )/TxRx 波特率 Tx/Rx 波特率已知值    //就是我们我们平常说设置的115200Hz. fCK是已知值     //串口时钟84MHz OV

1.背景 STM32 MCU对25.6Kb数据进行压缩,丢掉每个数据的低4位然后2个字节拼接为1个字节.发现处理耗时竞达1ms以上,于是开始进行优化,最后达到200us的效果,提速5倍以上. 2.优化 2.1优化前 HAL_GPIO_WritePin(TestPB12_GPIO_Port, TestPB12_Pin, ); #if (USE_BINNING) ImgCompressTo4Bit(img_ptr + PACKAGE_HEADER_SIZE, ImgSampBuf, IMG_SIZE

1.外部晶振是干什么用的? 2.内部晶振是干什么用的? 3.外部晶振频率的大小能影响什么?

功能概述: bxCAN是基本扩展CAN(Basic Extended CAN)的缩写,它支持CAN协议2.0A和2.0B:它的设计目标是以最小的CPU负载来高效处理大量的报文.它也支持报文发送的优先级要求(优先级可软件配置). CAN2.0B内核: bxCAN模块可以完全自动地接收和发送CAN报文,且完全支持标准标识符(11位)和扩展标识符(29位). 主要特征: 支持CAN协议2.0A和2.0B主动模式: 波特率最高可达1兆位/秒:(属于OSI11898标准) 支持时间触发通信功能:(可以通过

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

本文将提到以下内容: 位带操作 中断 printf重定向 随机数发生器RNG AD/DA DMA 高性能计算能力 加密 ART加速 一.位带操作 在学习51单片机的时候就使用过位操作,通过关键字sbit对单片机IO口进行位定义.但是stm32没有这样的关键字, 而是通过访问位带别名区来实现,即将每个比特位膨胀成一个32位字,通过位带别名区指针指向位带区内容. 支持位带操作的两个内存区的范围是:              0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB