摘要: 本文以STM32F103RBT6为例介绍了片上Flash(Embedded Flash)若干问题,包括Flash大小(内存映射).块大小.页面大小.寄存器.这些知识,有利于写Flash驱动. 一.怎么看Flash大小 1.1 通过型号 型号会印在MCU表面,可以通过观察获得,我的是STM32F103RBT6(以下分析基于这个型号),对照下图的STM32产品命名,可知STM32F103RBT6的Flash是128KB. () 图1 Ordering information scheme 1

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程

完整教程下载地址:http://forum.armfly.com/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第10章       STM32H7的FLASH,RAM和栈使用情况(map和htm文件) 本章为大家介绍编译器生成的map和htm文件进行解析,通过这两个文件可以让大家对工程代码的认识程度提升一个档次. 10.1 初学者重要提示 10.2 MAP文件分析 10.3 HTM文件分析 10.4 总结 10.1 初学者重要提示 1.  为了更好的学习本章知识点,可以

这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析,可能会有错误的地方,如果有这方面专家强烈欢迎指正. NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性,需要有基本的管理技术才能使用,对设计者来说,挑战主要在下面几点: 1.需要先擦除才能写入.2.损耗机制,有耐久度限制.3.读写时候造成的干扰会造成数据出错.4.数据的保存期.5.对初始和运行时候的坏块管理. 只有至少满足这些基本的管理技术,才能让NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介质

/********************************************************************************* * STM32 Flash 永久用户数据空间 * 说明: * 从网络获取的用户配置数据需要存储,如果外加EEPROM可行,但涉及到PCB改板等问题, * 所以在STM32本身的Flash空间开辟一个Section用于数据存储更划算. * * 2017-12-29 深圳 南山平山村 曾剑锋 **********************

linux下一切皆文件,大致可分为以下几类:目录.普通文件.硬连接.软连接.字符设备.块设备.FIFO.Socket,其在物理存储体内存储按inode和数据块存储,inode代表元数据,是除实际数据外的所有(属性)数据.根据不同的文件类型有以下几种情况: >对于常规文件,文件的数据存储在数据块中,其他数据(即属性)存储在inode中. >对于目录,该目录下的所有文件名和目录名存储在数据块中,注意文件名保存在它所在目录的数据块中,除文件名之外,ls -l命令看到的其它信息都保存在该文件的inod

注:本人感觉是STM32 Flash本身的问题. 最近做STM32的远程升级,保存到Flash里面,用于记录更新状态的信息总是无故的清理掉 最终测试发现 STM32的 Flash 擦除操作 并不一定会真正的清除, 测试代码 ,底层为原子哥的底层,注:底层程序没有问题. FLASH_DATA_ADDR 地址为 0x800f802 u16 ReadDat[10]={10000,0x3031,0x3032,0x3033,0x3034,0x3035,0x3036,0x3037,0x3038,0x3038

已经了解了STM32 GPIO的基本概念及引脚分类.现在来看下STM32 GPIO内部的结构是怎样的.IO端口位的基本结构如下图所示. 从图中可以看出GPIO内部结构还是比较复杂的,只要将这张GPIO结构图理解好,那么关于GPIO的各种应用模式将非常清楚.图中最右端I/O端口就是STM32芯片的引脚,其它部分都在STM32芯片内部.上图中我们将每部分都用红色数字标号了,按照顺序我们逐一讲解. 保护二极管 引脚内部加上这两个保护二级管可以防止引脚外部过高或过低的电压输入,当引脚电压高于VDD_FT

在FLASH中读写结构体 注意事项 编程(写数据)地址要对齐 写数据时,我们要指定写入的地址,如果写入地址为非对齐,则会出现编程对齐错误. 比如遵循32位(4字节)地址对齐,你的地址只能是4的倍数.0x08001000正确,0x08001001错误. 不同型号对齐宽度可能不同,有的32位.有的128位等,可通过"取余"判断地址. 比如我遇到在 EEPROM 中写一个结构体时,下面这种会有问题,最后一个数据会写入失败.将 uint8_t ID; 改为 uint32_t ID; 则正常.

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

ROM是Read Only Memory的缩写.RAM是Random Access Memory的缩写.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比S

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

在USB库文件mass_mal.c中添加对flash和sd读写的函数,USB库调用这些函数从而实现模拟U盘的功能 //mass_mal.c /* Includes ------------------------------------------------------------------*/ #include "..\User\sdcard\bsp_sdio_sdcard.h" #include "..\User\spi_flash\fatfs_flash_spi.h

1.查看Flash容量大小(存储空间,可以理解为电脑的硬盘) root@OpenWrt:/# dmesg |grep spi |grep Kbytes  #查看Flash容量[    0.660000] m25p80 spi0.0: mx25l12805d (16384 Kbytes)#16384/1024=16M 既是16M的Flash 2.查看RAM容量大小(可以理解为电脑的内存条) root@OpenWrt:/# cat /proc/meminfo |grep MemTotal   #查看

在汽车ECU软件运行中,软件代码运行安全性是第一,在代码中尽可能的不要固化有flash_erase.flash_write操作存在,主要是防止当出现异常情况时,程序跑飞,误调用erase.write对flash操作,使得原软件受到破坏,以致ECU不能正常工作. Bootloader也称为启动引导加载程序,这段程序是硬件设备在上电复位之后执行的第一段软件代码. 方式一.为了实现在线更新功能,Bootloader程序需要对flash进行操作.一般情况下,我们将FLASH操作程序作为Bootloade

片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意. 还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的 EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求. RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程

一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存具体的程序代码和用户数据,主存储块是以页为单位划分的, 一页大小为1KB.范围为从地址0x08000000开始的128KB内. 2.信息块   :用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区 二.操作原则 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则:  stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作.对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案.并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地.   一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存

一. ROM(Read Only Memory)    ROM(Read Only Memory),只读存储器.用来存储和保存数据.ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取.即使是断电,ROM也能够保留数据. ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM: EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写, 写入时间很长,写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器.特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写