转 STM32内部参照电压VREFIN的使用 https://blog.csdn.net/uncle_guo/article/details/50625660 每个STM32芯片都有一个内部的参照电压,相当于一个标准电压测量点,在芯片内部连接到ADC1的通道17.   根据数据手册中的数据,这个参照电压的典型值是1.20V,最小值是1.16V,最大值是1.24V.这个电压基本不随外部供电电压的变化而变化.   不少人把这个参照电压与ADC的参考电压混淆.ADC的参考电压都是通过Vref+提供的.

本文转自:Vivado使用技巧(12):设置DCI与内部参考电压 - 灰信网(软件开发博客聚合) (freesion.com) DCI与内部参考电压 Xilinx FPGA提供了DCI(Digitally Controlled Impedance)技术,包括两个功能:(1).控制驱动器的输出阻抗:(2).为驱动器或发送器添加一个并行端接,在传输线上得到精确的特征阻抗匹配,以提高信号完整性.DCI会主动调整I/O bank内的阻抗,以调整放在VRN和VRP管脚之间的外部精准参考电阻,这样可以补偿由

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

在使用ST MCU开发过程中,有人问如果电源电压是变动的,询问有无办法用比较简洁的办法对电源电压进行监测,或者说电源电压波动情况下能否检测出其它待测的AD输入电压. 这里跟大家分享交流一个方法.就是在没有其它外来参考电压,用芯片电源电压VDD作为ADC的参考电压,同时该电源电压又在一定范围内变动的情况下[这个范围就是在保证芯片正常工作的范围],利用MCU芯片内部自带基准电压对电源电压进行监测. 在我印象中[ST MCU系列和型号太多了,记不住],几乎每颗ST MCU芯片内部都有个相对稳定且不受电

本文将提到以下内容: 位带操作 中断 printf重定向 随机数发生器RNG AD/DA DMA 高性能计算能力 加密 ART加速 一.位带操作 在学习51单片机的时候就使用过位操作,通过关键字sbit对单片机IO口进行位定义.但是stm32没有这样的关键字, 而是通过访问位带别名区来实现,即将每个比特位膨胀成一个32位字,通过位带别名区指针指向位带区内容. 支持位带操作的两个内存区的范围是:              0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB

1.问题 1)10位ADC的误差是多少? 首先要分清分辨率与精度的区别. 10cm的尺子,有100个等分刻度,则该尺子的分辨率为1mm. 但不能说这把尺子的精度是1mm. 在冬天,尺子会热胀冷缩,依然有100格刻度,每格刻度代表1mm,但每格刻度与真实的1mm是不同的,精度在变化. 实际上,10位的ADC将会把基准电压分成1024份,分辨率为:基准电压/1024. 2)ADC的采样频率是多少? 芯片开发手册上转换时间公式为: 例子中,采样频率为1MHz. 3)STM32F103这款芯片有多少个A

使用板卡:Z-turn Board 芯片:Xilinx Zynq-7010/7020处理器 有工程师在试用zynq系列Z-turn Board时提出:在原理图P3页 Bank0上VREFP_0端接地的疑问如下 Xilinx的7系列FPGA和Zynq器件创造性地在片上集成了模数转换器和相关的片上传感器(内置温度传感器和功耗传感器),这是相比Xilinx前一代产品来新增加的特性,可在系统设计中免去外置的ADC器件,有力地提高了系统的集成度. tica, sans-serIF"> Zynq器件X

一.STM32F1 ADC介绍 TM32F103 系列一般都有 3 个 ADC,这些 ADC 可以独立使用,也可 以使用双重(提高采样率).STM32F1 的 ADC 是 12 位逐次 逼近型的模拟数字转换器.它具有多达 18个复用通道,可测量来自16 个外部源.2 个内部源信号. 这些通道的 A/D 转换可 以单次.连续.扫描或间断模式执行.ADC 的结果可以左对齐或右对齐 方式存储在 16 位数据寄存器中.ADC具有模拟看门狗特性,允许应用程 序检测输入电压是否超出用户定义的阀值上限或者下限

神通广大的各位互联网的网友们.大家早上中午晚上好好好.今早起来很准时的收到了两条10086的扣月租的信息.心痛不已.怀着这心情.又开始了STM32的研究.早上做了计算机控制的PID实验,又让我想起了飞思卡尔的电磁小车..曾经的电感电压采集让我心碎的多少次.又让我开心了多少次.但已经成为过去.(软件和硬件都会影响),呵呵.估计有人已经猜到我接下来要介绍什么了.在你们面前.我已无秘密.额.其实标题也直接“表白”了.看到标题,别吓到哈.并不是要用英文写.至于原因是什么.请往下看: 好吧.言归正传:ST

一.选择题 1.Cortex-M处理器采用的架构是(  D  ) (A)v4T               (B)v5TE              (C)v6                (D)v7 2.NVIC可用来表示优先权等级的位数可配置为是(  D  ) (A)2                 (B)4          (C)6                 (D)8 3.Cortex-M系列正式发布的版本是(  A  ) (A)Cortex-M3         (B)Cor

一.实验目的 将采集的内部温度传感器信息通过串口发送到上位机 二.实验过程 1.寄存器配置 ADCCON1(0XB4)ADC控制寄存器1 BIT7:EOC   ADC结束标志位0:AD转换进行中                     1:AD转换完成   BIT6:ST     手动启动AD转换0:关闭                                  1:启动AD转换(需要BIT5:BIT4=11)   BIT5:BIT4   AD转换启动方式00:外部触发01:全速转换,不

