转 STM32内部参照电压VREFIN的使用 https://blog.csdn.net/uncle_guo/article/details/50625660 每个STM32芯片都有一个内部的参照电压,相当于一个标准电压测量点,在芯片内部连接到ADC1的通道17.   根据数据手册中的数据,这个参照电压的典型值是1.20V,最小值是1.16V,最大值是1.24V.这个电压基本不随外部供电电压的变化而变化.   不少人把这个参照电压与ADC的参考电压混淆.ADC的参考电压都是通过Vref+提供的.

前言 上一篇Jlink系列文章介绍了如何使用J-Flash来下载Hex或Bin文件到单片机,具体可参考Jlink使用技巧之单独下载HEX文件到单片机,本篇文章介绍,如何使用JFlash来读取单片机的程序,学习单片机程序文件的读取,不是为了破解别人的程序,而是学习破解的原理,从而更好保护自己的程序不被破解,希望大家也能尊重他人的劳动成果. JFlash的下载和安装 首先,安装JFlash软件,安装完成后,会默认安装JLink驱动程序,主要包含以下几个工具: JFlash,主要用于程序下载和读取.

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

STM32内部含有硬核,对于一些协议(例如:UART,SPI,IIC,CRC等)我们只要调用硬核就可以了,同时我们也可以自己写通信协议. 这些硬核最终肯定是要有引脚输出的,这就是为什么STM32的引脚有复用功能的原因. 以SPI通信协议硬核为例,其硬核连接的引脚是PA4,PA5,PA6,PA7,那么我们如果使用内部硬核就必须使用这几个引脚作为通信引脚 也可以自己编写SPI通信协议,此时的引脚就可以随意定义了. 通常一个引脚有好几种复用功能,在使用硬核时需要我们设置好引脚的寄存器,同时又不影响寄存

本文转自:Vivado使用技巧(12):设置DCI与内部参考电压 - 灰信网(软件开发博客聚合) (freesion.com) DCI与内部参考电压 Xilinx FPGA提供了DCI(Digitally Controlled Impedance)技术,包括两个功能:(1).控制驱动器的输出阻抗:(2).为驱动器或发送器添加一个并行端接,在传输线上得到精确的特征阻抗匹配,以提高信号完整性.DCI会主动调整I/O bank内的阻抗,以调整放在VRN和VRP管脚之间的外部精准参考电阻,这样可以补偿由

STM32的内部温度传感器和ADCx—IN16输入通道相连接.且温度传感器推荐采样时间为17.1us,支持的温度范围为:-40~125度,精度比较差,± 5℃左右. 计算温度值:T(℃) ={(V25-Vsense) /Avg_Slope}+25 V25=Vsense 在 25 度时的数值(典型值为: 1.43). Avg_Slope=温度与 Vsense 曲线的平均斜率(单位为 mv/℃或 uv/℃)(典型值为4.3Mv/℃).  ADC_InitTypeDef ADC_InitStructu

STM32寄存器版本——内部时钟设置 同时要记得把延时初始化函数设置好 //系统时钟初始化函数 //pll:选择的倍频数,从2开始,最大值为16 //pll:选择的倍频数,这里使用内部时钟,PLL为4就是4分频 void Stm32_Clock_Init(u8 PLL) { unsigned ; MYRCC_DeInit(); //复位并配置向量表 // RCC->CR|=0x00010000; //外部高速时钟使能HSEON RCC->CR|=0x00000001; //内部高速时钟使能HS

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

1.外部晶振是干什么用的? 2.内部晶振是干什么用的? 3.外部晶振频率的大小能影响什么?

功能概述: bxCAN是基本扩展CAN(Basic Extended CAN)的缩写,它支持CAN协议2.0A和2.0B:它的设计目标是以最小的CPU负载来高效处理大量的报文.它也支持报文发送的优先级要求(优先级可软件配置). CAN2.0B内核: bxCAN模块可以完全自动地接收和发送CAN报文,且完全支持标准标识符(11位)和扩展标识符(29位). 主要特征: 支持CAN协议2.0A和2.0B主动模式: 波特率最高可达1兆位/秒:(属于OSI11898标准) 支持时间触发通信功能:(可以通过

