flash大小64k Rom+8k Ram的大小,stm32f051有64k Rom,总的分为 64页,一页1024byte ,在flash的Rom里面写数据掉电保存,相当于W25q80 uint32_t FLASH_START_ADDR = 0x08000000+1024*63; //1024   一页大小1k  ,   63   flash有64K在最后一页首地址开始写/*************************************************************

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

以前在上大学的时候学过Flash,而且以前做一些网页效果都是用的Flash,现在才知道以前我所用的方法是有多麻烦.在学过CSS3之后,我发现以前要用Flash写半天的效果,现在用几句CSS3代码就搞定了.现在对于我来说,现在做网页效果基本已经告别Flash.特别是在CSS3动画学习的时候,我发觉到了CSS3的强大之处. 作为一个以前是学习动画的人来说,CSS3让我对网页设计有了更深一层的理解.现在基于CSS3可以做出用Flash或者AE才能做的一些特效,并且用CSS3可以是网页不再那么单调古板.

Take SAMSUNG K9F1G08U0E for example, and use S3C2416, Windows CE5.0 platform. 要让Flash工作起来,包括两部分: Flash器件控制和CPU端的Flash控制器.Flash端一般只要把相应的脚位和CPU端连起来就可以通过CPU端的相应控制寄存器对Flash设备进行控制读写数据了.当然也有一部分CPU是不带Flash控制器的,这种情况下就要根据Flash的操作时序等进行控制了. [1]Flash工作准备 1.确认硬件连

前言 本文重点介绍flash的数据存取特性.flash的内存划分.一个简单的存取图片的内存管理方式,以及对flash写前删的时间.删后读的时间.写后读的时间进行测量的一个小实验.目的在于更全面了解flash本身特点(尤其是限制),从而方便设计出高效的内存管理驱动. 本文参考论文:闪存的存储管理及索引方法研究_赵培_华中科技大博士论文_2011年 e-mail:beautifulzzzz@qq.com 一.Flash的特点  flash有几大奇葩的特点: 闪存具有多种不用于磁盘的特性,例如:(1)

关键字: SecurityErrorEvent socket as3 flash有着自己的一套安全处理模式,在socket方面,我这样的菜鸟无法理解他的好处:一句话,不怀好意的人如果想用flash写一段带破坏意义的socket客户端(我这里只谈客户端,不谈as3 做 socketserver)程序,你给禁止了,他可以用其他的程序,实际上,这种人也不会用flash去写:你的这些安全的东东实际给真正的使用者带来很多的麻烦. 抱怨的话只能说说,我们无法改变,说说解决方案, 网上一般有以下关于Secur

最近研究一个功能:用as3写的上传图片并实现预览.觉得花了很多时间也学到很多知识,将自己的所得记录下来供大家分享. 首先是预览功能的实现,大家自然而然就想到了loader来加载图片并显示,由于项目没有对图片大小进行限制,所以加载的时候会非常慢.场景:如果同时加载100张5M以上的图片,内存可能会升到1000M以上,导致机器卡死. 解决方案: 1.不要同时加载100张图片,一张加载完再加载下一张. 这个是参照网易相册的上传功能,qq空间的上传功能来源于插件,qq相册也是flash写的,仍存在很卡的

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,

一.Flash与时钟系统的关系            STM32系统时钟:                 HSE 高速外部时钟,电路上焊接的外部时钟,一般是4Mhz-16Mhz,板子上的是8Mhz -->是外接的晶振,耗能高于内部,但准确度也高                  LSE 低速外部时钟,电路板上焊接的外部时钟,32.768Khz,用于RTC                  HSI 高速内部时钟,STM32内部的时钟,默认为8Mhz  -->是单片机内部的RC振荡电路     

debug中遇到的问题: 1,写入数据,读出来不对 2,看之前被人写的代码发现,读flash直接用的标准C库函数:memcpy,但是,写用的专门的flash写接口.所以,我这里两个疑问: A,写flash的时候,为什么没有用memcpy,可不可以用? B,用const 修饰的全局变量是存储在ROM空间的(也就是内置flash上),没有用const修饰的全局变量 和 局部变量是存储在RAM空间上的. 比如 有个全局const 变量 A,全局变量 B,那么,memcpy(B,A)为什么就能正确执行,

NAND Flash 关于NAND FlashS5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等3) 8bit的总线4) 支持SLC和MCL的NAND Flash5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器.注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G

Overview SPI flash, 分为spi flash, DUAL spi flash, QUAD spi flash, 3-wire spi, 4-wire spi, 6-wire spi. 在clock一定的情况下, 理论上线数越多速度越快 NOR flash和Nand flash相比 NOR缺点: 价格贵, 容量小, 擦除块大, 擦除速度慢, NOR flash擦出寿命为100,000次, 远小于NAND flash的一百万次. NOR可以单字节编程, 也就是说一次只更新一个byt

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册>.<STM32F76xxx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议介绍>文档的内容学习. 关于FLASH存储器,请参考“常用存储器介绍”章节,实验中FLASH芯片的具体参数,请参考其规格书<W25Q128>来了解. 24.1  QSPI协议简介 QSPI是Queued SP

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可

第24章     SPI—读写串行FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议

STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,flash芯片为MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E,64Mbit. SPI应该是嵌入式外围中最简单的一种应用了吧!一般SPI应用有两种方法:软件仿真,手动模拟产生时序和应用主控芯片的SPI控制器. 一般采用第二种方法比较好,比较稳定.应用主控芯片的SPI控制器,要点:正确的初始化S

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢

U-BOOT 对 Nand Flash 命令的支持 在 U­BOOT 下对 Nand Flash 的支持主要是在命令行下实现对 nand flash 的操作.对 nand flash 实现的命令 为:nand info.nand device.nand read.nand write.nand erease.nand bad. 用到的主要数据结构有:struct nand_flash_dev.struct nand_chip.前者包括主要的芯片型号.存储容量. 设备 ID.I/O 总线宽度等信息