ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

之前在设计板卡时,只是听过相关的概念,但是未真正去研究关于SI相关的知识.将之前看过的一些资料整理如下: (1)信号完整性分析 与SI有关的因素:反射,串扰,辐射.反射是由于传输路径上的阻抗不匹配导致:串扰是由于线间距导致:辐射则与高速器件本身以及PCB设计有关. 传输线判断   传输线的判断可以参考之前的博客 利用之前判断高速信号的公式,所以对于高速和低速的区分,需要考虑信号频率和传输路径长度. 判断步骤: 1)获得信号的有效频率Fknee 和走线长度 L: 2)利用Fknee 计算出信号的有

AD16的主要功能是画电路原理图和根据电路原理图设计PCB板.为了使设计的电路.画完的电路原理图,从电路原理上不存在错误,从电路逻辑上不存在混乱,AD16专门开发了电路原理图的仿真程序.这样可以把设计存在的问题,在第一步:绘制电路原理图阶段就及时发现,然后根据仿真结果,改进电路原理图.这就避免了等到印刷电路板装配零件完成为成品之后再发现问题时,造成的大量的人力物力损失. 同样:设计PCB时,也是先在电脑上根据电路原理图,绘制PCB板图.然后再把电脑PCB板图拿到PCB工厂生产PCB板.AD16同

EMC信号完整性落地实测1---走出玄学 无论我们从51单片机,STM32电路,运放,传感器,ADC采集还是可控硅晶闸管等等电源电路跨入到电子工程师的行业,我们通常会长时间处于低频的电子电路设计调试阶段,通常我们处理的是几百Hz或者几K Hz的信号通路.偶尔会有RS232,RS485,IIC,SPI或者CAN总线之类的通讯让我们的PCB经历几百K Hz的信号.这些其实涵盖了大部分的电子应用场景,我们在这个阶段更多的关注电路功能的实现,并没有也不太需要考虑信号完整性或者EMC的问题. 总有一天我们

(2)单击“Identify DC Nets”,弹出“Identify DC Nets”窗口,如图2-6 所示: 图 2-6 Identify DC Nets 窗口 (3)在“Net”列表中选择网络如“GND_EARTH”,在“Voltage”栏双击“NONE” 输入相应的电压值如0,并按下“Tab”键.再如选择“VCC285”,在“Voltage”栏双击“NONE” 输入相应的电压值如2.85,并按下“Tab”键. (4)单击“OK”,关闭“Identify DC Nets”窗口.“Datab

一般DMIC的CLK都会EMI超标,所以看到的案子这个DMIC CLK信号都会源端串接电阻和并电容 1,串电阻是为了信号的完整性,考虑到匹配的,一般说来这个电阻不是固定的,要随实际的PCB的走线的阻抗和主控的输出阻抗决定的.这个是源端的串联匹配,所以电阻要靠近主控端,其公式是:主控输出电阻+串联匹配电阻=走线的阻抗. 2,电容也只是虑纹波的作用,滤掉电源的纹波和反射的纹波. (注意:加串聯電阻比較好.加電容對地副作用是引起接地跳動(Ground Bounce),反而對信號的質量不利.) 1.RC

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH

DDR3内存详解,存储器结构+时序+初始化过程 标签: DDR3存储器博客 2017-06-17 16:10 1943人阅读 评论(1) 收藏 举报  分类: 硬件开发基础(2)  转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你

一.容量和封装相关 (1)逻辑Bank数量增加 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,而DDR3起始的逻辑Bank是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. (2)封装(Packages) DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格. DDR3由于新增了一些功能,所以引脚有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且DDR3必须是绿色封装. DDR3学习笔记 分类: 服务器与存储 2014-02-20 12:09:52 原

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

DDR3中的状态机Diagram,详见相册. ACT:Activate,表示输出行地址,和是否自动precharge控制位. PRE:Precharge,在读写后,可以根据A10来判断是否自己进行precharge. PREA:Precharge all,一般在初始化阶段,来进行all bank的precharge. MRS:Mode Register Set,控制寄存器的设置,DDR3中共有四个,MR0,MR1,MR2,MR3. REF:Refresh,64ms内必须对所有的row进行自刷新.

一.S5PV210时钟系统 时钟:一定频率的电信号.   时钟系统:基于CMOS工艺的高性能处理器时钟系统,集成PLL可以从内部触发,比从外部触发更快且更准确,能有效地避免一些与信号完整性相关的问题. S5pv210时钟系统,参考s5pv210手册第三章,CLOCK CONTROLLER S5pv210时钟管理单元(CMU)主要了解了以下信息 1.时钟域:s5pv210主要由三个时钟域组成 a:MSYS域:Cortex A8处理器.DRAM内存控制器(DMC0和DMC1).3D.内部SRAM(I

基本知识 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 简称 DDR SDRAM 双倍数据率同步动态随机存取内存 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR芯片的数据总线有 8位 16位 32位,如果是8位芯片则64位的数据总线需要8颗DDR3芯片. DDR芯片引脚介绍 CK,CK#:差分时钟信号.所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#下降沿交叉处被采样,输入数据选通(DQS,DQS#)参考C

管脚是FPGA重要的资源之一,FPGA的管脚分别包括,电源管脚,普通I/O,配置管脚,时钟专用输入管脚GCLK等. 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/266429.htm (1)电源管脚: 通常来说: FPGA内部的电压包括内核电压和I/O电压. 1.内核电压:即FPGA内部逻辑的供电.通常会较I/O电压较低,随着FPGA的工艺的进度,FPGA的内核电压逐渐下降,这也是降低功耗的大势所趋. 2.I/O电压 (Bank的参考电压).每个BANK都会有独立的

本文为CoryXie原创译文,转载及有任何问题请联系cory.xie#gmail.com. 本章定义USB 3.0连接器和线缆组件的form, fit 和 function.包括以下方面: • 连接器配对接口(Connector mating interfaces) • 线缆和线缆组件(Cables and cable assemblies) • 电气要求(Electrical requirements) • 机械和环境要求(Mechanical and environmental requir

Mark为期两天的EMC培训中大概分成四个时间差不多的部分,简单来说分别是SI.PI.回流.屏蔽.而在信号完整性的书籍中,也会把信号完整性分为:1.信号自身传输的问题(反射,损耗):2.信号与信号之间的问题(串扰):3.电源问题:4.EMC问题.看来EMC跟SI重叠度很高啊,确实做久了之后,发现其实他们都是在解决一个电磁场往哪儿去的问题,解决的思路与手段都有非常大的相似性. 在PCB板上的电磁场,更多的还是储存在电容电感中,任何一个导体都是电感,而任何两个导体的组合都是电容.储存在信号路径与回流