1. SPI总线简介 SPI全称串行外设接口,是一种高速,全双工,同步的外设总线:它工作在主从方式,常规需要至少4根线才能够正常工作.SPI作为基本的外设接口,在FLASH,EPPROM和一些数字通讯中,具有广泛的应用.SPI总线由四个接口构成: CS  :片选端,由主设备控制 MISO:主设备输入,从设备输出 MOSI:主设备输出,从设备输入 SCK :时钟信号 其中SCK仅能由主设备提供,且接收和发送和同时产生的,因此在主设备接收数据时也要先发送数据从而为从设备提供时钟:根据SPI时钟信号配

智能设备逆向工程之外部Flash读取与分析篇 唐朝实验室 · 2015/10/19 11:19 author: rayxcp 0x00 前言 目前智能家居设备的种类很多,本文内容以某智能豆浆机为例完成对其的固件提取和分析. 究其分析内部逻辑的原因可能会有很多种,和安全相关的原因主要有: 了解设备内部运行逻辑,逆向后有条件更改原有逻辑 通过逆向后的代码找到可利用的漏洞或原有隐藏功能 0x01 读取Flash 首先,准备好螺丝刀,镊子等工具.把设备拆解.取出设备主控板.如下图: 正面,其中红圈所在的

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文

在实际项目中,常常出现芯片的内部FLASH空间不够的情况,这就须要将程序分一部分装到外部FLASH中. 为了让大家能少走些弯路,在这里把我在这当中遇到的一些问题和经验教训给大家分享一下. 仅供參考,假设有错误的地方欢迎指正,提前表示感谢! 转载请注明出处:blog.csdn.net/waitig1992 硬件环境介绍 芯片是LPC1788,外部FLASH是SST39VF1601(NORFLASH). 这个norflash在我的版本号的keil(v4.0)中没有烧写算法,须要自己手动编写烧写算法.

STM32的外部中断配置及使用 配置1:GPIO: 配置外部中断为输入模式: 配置2:EXTI: 配置外部中断线和触发模式: 配置3:NVIC: 配置外部中断源和中断优先级: 需要注意的是:RCC_APB2Periph_AFIO 时钟必须打开,容易忽略的一点: void EXTI_PORTC_CONFIG(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure; NVIC_InitTypeD

STM32片上Flash内存映射.页面大小.寄存器映射 STM32有4种Flash module organization,分别是:low-density devices(32KB,1KB/page).medium-density devices(128KB,1KB/page).high-density devices(512KB,2KB/page).connectivity line devices(256KB,2KB/page).XL-density(devices(1M,2KB/page)

源:ucgui汉字库存放到外部的flash(控件可用)及写外部FLASH小软件 如何将ucgui的汉字库存放到外部的flash memory(ucgui)(汉字库)(外部flash) ucgui的字库

源:外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样,不用自己去申请内存,也不用考虑什么内存地址,一切让编译器自己去解决. 废话不多说,我直接拿原子哥的战舰开发板库函数版的外部SRAM实验来修改.在库函数的system_stm32f10x.c这个初始化文件当中其实就已经有外部SRAM的初始化,我们只要增加“#define DATA_IN_ExtSRA

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

一.STM32中断分组: STM32 的每一个GPIO都能配置成一个外部中断触发源,这点也是 STM32 的强大之处.STM32 通过根据引脚的序号不同将众多中断触发源分成不同的组,比如:PA0,PB0,PC0,PD0,PE0,PF0,PG0为第一组,那么依此类推,我们能得出一共有16 组,STM32 规定,每一组中同时只能有一个中断触发源工作,那么,最多工作的也就是16个外部中断.STM32F103 的中断控制器支持 19 个外部中断/事件请求.每个中断设有状态位,每个中断/事件都有独立的触发

一.STM32外部中断 1.STM32外部中断结构图 如上图所示:主要包括四个环节,GPIO.AFIO.EXTI.NVIC.以STM32F103VE(100脚)为例说明硬件模块的数量: GPIO:  80个 AFIO选择通道: 16个 外部中断线EXTI: 16 + 3 = 19个 NVIC  :  1个 2.EXTI控制器结构图 ① 功能 中断   申请中断 事件  当事件发生的时候,将产生事件脉冲,可以用来唤醒内核 ② 功能详细说明 如果要产生中断,必须事先配置好并使能中断线.根据需要的边沿

STM32的存储映射是靠基地址和地址偏移实现的. 32位的M3有4GB的寻址空间,其中用于片上外设的有512MB,基地址为0x40000000. M3各外设基地址,包括片上外设.片上静态RAM和FLASH.特别要注意的是所有外设都是挂载在总线上,有AHP.APB1.APB2总线.从各外设基地址定义就可以很清楚知道该外设是挂在哪个总线上. 与参考手册对照起来看更清楚: 以GPIO为例,如何实现GPIOA寄存器控制? 首先找到GPIOA对应的基地址,GPIOA是挂在APB2总线上的,相对于地址总线偏

原文地址:http://blog.chinaunix.net/uid-20617446-id-3847242.html 本文以STM32F103RBT6为例介绍了片上Flash(Embedded Flash)若干问题,包括Flash大小(内存映射).块大小.页面大小.寄存器.这些知识,有利于写Flash驱动. 一.怎么看Flash大小 1.1 通过型号     型号会印在MCU表面,可以通过观察获得,我的是STM32F103C8T6(以下分析基于这个型号),对照下图的STM32产品命名,可知ST

Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器.可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除.一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page).每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的.块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位.页,是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位. 首先简要写一下FLASH

目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节

简述 本文简单介绍stm32外部中断的一般操作步骤,后续会补充外部中断的相关内容 stm32的中断控制器支持19个外部中断/事件请求: line0~line15:这16条line分别对应不同GPIO口的输入中断,比如: line0对应GPIOA的pin0.GPIOB的pin0.GPIOC的pin0.GPIOD的pin0.GPIOE的pin0; line1对应GPIOA的pin1.GPIOB的pin1.GPIOC的pin1.GPIOD的pin1.GPIOE的pin1; 依此类推 line16:连接

RO: 常量 ZI: 未初始化的全局变量 RW: 初始化的全局变量 Code: 程序本身 Code, RO-data,RW-data ..............flash RW-data, ZIdata...................RAM 初始化时, RW会从flash被拷贝到RAM Program Size: Code=1564 RO-data=336 RW-data=32 ZI-data=1832 Code就是flash. 证明: 我现在注释掉一行: //delay_ms(300)

图1.0 图1.1 中断控制器支持23条中断线,其中16条是IO管脚中断线,分别是EXTI0~EXTI15:  图 1.2 另外七根中断线如下图: 中断线和管脚的对应关系:EXTI0~EXTI15 和GPIOx0~15一一对应,x:A~G. 每条中断线控制着7个管脚的中断跳变沿的输入,通过寄存器SYSCFG_EXTICRx(x:1~4)来进行多选1. 举例:中断线0,即EXTI0控制着7个管脚的中断源输入,分别是PA0,PB0,PC0,PD0,PE0,PF0,PG0. 外部中断寄存器配置SYSC