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ttl与非门外接电阻
2024-11-04
数字电路基础(二)TTL与非门输入端悬空和接大电阻的问题
引言 我们在做那些判断与非门输入输出的时候,常常把输入端悬空和接大电阻作为高电平输入处理,比如下边这一例题: 很显然,我们无法直接从与非门逻辑图中看出其内部工作原理,那我们该如何分析呢?那肯定是去分析电路的输入负载特性曲线了.如下图所示: 其中R表示输入端接入的负载,ui表示负载上降落的电压,也表示与非门其中一端的输入电压. 分析一: 如图所示,在输入端口B处接一个电阻R,则Vcc,R1,VT1的基极与集电极和R构成一个回路,此时电阻R两端的电压可以表示为:U=R/(R+R1) * (Vcc-0
TTL与非门电路的工作原理
分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大.工作可靠性差.工作速度慢等许多缺点.1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路.由于集成电路体积小.质量轻.工作可靠,因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路.随着集成电路制作工艺的发展,集成电路的集成度越来越高. TTL信号是数字信号.CMOS传输门(Transmission Gate)是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路. 按照集成度的高低,将集成电路分为小规模集成电路.中规模集成
TTL与非门电路分析
TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏
数字电路基础(三)TTL与非门输入端接电压表的示数
如下图所示,当ui输入低电平,电压表示数为0.3v,当ui输入高电平时,电压表示数为1.4v,分析如下 当ui=0.3 此时VT1导通,电流都从输入端流出,VT1的基极电位被钳位在1.0v(Ub1=0.3v+0.7v),那么电压表的示数就是1.0v-0.7v=0.3v. 当ui=3.6v 此时VT1的发射结反偏,属于截至状态,电流流向VT2,电压也都降落在VT2和VT5上,VT2和VT5导通,现在VT1的电位等于三个0.7v相加,即2.1v,此时电压表示数为2.1v-0.7v=1.4v. 所以在
TTL和CMOS
reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.C
TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法
一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V,Uil≤0.8V二.CMOSCMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上.CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh
TTL电平,CMOS电平,232/485电平,OC门,OD门基础知识
1.RS232电平 或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口 (RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 2.RS485电平和RS422电平 由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以它们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~ +6v:1 -2 ~ -6v:0 接收端 AB间的电压差 大于 +200mv 1 小于 -200mv 0 定义逻辑1为B>A的状态: 定义逻辑0
【转】上拉下拉电阻、I/O输出(开漏、推挽等)
作者:BakerZhang 链接:https://www.jianshu.com/p/3ac3a29b0f58来源:简书 感谢! —————————————————————————————————————————————— 第一部分:上拉电阻&下拉电阻 文章摘自:http://www.360doc.com/content/16/0315/06/29864439_542282998.shtml 是不是经常听别人讲,加个上拉电阻试试看,加个下拉电阻试试看,是不是还在疑惑上下拉电阻是什么,该怎么用,什
上拉电阻大小对i2c总线的影响
漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小? 如果上拉电阻值过小,Vcc灌入端口的电流(Ic)将较大,这样会导致MOS管V2(三极管)不完全导通(Ib*β<Ic),有饱和状态变成放大状态,这样端口输出的低电平值增大(I2C协议规定,端口输出低电平的最高允许值为0.4V) 如果上拉电阻过大,加上线上的总线电容,由于RC影响,会带来上升时间的增大(下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快:上升延是无源的外接电阻,速度慢),而且上拉电阻过大,即引起输出阻抗的增大,当输出阻抗和负载的阻抗可以
数字电路-异同步 复位 线与 oc门