Microchip提供两种电容式触摸感应解决方案,一种为张驰振荡器方式,即通过检测触摸感应电容充放电的频率变化,来检测是否有键按下,根据单片机集成的硬件资源不同,另一种通过Microchip单片机集成的片上充电时间检测单元(CTMU)实现. 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/96101.htm 简单RC振荡方式 这种方式比较适合一个按键情况,通过集成模拟比较器的PIC10F204或PIC10F206实现触摸感应功能,用到的硬件资源为模拟比较器和Timer

一.在STM32中,有五个时钟源,为HSI.HSE.LSI.LSE.PLL.   全名: high  speed  external ①HSI是高速内部时钟,RC振荡器,频率为8MHz. ②HSE是高速外部时钟,可接石英/陶瓷谐振器,或者接外部时钟源,频率范围为4MHz~16MHz. ③LSI是低速内部时钟,RC振荡器,频率为40kHz. ④LSE是低速外部时钟,接频率为32.768kHz的石英晶体. ⑤PLL为锁相环倍频输出,其时钟输入源可选择为HSI/2.HSE或者HSE/2.倍频可选择为2

一.在STM32中,有五个时钟源,为HSI.HSE.LSI.LSE.PLL. ①HSI是高速内部时钟,RC振荡器,频率为8MHz. ②HSE是高速外部时钟,可接石英/陶瓷谐振器,或者接外部时钟源,频率范围为4MHz~16MHz.一般接8MHZ. ③LSI是低速内部时钟,RC振荡器,频率为40kHz. ④LSE是低速外部时钟,接频率为32.768kHz的石英晶体. ⑤PLL为锁相环倍频输出,其时钟输入源可选择为HSI/2.HSE或者HSE/2.倍频可选择为2~16倍,但是其输出频率最大不得超过72

这两天研究了一下430的比较器,开始的时候,没有看懂是怎么一回事,在网站看这方面的博客,好像懂了,但是一到编程,就变得无从下手,但是,皇天不负有心人,笔者还是把他弄懂了 其实这里就是看懂一幅图,两个寄存器,明白工作原理就可以了 这是比较器A的逻辑图,比价器A由4个部分组成 标号1:内部参考电压发生器,可以产生0.25V,0.50v的参考电压 标号2,:外部电压输入端,CA0对应P2.3,CA1对应P2.4 标号3:内部比较器,今天上课刚好上了比较器,也就是正输入端大于负输入端的时候,比较器输出一

不管怎样,还是在高手的帮助下完成了前面的硬件部分,现在进行ZigBee的心电AD采集和转换.需要把ZigBee重新拾起来. 首先明确下目标和思路吧,目标是将模拟心电信号通过AD转换,变为数字信号,再用ZigBee传输出来.思路是利用Zstack协议栈,来写程序,通过ADC触发DMA,触发事件,将数据传输到串口或者直接从无线发送出去. 首先是ADC的配置,要配置就必须了解ADC的几个寄存器了. 包括:ADCCFG,ADCCON1,ADCCON2,ADCCON3,ADCH和ADCL cc2430的A

http://www.micro-bridge.com/news/sort.asp?dy1=技术资料&dy2=产品相关资料&page=2 作者:LANDA PHAM   来源:德州仪器公司 关键字:LDO 在选择低压降线性调节器(LDO) 时,需要考虑的基本问题包括输入电压范围.预期输出电压.负载电流范围以及其封装的功耗能力.但是,便携式应用需要考虑更多问题.接地电流或静态电流 (IGND 或 IQ).电源波纹抑止比 (PSRR).噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳 LDO 选择的要

转载请以链接形式注明文章来源,公众号:MicroPython玩家汇 一.STM32内部温度传感器概要 STM32芯片内部一项独特的功能就是内部集成了一个温度传感器,因为是内置,所以测试的是芯片内部的温度,如果芯片外接负载一定的情况下,那么芯片的发热也基本稳定,相对于外界的温度而言,这个偏差值也是基本稳定的.也就是说用STM32内部传感器来测量外界环境的温度. 在一些恶劣的应用环境下面,可以通过检测芯片内部而感知设备的工作环境温度,如果温度过高或者过低了则马上睡眠或者停止运转.可以保证您的设备工作

1.DHT11和DHT21传感器 这两种传感器都是奥松公司的产品,具体的传感器说明书在其官网上有(www.aosong.com). DHT11 数字温湿度传感器是一款含有已校准数字信号输出的温湿度复合传感器.它应用专用的数 字模块采集技术和温湿度传感技术,确保产品具有枀高的可靠性与卓越的长期稳定性.传感器包括一 个电容式感湿元件和一个 NTC 测温元件,并与一个高性能 8 位单片机相连接. DHT11(AM2301)湿敏电容数字温湿度模块是一款含有己校准数字信号输出的温湿度复合传感器.它应用专用

1.前言 k64 datasheet描述了Freescale MCU的特性.架构和编程模型,主要是面向使用MCU的系统架构和软件应用开发人员. 2.模块划分 datasheet主要按功能对模块进行划分,包括如下模块: 模块名称 模块说明 ARM® Cortex®-M4 core ARM Cotex M4 32-bit MCU core,加上DSP指令和基于ARMV7架构的单精度浮点单元 System 系统集成模块? 电源管理和多模式控制 唤醒单元 杂项控制模块 Crossbar switch ?

在我们的应用项目中需要采集一些模拟量,这些量使用MCU自带的ADC就可以满足要求.在NUCLEO-F412ZG实验板上的STM32F412ZG有一个16通道的ADC,我们试验用它采集几个数据. 在NUCLEO-F412ZG实验板上,ADC1的第10通道(PC0)和第13通道(PC3)分别引到了CN9-3和CN9-5上.如下图红框所示: 我们利用这两个通道采集信号,一个定义为24VDC电源的检测,一个定义为5VDC电源的检测.同时采集MCU集成的内部温度传感器采集和内部参考电压采集.具体通道选择如