w25q64擦写时间间隔

2024-09-02

W25Q64BV(FLASH)（SPI）中文手册

64兆位串行SPI FLASH存储器 1.常规介绍 W25Q64BV(64兆位)串行FLASH存储器为一个空间大小,引脚,功耗限制的系统提供解决方案.25Q系列的灵活性和性能良好超越了普通的串行FLASH设备.该芯片是理想的代码跟踪到RAM,通过两路或四路SPI(XIP)直接执行代码来存储声音,文字,数据等,只需要一个2.7V到3.6V的供电,在活跃状态是电流消耗可以低至4mA,掉电模式下可以低到1uA.所有的设备都提供节省面积的封装. W25Q64BV拥有32768页的可编程阵列(每页可写25

nor flash和nand flash的区别

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

NorFlash和NandFlash区别

Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

Oracle数据库——Scheduler Job

日常的运维工作中,我们经常使用Linux Server的anacron服务来使得服务器执行一下计划之内的任务,可以按照特定的时间间隔,重复的执行相关的命令或者相关的脚本,来完成预期的目标,能够节省相关的人力,使得运维变得更加容易. 对于Oracle数据库来说,当然也提供了相关的功能来实现定时的,重复的完成PL/SQL Block,Shell Scripts(其实是External Executables,在这里简单用shell脚本代替),以及Oracle本身已经编写好的Storage Proce

NOR型flash与NAND型flash的区别

1) 闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块. 2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适

介绍几种IC卡

介绍几种IC卡 Mifare卡:工作频率:13.56MHZ数据保存期:10年操作时间:96ms读写距离:2.5-10cm 存储容量:8Kbit尺寸:85.6x54x0.76mm 存储器类型:EEPROM操作环境温度:-20℃-50℃ 多重应用区:16个分区保存环境温度:-20℃-50℃ 厂商序列号:32bit,唯一相对湿度:90% 写卡次数:10万次以上材料:PVC2——————————————Temic5550卡:存储器容量:264bits 320bits 读写特性:可读.可写.可加密工

Nand flash 三种类型SLC,MLC,TLC【转】

转自:https://blog.csdn.net/fc34235/article/details/79584758 转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html 从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙. 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC. TLC是什么? 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的

赞 ( 84 ) 微信好友新浪微博 QQ空间 180 SSD故事会（14）：怕TLC因为你不了解！【转】

本文转载自:https://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html [PConline 杂谈]从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙.不过,如果当你阅读过三年前小编撰写的<你骂我还是要说!TLC引领SSD发展新趋势>一文,你就不会觉得那么意外了.小编还是有先见之明了. 好啦,不抬高自己了,做人要谦虚.回归今天的主题,虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,这一期的<SS

（转+整理）Nandflash存储

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic

JZ2440 裸机驱动第8章 NAND Flash控制器

本章目标了解NAND Flash 芯片的接口掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

websphere中的会话超时设置和 web应用中web.xml中session-timeout关系

Tomcat默认的会话的超时时间设置设置Tomcat session有效期的三种方式有: 1.在tomcat/conf/web.xml中修改session-timeout的值,该设置是TOMCAT全局默认的:也可以在具体项目的WEB-INF/web.xml中设置该应用所使用的时间,与tomcat/conf/web.xml设置完全相同. <session-config> <session-timeout>30</session-timeout> </session

nor flash的一般操作与分析

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可

Nor Flash芯片特性分析

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个

嵌入式平台 RAM与ROM区分

ROM(Read Only Memory)和RAM(Random Access Memory)指的都是半导体存储器,ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. ROM有很多种,PROM是可编程的ROM,它和EPROM(可擦除可编程ROM)的区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这是早期的产品,现在已经不再使用,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序的一种通用存储器.另外一种EEPROM是通过电子擦除,

玩转X-CTR100 l STM32F4 l W25Q64 SPI串行FLASH存储

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ] 本文介绍X-CTR100控制器板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

【雕爷学编程】Arduino动手做（50）---W25Q64存储模块

37款传感器与模块的提法,在网络上广泛流传,其实Arduino能够兼容的传感器模块肯定是不止37种的.鉴于本人手头积累了一些传感器和模块,依照实践(动手试试)出真知的理念,以学习和交流为目的,这里准备逐一做做实验,不管能否成功,都会记录下来---小小的进步或是搞不掂的问题,希望能够抛砖引玉. [Arduino]168种传感器模块系列实验(资料+代码+图形+仿真) 实验五十:W25Q64 64Mbit FLASH外扩存储模块 (DataFlash SPI接口 ) W25X64 该系列是华邦公司推出

块级标签包含行内标签底部出现3px间隔的解决办法

当块级标签(如div)内包含了行内标签(如img),则外层元素与内层元素底部会出现3px的间隔: 代码如下: <!doctype html> <html lang="en"> <head> <meta charset="UTF-8"> <title>Document</title> <style> #box{ background: red; } </style> <

JS实战 · 表格行颜色间隔显示，并在鼠标指定行上高亮显示

思路: 1.获取所有行对象,将需要间隔颜色显示的行对象进行动态的className属性指定: 前提是:先定义好类选择器,就是说给行对象赋予name. 2.高亮用到两个事件:onmouseover(鼠标进入事件).onmouseout(鼠标移出事件) 3.为了方便可以在遍历行对象时将每一个行对象都进行两个事件属性的制度,并通过匿名函数完成该事件的处理: 4.高亮的原理:将鼠标进入时颜色改变,改变前先记录下原行对象的样式,在鼠标离开时,将该样式还原: 5

OpenCV2:等间隔采样和局部均值的图像缩小

图像的缩小从物理意义上来说,就是将图像的每个像素的大小缩小相应的倍数.但是,改变像素的物理尺寸显然不是那么容易的,从数字图像处理的角度来看,图像的缩小实际就是通过减少像素个数来实现的.显而易见的,减少图像的像素会造成图像信息丢失.为了在缩小图像的同时,保持原图的概貌特征不丢失,从原图中选择的像素方法是非常重要的.本文主要介绍基于等间隔采样的图像缩小和基于局部均值的图像缩小以及其在OpenCV2的实现. 基于等间隔采样的图像缩小这种图像缩小算法,通过对原图像像素进行均匀采样来保持所选择到的像素仍

使用canvas实现擦玻璃效果

体验效果:http://hovertree.com/texiao/html5/25/ 效果图: 代码如下: <!DOCTYPE html> <html> <head lang="zh"> <meta name="viewport" content="initial-scale=1.0, maximum-scale=1.0, user-scalable=no, width=device-width" /&g

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