1.同步电路和异步电路的区别是什么? 异步电路:主要是组合逻辑电路,用于产生地址译码器.FIFO或RAM的读写控制信号脉冲,但它同时也用在时序电路中,此时它没有统一的时钟,状态变化的时刻是不稳定的,通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化.也就是说一个时刻允许一个输入发生变化,以避免输入信号之间造成的竞争冒险.电路的稳定需要有可靠的建立时间和持时间,待下面介绍. 同步电路:是由时序电路(寄存器和各种触发器)和组合逻辑电路构成的电路,其所有操作都是在严格的时钟控制下完成的.这些时序电路共享同一
8051单片机I/O引脚工作原理
一.P0端口的结构及工作原理 P0端口8位中的一位结构图见下图: 由上图可见,P0端口由锁存器.输入缓冲器.切换开关.一个与非门.一个与门及场效应管驱动电路构成.再看图的右边,标号为P0.X引脚的图标,也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位,即在P0口有8个与上图相同的电路组成. 下面,我们先就组成P0口的每个单元部份跟大家介绍一下:先看输入缓冲器:在P0口中,有两个三态的缓冲器,在学数字电路时,我们已知道,三态门有三个状态,即在其的输出端可以是高电平.低电平,同时还有一种就是高
C51端口结构和工作原理(转)
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51单片机I/O引脚IO口工作原理
51单片机I/O引脚IO口工作原理 一.51单片机管脚p0.p1.p2.p3口区别如下: 1.意思不同P0口作输出口用时,需加上拉电阻.P0口有复用功能.当对外部存储器进行读写操作时,P0口先是提供外部存储器的低8位地址,供外部存储器地址锁存器锁存,然后充当数据线,用于写出或读入数据.P1口.P2口
十天学会单片机Day3 D/A与A/D转换器
D/A转换器 1.二进制权电阻网络型D/A转换器 基准电压Vref 数据D(d3d2d1d0) 输出模拟电压V0 i0 = Vref/8R i1 = Vref/4R i2 = Vref/2R i3 = Vref/R i∑ = i0+i1+i2+i3 = Vref * (d3*2^3 + d2*2^2 + d1*2^1 +d0*2^0) / (R*2^3) 设RF = R / 2,可得 Vo = -RF*if = -R/2 * i∑ = -Vref (d3*2^3 + d2*
STM32的GPIO口的输出开漏输出和推挽输出
本文来自cairang45的博客,讲述了STM32的GPIO口的输出开漏输出和推挽输出, 作者博客:http://blog.ednchina.com/cairang45 本文来自: 高校自动化网(Www.zdh1909.com) 详细出处参考(转载请保留本链接):http://www.zdh1909.com/html/MCS51/2944.html STM32的GPIO口的输出:开漏输出和推挽输出 >>推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件 >>开漏输出:输出端相当于三极管的集
OC OD介绍
参考:http://www.elecfans.com/baike/bandaoti/jichuzhishi/20100304178298.html OC门,又称集电极开路门,Open Collector,还有OD门(Open Drain,漏极开路门,对场效应管而言). 即集电极开路门电路必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用.否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路. 输出端可以实现线与连接:oc门必须外接负载电阻和电源才能正常工作. 集电极开路输出的结构如图1所
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模电&数电知识整理(不定期更新)
模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的
单片机I/O口推挽与开漏输出详解(力荐)
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止. 开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 我们先来说说集电极开路输出的结构.集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为"0"时,输出也为"0").对于图1,当
[硬件项目] 1、汽车倒车雷达设计——基于API8108A芯片简易智能语音模块的设计与实现
前言 汽车倒车防碰撞系统是一种辅助汽车泊车装置.低配的由超声波收发电路.回波放大电路.语音提示电路.数码显示.报警及温度补偿电路组成,高配的有时会带有后视视频系统.[1] 一.工作原理 如下图在汽车的尾部安装4个超声波探头,倒车时,采用往返时间测量法测量汽车尾部到障碍物的距离,通过数码管实时显示距离,当车尾部的超声波探头与障碍物的距离小于设定值的安全值时,通过蜂鸣器报警提示驾驶员. 这里测距一般采用4路超声波传感器分时隙工作,采用往返时间测量法测距,测距原理是当汽车进行倒车时,防碰撞系
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