计算公式:Temperature  = {(V25 - VSENSE) / Avg_Slope} + 25 V25              最小=1.34V     典型=1.43V   最大=1.52V   单位是V Avg_Slope   最小=4.0    典型=4.3   最大=4.6        单位是 mV/℃ V25和Avg_Slope一般都是去典型值. VSENSE是AD所读取到的电压值. AD值转采集电压: 采集到的电压=AD值*(电源电压/4096) 4096=0Xfff

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

本文将提到以下内容: 位带操作 中断 printf重定向 随机数发生器RNG AD/DA DMA 高性能计算能力 加密 ART加速 一.位带操作 在学习51单片机的时候就使用过位操作,通过关键字sbit对单片机IO口进行位定义.但是stm32没有这样的关键字, 而是通过访问位带别名区来实现,即将每个比特位膨胀成一个32位字,通过位带别名区指针指向位带区内容. 支持位带操作的两个内存区的范围是:              0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB

在使用ST MCU开发过程中,有人问如果电源电压是变动的,询问有无办法用比较简洁的办法对电源电压进行监测,或者说电源电压波动情况下能否检测出其它待测的AD输入电压. 这里跟大家分享交流一个方法.就是在没有其它外来参考电压,用芯片电源电压VDD作为ADC的参考电压,同时该电源电压又在一定范围内变动的情况下[这个范围就是在保证芯片正常工作的范围],利用MCU芯片内部自带基准电压对电源电压进行监测. 在我印象中[ST MCU系列和型号太多了,记不住],几乎每颗ST MCU芯片内部都有个相对稳定且不受电

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

神通广大的各位互联网的网友们.大家早上中午晚上好好好.今早起来很准时的收到了两条10086的扣月租的信息.心痛不已.怀着这心情.又开始了STM32的研究.早上做了计算机控制的PID实验,又让我想起了飞思卡尔的电磁小车..曾经的电感电压采集让我心碎的多少次.又让我开心了多少次.但已经成为过去.(软件和硬件都会影响),呵呵.估计有人已经猜到我接下来要介绍什么了.在你们面前.我已无秘密.额.其实标题也直接“表白”了.看到标题,别吓到哈.并不是要用英文写.至于原因是什么.请往下看: 好吧.言归正传:ST

源:STM32|4-20mA输出电路 为工业场合开发的设备通常情况下都会具有4-20mA输出接口,在以往没有DAC模块的单片机系统,需要外加一主片DAC实现模拟量的控制,或者采用PWM来摸拟DA,但也带来温漂和长期稳定性问题.在以STM32为中心的设备中,使用它自带的DAC即可非常方便的实现4-20mA的输出接口,具有精度高.稳定性好.漂移小以及编程方便等特点. 在STM32单片机系统中,100脚以下没有外接出VREF引脚,但这样使得DAC的参考端和VCC共用,带来较大误码差,为解决这一问题,可

1.AHB系统总线分为APB1(36MHz)和APB2(72MHz),其中2>1,意思是APB2接高速设备 2.Stm32f10x.h相当于reg52.h(里面有基本的位操作定义),另一个为stm32f10x_conf.h专门控制外围器件的配置,也就是开关头文件的作用 3. HSE Osc(High Speed External Oscillator)高速外部晶振,一般为8MHz,HSI RC(High Speed InternalRC)高速内部RC,8MHz 4. LSE Osc(Low Sp

  最近需要用到两个ADC对电压电流进行同步采样,看了一下STM32的ADC介绍,发现STM32最多有3个独立ADC,有在双AD模式下可以进行同步测量,正好满足我的要求.参考官方给的例子在结合自己的需要写了一下配置程序. 程序1 根据官方例子写的: #include"adc.h" __IO uint32_t ADC_DualConvertedValueTab[ADC_BufferLength]; void ADC1_2_Init(void) { ADC_InitTypeDef ADC_

文本仅做记录.. 硬件:STM32F103VCT6 开发工具:Keil uVision4 下载调试工具:ARM仿真器 网上资料很多,这里做一个详细的整合.(也不是很详细,但很通俗).  所用的芯片内嵌3个12位的模拟/数字转换器(ADC),每个ADC共用多达16个外部通道,2个内部通道. 3个:代表ADC1.ADC2.ADC3(下图是芯片固件库的截图)    12位:也叫ADC分辨率.采样精度.先来看看二进制的12位可表示0-4095个数,也就是说转换器通过采集转换所得到的最大值是4095,如: