我们知道STM32F4当中有个CCM内存,如图所示,这个内存是挂在D总线上直接和内核相连,因此除了内核之外谁都不能访问,那么我们怎么将其利用起来呢?网上这个资料还真的很少,今天我就给大家分享一下,献给那些还不知道的人,如有错漏,还请指正. <ignore_js_op> 首先,我们可以使用Keil的设置选项,将IRAM2打勾,让编译器选择什么时候使用这个内存.显然,我们还可以将这两个地址修改一下,将IRAM1改为0x10000000,这样,编译器就会优先分配CCM内存. <ignore_j

使用STM32F4的CCM内存http://www.stmcu.org/module/forum/forum.php?mod=viewthread&tid=604814&fromuid=392580(出处: 意法半导体STM32/STM8技术社区) 很赞的一片文章.

1.内存管理介绍 内存管理,是指软件运行时对计算机内存资源的分配和使用的技术.其最主要的目的是如何高效,快速的分配,并且在适当的时候释放和回收内存资源. 内存管理的实现方法有很多种,他们其实最终都是要实现 2 个函数: malloc 和 free: malloc 函数用于内存申请, free 函数用于内存释放.               从上图可以看出,分块式内存管理由内存池和内存管理表两部分组成.内存池被等分为 n块,对应的内存管理表,大小也为 n,内存管理表的每一个项对应内存池的一块内存.

[STM32]使用SDIO进行SD卡读写,包含文件管理FatFs(一)-初步认识SD卡 [STM32]使用SDIO进行SD卡读写,包含文件管理FatFs(二)-了解SD总线,命令的相关介绍 [STM32]使用SDIO进行SD卡读写,包含文件管理FatFs(三)-SD卡的操作流程 [STM32]使用SDIO进行SD卡读写,包含文件管理FatFs(四)-介绍库函数,获取一些SD卡的信息 [STM32]使用SDIO进行SD卡读写,包含文件管理FatFs(五)-文件管理初步介绍 [STM32]使用SDI

ref:https://www.cnblogs.com/leo0621/p/9977932.html 这里针对STM32F407芯片+1M外部内存的内存管理!(全篇是个人愚见,如果错误,请不吝指出!) 首先,定义3个内存池,分别是内部SRAM,外表SRAM和CCM:通过指定内存中的绝对地址,后面就可以直接通过数组操纵内存数据了.这里的mem1的大小是112KB,这里用100KB,其余12KB 用作内存管理表:mem2的大小为1M,这里用960K,剩余用作内存管理表:mem3的大小为64KB,且C

在使用KEIL做F4的项目的时候发现RAM区有片上IRAM2选项,查了datesheet后发现这块是CCM内存区 CCM内存是在地址0x1000000映射的64KB块,只提供CPU通过数据D总线进行访问.如何利用这块内存呢? 首先打开工程配置,如上,对IRAM2进行勾选 双击工程文件夹,打开.map,可以看到RW_IRAM2已经使用 但因为这段内存是只能CPU访问的,一旦将数据分配至CCM内存,而同时使用了DMA访问他,那么就会出现问题,如何避免这种情况发生呢 我们可以自己来直接分配 将需要的数

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      内存管理技术,即内存的申请和释放,使用X-CTR100处理器STM32F4自身带的192K Byte 内存,实现了内存动态申请和释放. 原理 内存管理是指软件运行时对计算机内存资源的分配和使用的技术.其最主要的目的是如何高效,快速的分配,并且在适当的时候释放和回收内存资源. 常用C语言内存管理函数为malloc 和free,malloc函数

STM32F4编程手册学习2_内存模型 1. 内存映射 MCU将资源映射到一段固定的4GB可寻址内存上,如下图所示. 内存映射将内存分为几块区域,每一块区域都有一个定义的内存类型,一些区域还有一些附加的内存类型. 内存类型有以下几种: Normal 处理器可以为了性能而对访问该区域的任务进行重排序. Device 处理器保证访问该内存的任务与其他访问Device或者Stronly-ordered内存的任务相对顺序不变. Stronly-ordered 处理器保证该访问该内存的任务与所有其他任务保

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

STM32F4 External interrupts Each STM32F4 device has 23 external interrupt or event sources. They are split into 2 sections. First interrupt section is for external pins (P0 to P15) on each port, and other section is for other events, like RTC interru

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ] 概述 前后台系统 简单的小型系统设计一般是基于前后台的或者无限循环的系统.包含一个无限循环的模块实现需要的操作(后台).中断处理程序实现异步事件(前台).前台也叫做中断级,后台也叫作任务级.临界操作应该在任务级中被执行,不可避免地必须在中断处理程序中执行也要确保是在很短的时间内完成.因为这会导致ISR 占用更长的时间.通常的,ISR 中使能相关的信息

STM32F4 programming manual_1 1. 处理器模式与特权等级 处理器模式分为以下两种: 线程模式: 用来执行应用软件: 处理器从reset出来时,进入线程模式: CONTROL寄存器控制软件的执行状态时特权的还是非特权的. 处理模式: 用来处理异常: 完成异常处理后,进入线程模式: 该模式下,软件运行在特权等级上. 特权等级有以下两种: 非特权: 对于MSR.MRS指令受限的权限,不能使用CPS指令: 不能使用系统定时器.NVIC.系统控制块: 对于部分内存和外设的访问受

完整教程下载地址:http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980  第26章       STM32H7的TCM,SRAM等五块内存的超方便使用方式 本章教程为大家分享一种快捷的DTCM,SRAM1,SRAM2,SRAM3和SRAM4的使用方式.MDK和IAR均支持这种方式. 26.1 初学者重要提示 26.2 MDK分散加载方式管理多块内存区方法 26.3 MDK分散加载文件解读 26.4 IAR的ICF文件设置 26.5 实验例

在IAR中,硬件环境为STM32F464单片机,额外的CCM不能用DMA访问,但可以作为内部额外扩充RAM使用 修改文件中的内容为: define symbol __ICFEDIT_region_ROM_start__ = 0x08000000; define symbol __ICFEDIT_region_ROM_end__ = 0x080FFFFF; define symbol __ICFEDIT_region_RAM_start__ = 0x20000000; define symbol

1. CCM需要打开总线时钟 2. CCM可以作为堆和栈使用 使用分散加载文件直接操作即可 RW_CCMRAM1 0x10000000 { .ANY (HEAP) .ANY (STACK) } 3. CCM无法作为中断向量映射区 为进一步提高对数据的处理性能,在STM32F4 中设有CCM 存贮器. 与常规的存贮器不同,CCM 存贮器是CPU 独享的存贮器.CCM 存贮器与CPU 之间的数据传输不经过总线矩阵,以提高CPU 对CCM存贮的访问效率. 这样的组织结构也决定了,只有CPU 才能够访问

1.STM32图像接收接口 使用stm32芯片,128kB RAM,512kB Rom,资源有限,接摄像头采集图像,这种情况下,内存利用制约程序设计. STM32使用DCMI接口读取摄像头,协议如下.行同步信号指示了一行数据完成,场同步信号指示了一帧图像传输完成.所以出现了两种典型的数据接收方式,按照行信号一行一行处理,按照场信号一次接收一副图像. 2.按行读取 以网络上流行的野火的demo为例,使用行中断,用DMA来读取一行数据. //记录传输了多少行 static uint16_t line

背景起因: 记起以前的另一次也是关于内存的调优分享下   有个系统平时运行非常稳定运行(没经历过大并发考验),然而在一次活动后,人数并发一上来后,系统开始卡. 我按经验开始调优,在每个关键步骤的加入如下代码耗时统计进行压测:   long startTime = System.currentTimeMillis();  callRpc();   //这里比如调用RPC伪代码,当然还在插入数据库,中间件地方都加入统计  long costTime = (System.currentTimeMill

在Disk-Base数据库中,由于临时表和表变量的数据存储在tempdb中,如果系统频繁地创建和更新临时表和表变量,大量的IO操作集中在tempdb中,tempdb很可能成为系统性能的瓶颈.在SQL Server 2016的内存(Memory-Optimized)数据库中,如果考虑使用内存优化结构来存储临时表,表变量,表值参数的数据,那么将完全消除IO操作的负载消耗,发挥大内存的优势,大幅提高数据库的性能. 在SQL Server 2016中,能够直接创建内存优化的表类型,表变量和表值参数的数据

内存优化表(Memory-Optimized Table,简称MOT)使用乐观策略(optimistic approach)实现事务的并发控制,在读取MOT时,使用多行版本化(Multi-Row versioning)创建数据快照,读操作不会对数据加锁,因此,读写操作不会相互阻塞.写操作会申请行级锁,如果两个事务尝试更新同一数据行,SQL Server检测到写-写冲突,产生错误(Error 41302),将后后创建的事务作为失败者,回滚事务的操作.虽然MOT事务使用无锁结构(Lock-Free)

试试SQLSERVER2014的内存优化表 SQL Server 2014中的内存引擎(代号为Hekaton)将OLTP提升到了新的高度. 现在,存储引擎已整合进当前的数据库管理系统,而使用先进内存技术来支持大规模OLTP工作负载. 就算如此,要利用此新功能,数据库必须包含“内存优化”文件组和表 即所配置的文件组和表使用Hekaton技术. 幸运的是,SQL Server 2014使这一过程变得非常简单直接. 要说明其工作原理,我们来创建一个名为TestHekaton的数据库,然后添加一个内存优