在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文

说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据. FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里. 信息块又分成两部分:系统存储器.选项字节. 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行.这个

定义一个全局变量数组:const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};    //u8和char* 写入到内存里会有什么区别???????不都是0101吗,难道一个元素占的位置大小不同????? #define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)                        //数组长度 sizeof是一个函数 ,函数的作用是求出括号里参数的长度#define FLASH_SAVE_ADDR  0X0807

一.内容概述  采用STM32内部自带USB控制器外加大页NAND FLASH K9F1G08U0A实现一个128M的U盘. 1.STM32的USB控制器 STM32F103的MCU自带USB从控制器,符合USB规范的通信连接:PC主机和微控制器之间的数据传输是通过共享一专用的数据缓冲区来完成的,该数据缓冲区能被USB外设直接访问.这块专用数据缓冲区的大小,由所使用的端点数目和每个端点最大的数据分组大小所决定,每个端点最大可使用512字节缓冲区,最多可用于16个单向或8个双向端点.USB模块同P

#define FLASH_ID_OFFSET 30000    //任意定义一个数 //把地址直接减去或者加上一个数是不要程序中直接出现这个地址 volatile u32 Flash_ID_addr[3]={ 0x1FFFF7E8 - FLASH_ID_OFFSET, 0x1FFFF7EC + FLASH_ID_OFFSET, 0x1FFFF7F0 - FLASH_ID_OFFSET }; /**读取STM32 FLASH ID**/ void Flash_Read_ID(u32 *p){ 

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢

从STM32编程手册中,可以知道:在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作. 比如:你在写Flash期间有接收串口数据,很有可能会丢串口数据. 因为比较耗时,所以,在写数据时,CPU不会执行其他操作. 简单说:在写Flash时,CPU 不能取指令,导致中断得不到及时响应,从而发生接收到的数据未及时读走而被覆盖的现象. 遇到这种情况,解决的办法:使用DMA.DMA不需要CPU干预,一旦 USART 有数据接收到,由 DMA 负责将其传输至循环缓冲区中.软件定期检测循环缓冲区中是否有接收到

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

文章目录 背景 1.连接ST-LINK V2与单片机 2.配置工程 3.配置ST-LINK Utility 4.烧录bin文件 背景 项目需求,要把字模文件导入到32中FLASH的指定地址,使用了ST-LINK V2 连接单片机和计算机,然后通过ST-LINK Utility 软件的配合将弄好的字模bin文件导入到FLASH指定地址.下面记录一下整个过程: 1.连接ST-LINK V2与单片机 博主的只需要连接4个线即可: VDD GND SWCLK SWDIO 2.配置工程 然后打开工程,进行

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程

/********************************************************************************* * STM32 Flash 永久用户数据空间 * 说明: * 从网络获取的用户配置数据需要存储,如果外加EEPROM可行,但涉及到PCB改板等问题, * 所以在STM32本身的Flash空间开辟一个Section用于数据存储更划算. * * 2017-12-29 深圳 南山平山村 曾剑锋 **********************

一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存具体的程序代码和用户数据,主存储块是以页为单位划分的, 一页大小为1KB.范围为从地址0x08000000开始的128KB内. 2.信息块   :用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区 二.操作原则 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则:  stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作.对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案.并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地.   一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

注:本人感觉是STM32 Flash本身的问题. 最近做STM32的远程升级,保存到Flash里面,用于记录更新状态的信息总是无故的清理掉 最终测试发现 STM32的 Flash 擦除操作 并不一定会真正的清除, 测试代码 ,底层为原子哥的底层,注:底层程序没有问题. FLASH_DATA_ADDR 地址为 0x800f802 u16 ReadDat[10]={10000,0x3031,0x3032,0x3033,0x3034,0x3035,0x3036,0x3037,0x3038,0x3038

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器.可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除.一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page).每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的.块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位.页,是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位. 首先简要写一下FLASH

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序,无法在线调试的问题:如果您遇到相同的问题,希望本文可以带来一些帮助: 如果本文帮到了您,请帮忙点个赞