注:本人感觉是STM32 Flash本身的问题. 最近做STM32的远程升级,保存到Flash里面,用于记录更新状态的信息总是无故的清理掉 最终测试发现 STM32的 Flash 擦除操作 并不一定会真正的清除, 测试代码 ,底层为原子哥的底层,注:底层程序没有问题. FLASH_DATA_ADDR 地址为 0x800f802 u16 ReadDat[10]={10000,0x3031,0x3032,0x3033,0x3034,0x3035,0x3036,0x3037,0x3038,0x3038

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程

/********************************************************************************* * STM32 Flash 永久用户数据空间 * 说明: * 从网络获取的用户配置数据需要存储,如果外加EEPROM可行,但涉及到PCB改板等问题, * 所以在STM32本身的Flash空间开辟一个Section用于数据存储更划算. * * 2017-12-29 深圳 南山平山村 曾剑锋 **********************

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

程序编译完成,会乘车program size .. 对STM32容量选型或者 计算FLASH 充当EEPROM起始地址时会用到此参数. 按照下面截图  程序空间 = (16700+732+4580)/1024 = 21.5K 但需要注意的是  程序的起始地址 为0x08000000,所以 flash的 起始地址 必须是 0x08000000 + 0x55FC(22012的16进制)  = 0x080055FC之后 其余的空间都可以作为 其他功能使用.

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存具体的程序代码和用户数据,主存储块是以页为单位划分的, 一页大小为1KB.范围为从地址0x08000000开始的128KB内. 2.信息块   :用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区 二.操作原则 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则:  stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作.对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案.并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地.   一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

摘要: 本文以STM32F103RBT6为例介绍了片上Flash(Embedded Flash)若干问题,包括Flash大小(内存映射).块大小.页面大小.寄存器.这些知识,有利于写Flash驱动. 一.怎么看Flash大小 1.1 通过型号 型号会印在MCU表面,可以通过观察获得,我的是STM32F103RBT6(以下分析基于这个型号),对照下图的STM32产品命名,可知STM32F103RBT6的Flash是128KB. () 图1 Ordering information scheme 1

在USB库文件mass_mal.c中添加对flash和sd读写的函数,USB库调用这些函数从而实现模拟U盘的功能 //mass_mal.c /* Includes ------------------------------------------------------------------*/ #include "..\User\sdcard\bsp_sdio_sdcard.h" #include "..\User\spi_flash\fatfs_flash_spi.h

Q1:用IAR Embedded Workbench for MSP430 通过JTAG往MSP430上写程序.为了知道片内程序的版本,必须读出Flash 中内容.什么工具软件可以通过JTAG口实现这个功能?A1:熔丝未烧断的话,做个空程序的项目,然后在C-SPY选项里选择保留未改变的区域,DEBUG后看MEMORY里的内容!熔丝烧断的话只能用编程器或BSL,如果加密了,只能通过BSL来读了,不过你要知道中断向量表的32个字节的内容,即密码. Q2:MSP430F449中我想把一个整形的数A存入

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

1.1 SST25VF080B简介 1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. 容量:8MBit: 最高SPI时钟频率:50MHz: 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对串行数据的解码

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息

在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文

http://bbs.21ic.com/icview-202550-1-1.html 一.内存 我们一般说的内存指的是DRAM,其主要特点是断电会丢失数据,可读写 二.ROM 断电不会丢失数据,数据只读,擦除困难 三.flash(闪存) 断电不会丢数据,数据可读写 NOR FLASH可以直接运行代码